我也是F掺杂却测不出XPS氟的峰。。。咋办呢？你解决了吗？

我想问一下，为何盐掺杂用二次掺杂方法，而且二次掺杂过程中，为什么先用质子掺杂再用盐掺杂，是不是说明质子比盐更容易掺杂？？？？？谢谢

固相反应也未必全是物理混合啊??我觉得可以考虑使用气固相反应的方法 也许掺杂能更好一些呢

参考下这篇文献吧，铁锂掺杂始祖 。electronically conductive phospho-olivines aslithium storage electrodes??sung-yoon chung, jason t. bloking and yet-ming chiang22 september 2002; doi:10.1038/nmat732，

楼主 想问一下你们硼掺杂石墨烯量子点??做的怎么样??你们怎么做多的，

这个是植酸的结构式，与植酸作用，为什么可以直接掺杂上去p元素呢？

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像2楼说的那样是修饰而不是掺杂，掺杂应该是原位生长到GO上形成吡啶型或吡咯型的掺杂

我一直也有这个疑惑，答辩的时候老师肯定会问到怎么判断你的微量元素掺杂进去了？掺杂的话晶格参数会有变化，但是这应该也说明不了问题，等待解答 我觉得关于如何掺杂进去了的问题，其实可以结合几方面来看说实话，理论的那一套最好还是就从晶格参数以及XRD的峰的细微变化来解释，但是这仅仅是理论上的东西，解释比较薄弱，但是又不得不说工业上的证明掺杂其实很简单，就是ICP检测分量就行，你类似于3M那样的检测方法，一钵料且米子型，然后每一块去一点料，相当于8个样，然后上中下层同样的取法，一共是8*3=24个样，然后测ICP的杂质分量，如果你掺进去的元素的分量在这24个中表现偏差不大的话，即可证明掺杂进去且均匀了。当然，你可能没有条件像企业这样搞，那么取几个样来证明也行其实企业生产中相反对于掺杂的证明还要简单一些，压根不用什么理论作为支撑，我的方法没有任何问题，材料中又能检测出均匀的含有某种元素，那么就是均匀的掺杂在没有绝对真实精确的掺杂表征仪器和手段的情况下，理论结合实际物化数据就行了，不用抠太死。你的文章又不是讲证明如何掺杂的，而是讲掺杂后的影响的，不是吗，

原来如此呀！不过硅芯料等级不高的话， 就不用掺杂了吧？