请教下着两张CV图和EIS图能说明材料表面产生了SEI膜吗?

从CV图中基本上看不到什么SEI膜的成膜峰，通常电解液分解在颗粒表面生成SEI膜的电位区间在1.2-0.5V间，当然添加添加剂后的电解液有可能不一致。而SEI膜的生成时不可逆的，也就是说在第一周存在，你这个CV如果你觉得在0.7-0.5 V的很小的电流峰是SEI膜生成，那么第二周和第三周也存在，即使有SEI膜也不稳定，起不到任何作用。 另外EIS的基本作图是要把横纵坐标刻度一致，你的阻抗值变大只能说明你的材料的性能变差，电荷传输困难，EIS中也观察不到SEI膜成膜过程，因为SEI膜的阻值不可能有那么大。??综上，从你的实验结果看不出来SEI膜的生成，如果楼主想证实，不妨试一试FTIR并结合循环后XRD分析，找两篇文献看看。? ? 以上是我个人观点，当然不一定完全对，楼主选择性采纳！

从CV图中基本上看不到什么SEI膜的成膜峰，通常电解液分解在颗粒表面生成SEI膜的电位区间在1.2-0.5V间，当然添加添加剂后的电解液有可能不一致。而SEI膜的生成时不可逆的，也就是说在第一周存在，你这个CV如果你觉得 ... 非常感谢你的回答。0.5-0.7V的峰是可逆的，也就是说这个峰不可能是SEI膜咯？那么接近0V的不可逆的峰是什么峰呢？可不可能是SEI膜？另外，对于阻抗值变大您归结于材料的性能变差，但是，如果是性能变差，至少EIS是有区别的吧？从EIS上来看，基本上循环1圈后，阻抗值就稳定了。再说，材料的循环性还是可以的，100圈后容量剩余95%。基本上只在前10圈衰减，之后几乎没有衰减。还有您说的SEI膜的阻抗值不可能那么大，那么SEI膜的阻抗一般是多大的呢？您最后说的拆电池再进行物理表征的确是好想法，

非常感谢你的回答。0.5-0.7V的峰是可逆的，也就是说这个峰不可能是SEI膜咯？那么接近0V的不可逆的峰是什么峰呢？可不可能是SEI膜？另外，对于阻抗值变大您归结于材料的性能变差，但是，如果是性能变差，至少EIS是 ... 0V 左右不可逆的峰有可能是你材料发生相变了，具体要看你是什么材料。回答那么多，连个金币都不给...

这帖子就沉了？接近0V的不可逆杂峰是SEI膜不？求指导啊！