根据我的理解，牺牲剂的选择主要决定于材料本身的物理化学性质及其牺牲剂的氧化还原电位。物理化学性质：一般对于硫化物而言，用亚硫酸钠作为牺牲剂，产生的主要是硫酸钠，不会对材料本身有损害。而如果采用ch3oh作为牺牲剂，如果产生甲酸，会腐蚀光催化剂，影响其稳定性。牺牲剂氧化还原电位：et3n和ch3oh都可以作为c3n4光催化的牺牲剂，但是用et3n作为牺牲剂的时候，其产氢效率明显要高一些，为什么呢？这个可以考虑牺牲剂发生氧化的标准氧化还原电位。可以看看这篇文献，appl. phys. lett. 2012, 100, 223903.1.4723575.online.f1.gif，

选择na2s或者na2so3文献中的解释都是说可以s2-离子和so3 2-离子可以很好地消耗空穴（holes scavenger）

根据我的理解，牺牲剂的选择主要决定于材料本身的物理化学性质及其牺牲剂的氧化还原电位。物理化学性质：一般对于硫化物而言，用亚硫酸钠作为牺牲剂，产生的主要是硫酸钠，不会对材料本身有损害。而如果采用ch3oh作为牺牲剂，如果产生甲酸，会腐蚀光催化剂，影响其稳定性。牺牲剂氧化还原电位：et3n和ch3oh都可以作为c3n4光催化的牺牲剂，但是用et3n作为牺牲剂的时候，其产氢效率明显要高一些，为什么呢？这个可以考虑牺牲剂发生氧化的标准氧化还原电位。可以看看这篇文献，appl. phys. lett. 2012, 100, 223903.1.4723575.online.f1.gif，

选择na2s或者na2so3文献中的解释都是说可以s2-离子和so3 2-离子可以很好地消耗空穴（holes scavenger）