背景及概述^[1]

近年来，三甲基硅烷((CH₃)₃SiH)在半导体领域中作为层间绝缘膜和成膜原料的用途逐渐扩大。

三甲基硅烷的应用^[1-3]

应用一：光引发剂双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦的制备方法

CN201410418294.X公开了一种制备光引发剂双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦的方法。该方法避免了使用危险的活泼金属钾或钠，采用价格相对低廉的三氯化铝或四氯化锡和三甲基硅烷现场生成活性中间体来实现反应。该方法具有制备成本低、操作过程简单、安全、反应过程易于控制、产品收率高、纯度好、易于实现大规模生产等特点。

应用二：SiCN扩散阻挡层制备工艺

CN201010285729.X提供了一种SiCN扩散阻挡层的制备工艺。该工艺采用等离子体辅助化学气相沉积方法，反应气体为三甲基硅烷、氨气和硅烷。通过在反应气体中增加硅烷气体，使得三甲基硅烷和氨气在反应室内分布更加均匀，从而使得反应生成的SiCN扩散阻挡层中各个部位的组分分布更加均匀。

应用三：纳米疏水剂的制备方法

CN201910815675.4报道了一种纳米疏水剂的制备方法。该纳米疏水剂包括如下成分：10%-25%二甲基二乙氧基硅烷、5-20%三甲基硅烷、1-10%羟基硅油、1-5%KH550氨基官能团硅烷和20-55%的乙醇溶液。该涂层增大了与水的接触角，从而显著提高了排水效果，只需少量的水来清洗，同时减小了水的滑动角，使玻璃表面更容易擦洗，避免了有害清洁剂的使用。

参考文献

[1] CN201410418294.X一种光引发剂双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦的制备方法

[2] CN201010285729.X一种SiCN扩散阻挡层制备工艺

[3] CN201910815675.4一种纳米疏水剂及其制备方法