用DSC常规测
铌酸锂单晶的相变温度(居里温度)1100℃左右。
而用不同的方法制备出铌酸锂薄膜后,其相变温度会有明显的变化。
因铌酸锂薄膜材料相变测试不成熟,也没有相关测试标准,本公司用光学方法对铌酸锂薄膜做了一些相变温度的粗测,有待具体分析。
有做相关研究的大佬还请不吝赐教。
首先说明下方法:根据薄膜材料相变(晶型发生变化)前后,材料的吸收、透射、反射光都会发生变化,借此采集薄膜材料从室温到1000℃的反射光功率的变化反映材料内部相变的变化。此方法测试
氧化钒、GST相变存储材料等薄膜相变温度时,均有较准确的表征。
测试某铌酸锂薄膜(温度——光功率)曲线如下:蓝色线是反射光功率的变化,红色线是求导。光源是绿光偏振光。
以下是同一个样片重复测试两次的结果。左侧是升温曲线,右侧是降温曲线。升温速率约1℃/s可控,降温为随炉冷却不可控,1000~500℃约30s,500~200℃约4min,200~50℃约6min。
发现:1、随着温度变化,样片的反射光功率明显发生变化;
2、升温段,800~900℃反射光功率有明显的突变;
3、降温后,反射光功率回到初始值;
4、降温段,600℃左右是明显突变点;
问题:1、不像其他材料非相变阶段反射光功率比较平稳;(如图3)
2、不同工艺参数的铌酸锂薄膜相变温度是否会发生变化?
欢迎交流赐教。谢谢
1铌酸锂薄膜
2铌酸锂薄膜
3
氧化锆薄膜
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