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化学学科 工艺技术

求助 利用APCVD的方法在铜箔上合成h？

本人研二 开始用CVD合成h-BN两个月了 但是一无所获  铜箔老是涨不上去 前体为 在我们郑州买的氨硼烷  是在一个外接的加热源加热 温度在60-80摄氏度 气氛时氩氢混合气 生长温度1000摄氏度 退火了 一个小时 生长了一个小时 铜箔有两种 一种是 阿法埃莎的25μm铜箔 一种是商用的铜箔 前者退火完 上面老是有白色的小点点 感觉是蒸发的坑 然后后者 退火完 感觉铜晶粒比前者大 但是晶界处是黑的 拉曼扫有碳的峰 是不是商用的铜箔 渗碳造成？加热的时候进气端没有放炉堵 做了好多炉 光镜看生长完的铜箔 根本就没有hBN,测拉曼的话 也没有峰 很迷茫 怕毕不了业啊 望高人指点一二 感激不尽


阿法埃莎退火后的铜箔.jpg



商用退火后的铜箔8.jpg 显示全部
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方欧尼.
3人参与回答
辞唱—
，设备工程师 2019-01-22回答
有没有考虑可以直接买生产厂家合成的hbn？现在很多都可以大量生产，节省时间，质量控制好，其实价格也不比自己合成贵。可以扫我头像微信聊。
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清风迷雾暖风
，设备维修 2019-01-22回答
楼主你好，我在做CVD生长石墨烯也遇到了类似情况，铜箔表面有白色颗粒，不知道楼主解决了吗？
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奶气
，研发工程师 2019-01-22回答
1. 既然是APCVD就不存在蒸发问题；
2. 生长1个小时太长了；
3. 用固态前驱体生长二维材料有很多需要注意的地方，比如：前驱体的加热方式，前驱体运输过程的保温，前驱体的载气等等等。
长过半年的二位氮化硼，最后也只能长出10um的三角形，实在是大坑
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