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三氯氢硅合成工艺指标的优化？

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工艺技术

三氯氢硅合成工艺指标的优化？

控制主要技术条件: 上,中,下温度:280~320 炉顶压力:100~140mmHg 压差:110~170mmHg 分布板压:19~21乇(分布板上的阻上差约等于) HCL压力:300~400乇 除尘器温度:150左右 硅粉粒度:80~120目 以上是我们公司的技术条件,仅做参考,本单位因根据具体情况,自行选择 显示全部
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丑女―
2人参与回答
noblty
，工艺专业主任 2018-08-03回答
三氯氢硅的生成是与内在杂质和反应条件有很大关联的。内在杂质不但要求有助于催化生成三氯氢硅，而且总体杂志含量低，以利于三氯氢硅合成气体后处理的稳定操作；而反应条件中主要是指温度的控制，这需要三氯氢硅合成炉冷却水系统设计要有一定富裕量的。在实际生产中要不断摸索以确定原料成分和反应条件。
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盖世英雄的小
，化工研发 2018-08-03回答
三氯氢硅合成收率的主要影响因素是：合成炉的温度、压力，冷却水的温度和压力，硅粉的加入量等。请同仁们探讨为提高三氯氢硅的收率和产量，以上参数的最佳组合值分别是多少？
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