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设备维修
二氯二氢硅的处理? 求助:1、谁知道反歧化的生产厂家,能够消耗 二氯二氢硅 和 四氯化硅 生产三氯氢硅的厂家,如果有技术人员更好。 2、纯度在70-99%的二氯二氢硅谁有法子处理呀!查看更多 18个回答 . 5人已关注
HG 20538-92 衬塑(PP、PE、PVC)钢管和管件? HG 20538-92 衬塑(PP、PE、PVC)钢管和管件 [ ]查看更多 2个回答 . 4人已关注
如何防止肥料中出现尿素颗粒? 请大家从工艺的角度谈一下,如何防止团粒法工艺复合(混)肥料中混有 尿素 颗粒的现象?查看更多 3个回答 . 1人已关注
废水中含碱性洗涤剂怎么处理? 太阳能行业废水,其中一股废水含碱性 洗涤剂 ,请教各位TX,怎么处理?气浮行吗,就是担心气泡外溢。查看更多 1个回答 . 4人已关注
什么叫内标法? 仪器分析里提到的内标法具体是怎样操作的,要用 气相色谱 法来测定白酒中各成分的含量应该怎样来操作,请哪位高手给一个具体的操作方案谢谢查看更多 4个回答 . 1人已关注
求教为什么常压塔进料要求切线进料? 如题~ 多谢指教查看更多 6个回答 . 2人已关注
NH3-SCR脱硝催化剂硫中毒问题? 各位虫们好,我最近做了Cu- 分子筛催化剂 用于NH3-SCR反应,活性还可以,但是存在致命的问题:硫中毒问题严重。想知道是否是我选择的Cu基本身易硫中毒?真心找不到易抗硫的活性组分啊。大家有没有做Cu基 催化剂 的。交流一下,是铜易被中毒吗。查看更多 6个回答 . 4人已关注
压力容器设备上的爆破片有效期是多长时间? 各位川友,一般 压力容器 上的爆破片多长时间更换一次,有标准或者规范吗?谢谢查看更多 10个回答 . 2人已关注
23000方原油储罐的安全措施设计? 操作条件下( 45 ° C )密度为 0.898g /cm3 ,粘度 22.6mm 2 /s, 为甲B 类的火灾危险性的可燃液体,沸溢性液体, 容积为 23000m3 , 地上敷设, 罐直径 D=40.5m ,罐壁高 H=19m 。由于要 适应大容量和蒸汽压力的需要, 且对防水防尘要求不是十分严格,根据《 石油化工 企业设计防火规范》第 5.2.2 条规定(储存甲B 、乙A 类的液体,宜选用浮顶或浮舱式 内浮顶罐 ,不应选用浅盘式内浮顶罐),故选用的罐型为浮顶,这应该没有什么争议吧,呵呵!望各位大侠指点一下安全措施方面的设计啊,如 储罐地基和基础、储罐的强度设计、 浮顶储罐密封装置、 排水设计、 防腐蚀设计、防火防爆、防雷防静电、消防设计等。望各位不吝指教啊! 查看更多 5个回答 . 1人已关注
无脑的航煤加氢分馏塔该怎么调整?? 新人求助啊!!! 刚刚升为技术员,管理的是航煤加氢装置。最近出现见怪事,在调整精制航煤 分馏塔 的过程中,提高分馏塔的顶温,精制航煤的闪点没升高反而降了;而且稍降分馏塔顶温,分馏塔回流罐顶部出去的气体反而增多了。出现这种情况,我这个菜鸟实在是不知道怎么解释,还请知道的前辈们不吝指教啊。 小弟,实在万分感激!!! 查看更多 5个回答 . 2人已关注
电厂热工过程控制系统? 这本书不错,大家共同学习。 查看更多 2个回答 . 2人已关注
新建液化石油气储罐氮气置换? 新建 液化石油气储罐 投用过程中进行 氮气 置换的操作要求,罐内压力需要升高到多少,维持压力多长时间?置换合格的标准包括哪些? 查看更多 9个回答 . 1人已关注
气相色谱-质谱联用(GC-MS)操作? < align=center><B><FONT size=3><FONT face=宋体>气相色谱-质谱联用(GC-MS)<p></p></FONT></FONT></B></P> < ><FONT size=3><FONT face=宋体>   <p></p></FONT></FONT></P> < ><FONT size=3><FONT face=宋体>  一、实验目的 <p></p></FONT></FONT></P> < ><FONT size=3><FONT face=宋体> 1. 了解质谱检测器的基本组成及功能原理,学习质谱检测器的调谐方法; <p></p></FONT></FONT></P> < ><FONT size=3><FONT face=宋体> 2. 了解色谱工作站的基本功能,掌握利用气相色谱-质谱联用仪进行定性分析的基本操作。<p></p></FONT></FONT></P> < ><p><FONT face=宋体 size=3> </FONT></p></P> < ><FONT size=3><FONT face=宋体> 二、实验原理 <p></p></FONT></FONT></P> < ><FONT size=3><FONT face=宋体>气相色谱法(gas chromatography, GC)是一种应用非常广泛的分离手段,它是以惰性气体作为流动相的柱色谱法,其分离原理是基于样品中的组分在两相间分配上的差异。气相色谱法虽然可以将复杂混合物中的各个组分分离开,但其定性能力较差,通常只是利用组分的保留特性来定性,这在欲定性的组分完全未知或无法获得组分的标准样品时,对组分定性分析就十分困难了。随着质谱(mass spectrometry, MS)、 红外光谱 及核磁共振等定性分析手段的发展,目前主要采用在线的联用技术,即将色谱法与其它定性或结构分析手段直接联机,来解决色谱定性困难的问题。气相色谱-质谱联用(GC-MS)是最早实现商品化的色谱联用仪器。目前,小型台式GC-MS已成为很多实验室的常规配置。 <p></p></FONT></FONT></P> < ><p><FONT face=宋体 size=3> </FONT></p></P> < ><FONT size=3><FONT face=宋体> 1. 质谱仪的基本结构和功能 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> 质谱系统一般由真空系统、进样系统、离子源、质量分析器、检测器和计算机控制与数据处理系统(工作站)等部分组成。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> 质谱仪的离子源、质量分析器和检测器必须在高真空状态下工作,以减少本底的干扰,避免发生不必要的分子-离子反应。质谱仪的高真空系统一般由机械泵和扩散泵或涡轮分子泵串联组成。机械泵作为前级泵将真空抽到10-1-10-2Pa,然后由扩散泵或涡轮分子泵将真空度降至质谱仪工作需要的真空度10-4-10-5Pa。虽然涡轮分子泵可在十几分钟内将真空度降至工作范围,但一般仍然需要继续平衡2小时左右,充分排除真空体系内存在的诸如水分、空气等杂质以保证仪器工作正常。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> 气相色谱-质谱联用仪的进样系统由接口和气相色谱组成。接口的作用是使经气相色谱分离出的各组分依次进入质谱仪的离子源。接口一般应满足如下要求:(a)不破坏离子源的高真空,也不影响色谱分离的柱效;(b)使色谱分离后的组分尽可能多的进入离子源,流动相尽可能少进入离子源;(c)不改变色谱分离后各组分的组成和结构。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> 离子源的作用是将被分析的样品分子电离成带电的离子,并使这些离子在离子光学系统的作用下,汇聚成有一定几何形状和一定能量的离子束,然后进入质量分析器被分离。其性能直接影响质谱仪的灵敏度和分辨率。离子源的选择主要依据被分析物的热稳定性和电离的难易程度,以期得到分子离子峰。电子轰击电离源(EI)是气相色谱-质谱联用仪中最为常见的电离源,它要求被分析物能气化且气化时不分解。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> 质量分析器是质谱仪的核心,它将离子源产生的离子按质荷比(m/z)的不同,在空间位置、时间的先后或轨道的稳定与否进行分离,以得到按质荷比大小顺序排列的质谱图。以四极质量分析器(四极杆滤质器)为质量分析器的质谱仪称为四极杆质谱。它具有重量轻、体积小、造价低的特点,是目前台式气相色谱-质谱联用仪中最常用的质量分析器。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> 检测器的作用是将来自质量分析器的离子束进行放大并进行检测,电子倍增检测器是色谱-质谱联用仪中最常用的检测器。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> 计算机控制与数据处理系统(工作站)的功能是快速准确地采集和处理数据;监控质谱及色谱各单元的工作状态;对化合物进行自动的定性定量分析;按用户要求自动生成分析报告。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> 标准质谱图是在标准电离条件——70eV电子束轰击已知纯有机化合物得到的质谱图。在气相色谱-质谱联用仪中,进行组分定性的常用方法是标准谱库检索。即利用计算机将待分析组分(纯化合物)的质谱图与计算机内保存的已知化合物的标准质谱图按一定程序进行比较,将匹配度(相似度)最高的若干个化合物的名称、分子量、分子式、识别代号及匹配率等数据列出供用户参考。值得注意的是,匹配率最高的并不一定是最终确定的分析结果。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><p><FONT face=宋体 size=3> </FONT></p></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> 目前比较常用的通用质谱谱库包括美国国家科学技术研究所的NIST库、NIST/EPA(美国环保局)/NIH(美国卫生研究院)库和Wiley库,这些谱库收录的标准质谱图均在10万张以上。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><p><FONT face=宋体 size=3> </FONT></p></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> 2. 质谱仪的调谐 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> 为了得到好的质谱数据,在进行样品分析前应对质谱仪的参数进行优化,这个过程就是质谱仪的调谐。调谐中将设定离子源部件的电压;设定amu gain 和amu off值以得到正确的峰宽;设定电子倍增器(EM)电压保证适当的峰强度;设定质量轴保证正确的质量分配。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> 调谐包括自动调谐和手动调谐两类方式,自动调谐中包括自动调谐、标准谱图调谐、快速调谐等方式。如果分析结果将进行谱库检索,一般先进行自动调谐,然后进行标准谱图调谐以保证谱库检索的可靠性。<p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体>三、仪器和试剂 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> HP-6890plus气相色谱、HP-5973N质谱、He气源(99.999%)、 毛细管色谱柱 :HP-5MS (<st1:chmetcnv w:st="on" TCSC="0" NumberType="1" Negative="False" HasSpace="False" SourceValue="30" UnitName="m">30m</st1:chmetcnv>×<st1:chmetcnv w:st="on" TCSC="0" NumberType="1" Negative="False" HasSpace="False" SourceValue=".32" UnitName="mm">0.32mm</st1:chmetcnv>×0.25μm)、10.0μl 微量进样器 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> 甲苯、邻二甲苯和萘的混合物的苯溶液,浓度均为100ppm。<p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体>四、实验步骤 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> 1. 气相色谱-质谱联用仪的开启及调谐 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (1)检查质谱放空阀门是否关闭;毛细管柱是否接好。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (2)打开He钢瓶,调节输出压力为0.5Mpa。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (3)依次启动计算机、HP-6890plus气相色谱、HP-5973N质谱的电源。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (4)输入正确的密码后进入计算机桌面。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (5)左键双击桌面上的“化学工作站”图标,输入“用户名”和“密码”,进入“化学工作站”。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (6)左键单击“化学工作站”界面中“view”,再用左键单击其下拉菜单中的“Diagnostics/Vacuum Control”项,进入“Diagnostics/Vacuum Control(诊断与真空控制)”窗口。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (7)在Vacuum的下拉菜单中选择pump down开始抽真空;同时分别设定离子源和四极杆的温度为150 和230 。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (8)在View的下拉菜单中选择Manual Tune,进入调谐界面。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (9)在Tune的下拉菜单中选择Autotune,进入自动调谐状态。自动调谐通过后,在File的下拉菜单中选择Save Tune Values,以Atune.U为文件名,以Custom(*.U) 格式,点击Open钮将调谐文件保存在5973n的目录下。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (10)在Tune的下拉菜单中选择Standard Spectra Tune,进行标准谱图调谐。调谐完成后,在File的下拉菜单中选择Save Tune Values,以Stune.U为文件名,以Custom(*.U) 格式,点击Open钮将调谐文件保存在5973n的目录下。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (11)在View的下拉菜单中选择Instrument Control, 返回仪器控制界面。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> 2. 方法的输入设定 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (1)在Method的下拉菜单中选择Edit Entire Method进入方法编辑界面。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (2)对check method section to edit 和method to run 等界面中的选项都选中并点击OK按钮。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (3)在Inlet and Injection界面中,sample项选择GC; Injection source项选择Manual; Injection Location项选择front; 选中use MS,点击OK钮确定。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (4)在Instrument[Edit]界面中,点击Inlet图标。在Mode栏选择Split、Gas栏选择He,分流比1:20;选中Heater ℃,并在Setpoint 栏中输入气化室温度250,点击Apply钮确定输入的参数。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (5)单击Columns图标,在Mode栏选择Const Flow,Inlet栏选择Front,Detector栏选择MSD,Outlet psi栏选择Vacuum,Flow栏输入1.1ml/min。单击Apply确定输入的参数。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (6)单击Oven图标,选中On,将程序升温条件按下表输入: <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体>Oven Ramp ℃/min Next℃ Holdmin <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体>Initial 80 1.00 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> Ramp1 10.00 180 5.00 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> Ramp2 0 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> 单击Apply确定输入的参数。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (7)单击Detector图标,关闭所有GC检测器及气体,单击Apply确定。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (8)单击Aux图标,在Heater栏选中On, Type栏选中MSD, 温度按下表设置 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体>Ramps ℃/min Next ℃ Hold min <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体>Initial 280 0.00 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> Ramp1 0.00 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> 单击Apply确定输入的参数。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (9)单击OK,出现GC Real Time Plot界面,直接点击OK。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (10)出现MS Tune File界面,选择Stune.U作为调谐文件,单击OK。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (11)出现MS SIM/Scan Parameters界面,在EM Voltage栏输入0,Solvent Delay栏输入3.2(min),在Acq. Mode栏选择Scan, 单击OK。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (12)出现Select Reports 界面,选中Percent Report,单击OK。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (13)出现Percent Report Options界面,选中Screen,设定为屏幕输出方式,单击OK。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体>(14) 出现Save Method As界面,输入本方法的名称为Test.m,单击OK以保存方法。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><p><FONT face=宋体 size=3> </FONT></p></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> 3. 数据的采集 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (1)在Instrument Control界面中,单击绿箭头图标,出现Acquisition-Sample Information界面,分别输入Operator name、Data File Name(文件名)、Sample Name等栏的内容,单击Start Run,稍后出现进样的提示框。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (2)用微量进样器进1.0μl甲苯、邻二甲苯和萘的混合溶液,按下GC键盘上的Start键开始。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (3)出现“Override solvent delay ?”的提示时,单击No或不作任何选择。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (4)双击桌面上的Data Analysis图标,进入数据分析界面,在Files菜单中选择Take Snapshot(快照)可得到截至快照时刻的所有数据。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> 4. 数据分析 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (1)数据采集结束后,在Data Analysis界面中选择File/Load File,打开得到的谱图。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (2)在不同的谱峰上双击右键,可得到各峰的定性结果和结构式。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (3)选择Chromatography中的Integrate,对谱图积分。也可在调整了积分事件中的有关参数的设置后再积分。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (4)选择Spectrum 中的Select Library,出现Library Search Parameter 界面。在Library Name栏中输入Nist98.L,单击OK,确定进行用来检索的标准谱库。 <p></p></FONT></FONT></P> <P ><FONT size=3><FONT face=宋体> (5)选择Spectrum 中的Library Search Report,出现Library Search Report Options界面,在Style栏选择Summary,在Destination栏选择Screen或Printer可在屏幕上显示或大于检索结果报告。<p></p></FONT></FONT></P> <P ><p><FONT face=宋体 size=3> </FONT></p></P>查看更多 0个回答 . 3人已关注
探讨搪玻璃釜腐蚀后修补方法? 15M3衬 搪玻璃 釜腐蚀至金属层,腐蚀区域较大,大概在10CM2左右,该如何修补?(釜内使用介质100摄氏度左右,有腐蚀性) 一般搪玻璃层修补是弄到厂家,叫厂家的人直接修补,但是15M3的大家伙比较难弄,所以还是考虑自己动手修补比较方便。各位有没有修补腐蚀搪玻璃釜的经验,请赐教一二。 本人考虑了下,先用金属片焊好大洞,然后在金属修补处及四周边缘打磨,涂覆上防腐UC。表面防腐UC可以起到防腐左右,同事也可以修复金属的缝隙,防止焊缝处疏漏。 请各位发表宝贵意见! 查看更多 4个回答 . 5人已关注
催化氢化断裂硫醚键怎么防止pd/c中毒? 请教大家,我想用Pd/C催化氢化断掉硫醚键,但是又怕 催化剂 中毒,不知道怎样控制好一点?查看更多 2个回答 . 3人已关注
金属材料点蚀形核过程研究进展? 1 蚀孔形核过程理论 点蚀在形核之前有长达几个月甚至几年的孕育期。孕育期是从金属与溶液接触到点蚀开始的这段时间。孕育期阶段是一个亚稳态阶段,它包括亚稳孔形核一生长一亚稳孔转变为稳定蚀孔的过程。任何一个稳定蚀孔萌生前必然要经过亚稳阶段,稳定蚀孔的萌生是亚稳态小孔生长到一定程度的结果【3】。 Burstein C T等【4】认为,亚稳孔在表面形核主要取决于表而活性点的几何形状:较窄、较深的活性点在较低电位下或低Cl-浓度溶液中就能萌生出亚稳小孔,而较浅、开放度较大的活性点在较高电位下才能形成亚稳小孔。在不存在夹杂物的非晶态合金表面,亚稳小孔也能形核,形核率随电位升高而增大。 前人在探索和研究点蚀形成的过程中,提出了许多理论和模型,包括吸附理论、阴离子穿透和迁移理论、机械的化学模型、点蚀萌生的点缺陷模型、局部酸化理论、化学溶解理论、热力学理论、去钝化一再钝化理论等。这些理论大致可分为2类。 1)钝化膜破坏理论。该理论认为当腐蚀性离子在 不锈钢 钝化膜上吸附后,由于C1-半径小而穿过钝化膜,Cl-进人膜内后“污染了氧化膜”,产生了强烈的感应离子导电,于是膜在一定点上变得能够维持高的电流密度,并能使阳离子杂乱移动而活跃起来,当膜一溶液界面的电场达到某一临界值时,就发生点蚀。 2)吸附理论。该理论认为由于Cl-和氧的竞争吸附结果而造成点蚀。当金属上氧的吸附点被Cl-所代替时,形成可溶性金属一羟一氯络合物,钝化膜破坏点蚀就发生。如图1所示,M表示金属,在溶液中金属表面吸附的不是氧分子,而是由水形成的稳定 氧化物 离子。ZX-为氯的络合离子,当氯的络合物离子一旦取代稳定氧化物离子,该处吸附膜被破坏,点蚀发生。这一理论认为点蚀击破电位Eb是腐蚀性阴离子能够可逆地置换金属表面吸附层的电位。某一点大于Eb值,Cl-竞争吸附强,就发生点蚀。 Hoar【5,6】首次提出表面络合物模型:3个或4个Cl-同时吸附在氧化物晶格的阳离子周围,形成高能量的表面过渡络合物,这种络合物很容易进入溶液,导致钝化膜的减薄和破坏。 Chao C Y,Lin L F【7-9】和Maedonald D D【10-11】提出了点蚀发生的点缺陷模型(pnint defect model,PDM)。根据该模型,氧离于或者氧空位的迂移率是钝化膜生长的关键;另一方面,金属离子或者金属空位的扩散在金属溶解中起主要作用。钝化膜的破裂以及点蚀的彤核是由阴离子催化的阳离子空穴布金属/钝化膜界面累积的结果。侵蚀性阴离子(Cl-)首先在钝化膜表面的阳离子空穴处吸附,通过Schottky电子对反应,使阳离子离开钝化膜表面进入溶液,并引发亚稳态点蚀。由阴离子的吸附就导致在钝化膜/液界面处出现阳离子空位,最终阳离子空位穿透钝化膜并聚集在钝化膜/金属界面。如果空穴在钝化膜中的扩散速度大于钝化膜/金属界面阳离子的产生速度,则阳离子空位将会在此处浓缩,导致钝化膜的局部减薄,甚至是钝化膜脱离金属表面。—旦空位的半径大于临界尺寸,稳态点蚀就会很快形成。同时,Chao C Y等通过点缺陷模型分析了钝化体系的阻抗谱。认为在高颁时,膜/溶液界面反应是主导因素,而且在复杂的阻抗平面上可以观察到多个半弧;在低频时,钝化膜中点缺陷的传输是速率控制因素,可以观测到Warhurg扩散阻抗,这些预测通过Ni及304不锈钢在缓冲溶液中试验得到了很好的印证。 okada T【12】从统计力学的观点出发,对这种含卤素的过渡络含物狂膜表面出现点蚀的可能性进行了理论计算,并通过卤素离子与OH-在氧化物晶格阳离子周同的竞争吸附,预测了点蚀发生阶段非稳态噪声的出现。目前还没有证明卤素络合物存在的直接依椐,但是应用电子显微探针分析技术己经发现,在金属表面存在明显的C1ˉ聚集现象,Cl-直接参与了金属的溶解过程【13】。 Marcus P等【14】通过在纳米尺度观察钝化膜破坏和点蚀发生时内部晶粒发生的变化,认为点蚀过程中氧化膜晶粒边界的破坏有以下3种原因:1)氧化膜表层薄弱;2)金属空位的存在;3)金属一氧化膜表面的不均匀生长。分析了钝化膜破坏机制中Cl-的作用,认为电解液中存在Cl-时,它们与OH-在表面活性点产生竞争吸附,形成的M-Cl一或M(OH)-Cl-复合物与氧化物间的结合较弱,其转化到电解液中的激活能会降低。因此,局部溶解率增加,膜增长受到阻碍,从而导致钝化膜快速减薄,局部不耐蚀活性点去钝化过程加速。局部去钝化后,Cl-仍然会与OH-在金属表面产生竞争吸附。如果OH-浓度低,Cl-持续取代OH-,再钝化过程将受到阻碍。为了阻止金属再修复,要求局部较高的Clˉ浓度。该过程会导致在局部不耐蚀活性点选择性蚀孔形核,如图2所示。 研究表明,钢中非金属夹杂物是点蚀的主要诱发源。20世纪70-80年代,国外主要针对硫化物诱发点蚀的机理开展了研究。Wrang1en C【16】最先提出同一块钢中硫化物有活性与非活性之分,针对点蚀从夹杂物边界基体开始的现象,认为活性硫化物周同有硫的污染区,相对于硫化物及外围的钢基体为阳极,并优先于硫化物和周同的基体发生溶解。Smi-alowska S【17】认为金属基体/硫化物界面处的氧化膜有缺陷,当电位较高时,在溶液中Cl-的作用下钝化膜薄弱处首先破裂诱发点蚀,硫化物本身溶解释放出侵蚀性S2-使周l社l基体表面不可能再钝化。Eklund G【18】认为是硫化物首先溶解,释放出S2-,破坏了周同甚体表面的钝化朕,诱发点蚀。 林昌健等【19】采用电化学扫描隧道帚微镜研究了不锈钢点蚀发生的早期过程。结果表明,不锈钢在点蚀早期阶段,首先发生不稳定微点腐蚀,其表面形貌随着不稳定微点腐蚀的发生、消长而变化。不稳定微点腐蚀的几何尺寸约为10 nm,极化电位愈正,不锈钢钝化膜局部溶解破坏和微点腐蚀发生的倾向性愈大,不稳定的微点腐蚀在一定的条件下可发展为稳定点腐蚀。表面局部位置的化学反应(包括局部位置金属离子的水解、沉积、酸化等反应)加剧,当微点腐蚀发展到一定程度,即达到一定的几何微环境条件和化学微环境条件时,微点腐蚀就可能发展为宏观的点蚀破坏。陈学群、张春亚等【20】对4种有代表性的低碳钢的点蚀诱发敏感性进行了比较,发现夹杂物是钢中主要点蚀诱发源,紧靠夹杂物的钢基体处的钝化膜保护作用最弱,点蚀均从该处基体诱发。研究认为夹杂物诱发点蚀的共同机理是:钢表面在阳极极化条件下会形成钝化膜,钝化膜的连续性与完整性被非金属夹杂物在表面的暴露破坏。在夹杂物与钢基体界面处,铁原子的排列紊杂,处于高能状态,其热力学稳定性较差,离子化趋势强,该部位表面也是钝化膜最薄、保护最蒲弱的地方。侵蚀性阴离子如Cl-在夹杂物与钢基界面处吸附,如图3a所示。当电位极化到点蚀电位时,聚集的Cl-与氧化膜作用,形成铁的可溶性氯化物,表面膜局部溶解,钢基体表面局部活化。裸露铁原子在此电位下仍具有钝化倾向,对破坏的氧化膜有修复作用。钝化膜的破坏匀修复产生交替竞争。只要表面有活化作用,就会有部分铁溶解并产生水解酸化作用,使局部微点区域酸度增强,并将使夹杂物的边缘发生少量的溶解,形成某种溶解产物,如图3b中“Ⅹ”所示。当阳极极化电位继续升高达到点蚀电位时,Cl-对钝化膜的破坏及铁的离子化趋势更强,膜的修复已不可能,点蚀开始诱发。 晶界也是点腐蚀敏感的位置。对3RE60双相不锈钢点蚀研究表明【1】,在FeC3溶液(质置分数为1%)中浸泡,点蚀起源于相界并比在奥氏体一侧,这是由于合金元素铬、钼在两相中的分布是不均匀的,在铁素体相中较多,致使铁素体比奥氏体有较好的钝态稳定性。钝化膜的划伤或应力集中,甚至晶格缺陷(例知错位)也都可能是产生点蚀的起因。 Frankel C S等【21】提出了一个由通过膜盖的电压降控制亚稳小孔生长的模型,如图4所示。亚稳小孔上覆盖一层膜,膜上有许多微孔,这些微孔保证了孔内外物质的交换,电流流过微孔时必然会遇到较大阻力并产生欧姆电压降。通过膜盖的电压降在小孔生长期间保持为常数,这一电压降使小孔生长电流密度恒定。 在亚稳孔生长后期,膜由于应力或渗透压等原因而破裂,电压降突然消失,这时可观察到电流密度瞬问增大,但由于小孔内外溶液迅速混合,孔内不能维持溶解所需的足够高的浓度,小孔迅速饨化。 2 SECM/l在研究点蚀形核过程中的应用 SECM是20世纪80午代末由Brad A J的研究小组,借鉴扫描隧道显微镜(STM)的技术原理并结合超微电极布电化学研究中的特点,提出和发展起来的一种新型的扫描探针显微技术。SECM在溶液中可检测电流,也可以在微电极与样品之问施加电流,SECM分辨率介于 普通光学显微镜 与STM之问,是一种现场空问尚分辨的新电化学方法,有独特的化学灵敏性,其最大特点是可以在溶液体系中对研究系统进行实时、现场、三维空问观测凹。 SECM可用于各种金属样品表面点蚀的发生、发展以及点蚀坑形貌描述。Casillas N【23】SECM研究了Ti金属的点蚀萌生阶段。研究表明,点腐蚀的早期生长过程包括3个阶段,第l阶段是成核阶段,成核阶段非常快;第2阶段是亚稳态阶段,在亚稳态阶段,点腐蚀的扩散没有达到稳定状态,但在这一阶段点腐蚀生长,或者在这一阶段点腐蚀停止生长;第3阶段是稳态阶段。 ZhuY和Williams D E等【24-25】用SECM研究不锈钢的点蚀萌省。研究表明,当不锈钢在高电极电势下极化时,存在亚稳态点腐蚀。 Gonzalez-Garcia Y等【26-27】在开路条件下,用SECM研究了不锈钢点腐蚀的早期过程。SECM研究结果表明,当SECM探针扫描经过点腐蚀时,通过测量从腐蚀点析出的业饮离子观察到亚稳态点腐蚀。 3结语 研究金属材料的点蚀形核过程对于探索其腐蚀的本质原因,具有重大的理论意义和蚬实作用。因此,科学家们不断致力于其机理研究,提出了不同的模型。SECM的开发正日益被广泛应用于点蚀过程的研究,为探索点蚀的形核过程提供了一种新的有效手段。 查看更多 1个回答 . 4人已关注
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简介
职业:福建申远新材料有限公司 - 设备维修
学校:延安大学 - 化学与化工学院
地区:台湾省
个人简介:良好的健康状况和高度的身体训练,是有效的脑力劳动的重要条件。查看更多
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