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液泛主要原因？塔设备的液泛及原因：液泛开始时，塔的压降急剧上升，效率急剧下降。随后塔的操作遭到破坏。促成液泛的因素主要有以下两个: a.降液管内液体倒流回上层板由于塔板对上升的气流有阻力，下层板上方的压力比上层板上方的压力大，降液管内泡沫液高度所相当的静压头能够克服这一压力差时，液体才能往下流。当液体流量不变而气体流量加大，下层板与上层板间的压力差亦随着增加，降液管内的液面随之升高。若气体流量加大到使得降液管内的液体升高到堰顶，管内的液体便不仅不能往下流，反面开始倒流回上层板，板上便开始积液;加以操作时不断有液体从塔外送入，最后会使全塔充满液体。就形成了液泛。若气体流量一定而液体流量加大，液体通过降液管的阻力增加，以及板上液层加厚，使板上下的压力差加大，都会使降液管内液面升高，从而导致液泛。 b.过量液沫夹带到上层板气流夹带到上一层板的液沫，可使板上液层加厚，正常情况下，增加得并不明显。在一定液体流量之下，若气体流量增加到一定程度，液层的加厚便显著起来(板上液体量增多，气泡加多、加大)。气流通过加厚的液层所带出的液沫又进一步加多。这种过量液沫夹带使泡沫层顶与上一层板底的距离缩小，液沫夹带持续地有增无减，大液滴易直接喷射到上一层板，泡沫也可冒到上一层板，终至全塔被液体充满。以上两种促成液泛的原因中，比较常见的是过量液沫夹带。查看更多 10个回答 . 4人已关注

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aspen精馏塔RAD模块中物流问题？我用的是 aspen 9.0。今天在做熊杰明老师aspen8.4版本书关于RAD的例题上在最佳进料板，NQ曲线都与到的问题。附件是NQ曲线时候的文件 WARNING IN THE 'STREAM' PARAGRAPH WHICH BEGINS ON LINE 65 STREAM NAME: F COMPONENT MOLE FLOWS OF SUBSTREAM: 'MIXED' ARE NORMALIZED TO THE TOTAL MOLE FLOW VALUE. 不理解warning的意思查看更多 4个回答 . 1人已关注

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换热器接管大小问题？请问盖德上的朋友，换热器上接管大小是怎么算的，一般用一些专门的软件计算时，接管的大小一般多可以计算的，但是不知道它是怎么计算的。希望哪位朋友解释一下。查看更多 12个回答 . 2人已关注

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HG/T 2956.1-1982(1997) 硼镁矿石分析规则？ HG/T 2956.1-1982(1997) 硼镁矿石分析规则查看更多 0个回答 . 5人已关注

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刮板蒸发器循环量与蒸发量的关系是什么样的呢? 最近在设计中大胆使用了一回刮板降膜蒸发器，来处理一种流动性较好的沸点约230度左右的物质，我是采用一只蒸馏釜，一只刮板降膜蒸发器，一台循环泵，蒸发器的出气口与塔相连。快试车了，但是心里对循环量应当为多少没有太多把握，我的蒸发量是每小时200Kg，使用的是一平方的刮板。请使用过的朋友帮帮忙，看多少的循环量比较合适！查看更多 0个回答 . 2人已关注

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淤酸生产粉状磷酸-铵影响外观质量的因素分析及改进措施？淤酸生产粉状磷酸 -铵影响外观质量的因素分析及改进措施淤酸生产粉状磷酸一铵影响外观质量的因素分析及改进措施王瑞仙 (云天化国际化工股份有限公司三环分公司，云南昆明 6501 13) [摘要]针对三环分公司采用淤渣磷酸生产粉状磷酸一铵(PMAP)，产品外观质量不理想，粒度的均匀性和颜色差，结合三环分公司磷铵装置的生产情况，从原料、工艺指标、操作、设备选型等方面分析生产中影响外观质量的因素，并提出相应的改进措施。 [关键词]粉状磷酸一铵；淤渣磷酸；外观质量；影响因素；改进措施 [中图分类号]TQ 442．14 [文献标识码]A [文章编号]1007-6220(2008)04-0031一o3查看更多 0个回答 . 3人已关注

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讨论下蒸汽锅炉的蒸汽产量与煤耗量和水耗量的关系？ 简而言之就是锅炉的蒸汽产量于哪些因素有关系，望专家赐教！查看更多 0个回答 . 4人已关注

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焦化炉管注汽与注水的区别? 我们焦化装置以前一直是采用的炉管注汽，现在将炉管注汽改为了注水，请问这对生产有没有什么影响！查看更多 4个回答 . 2人已关注

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请问大家，aspen里面能不能进行溶剂比（萃取剂：进料） ...？ 麻烦大家了哈查看更多 5个回答 . 2人已关注

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节流装置法兰取压？节流装置法兰取压口采购时要求3/4“ 实际到货为1/2”，后续材料为甲供材料，取压短管为3/4”，截止阀为3/4“ 解决方案1：将法兰取压口扩孔到3/4“ 解决方案2：取压短管增加变径头3/4"-1/2". 这两种方案哪种好？规范有要求取压短管不能变径吗？查看更多 2个回答 . 1人已关注

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江苏液泉教你如何选用耐腐蚀化工泵？耐腐蚀化工泵根据市场的需求，现在关于化工泵的种类也是越来越多，其中值得关注的就是耐腐蚀化工泵。耐腐蚀化工泵的型号也非常多，其中包括FB型耐腐蚀性化工泵、AFB不锈钢耐腐蚀化工部、IHF 氟塑料化工泵、IH型不锈钢化工泵、CBQ化工磁力泵、FSB型氟塑料化工泵等。并且这些产品广泛的应用在城市给水、排水、化工、炼油、制药等行业。那么想要选用优质的耐腐蚀化工泵，江苏液泉泵阀制造有限公司提醒广大用户，必须注意以下几点内容。首先根据耐腐蚀化工泵的工作原理被分为三种化工泵，其中包括容积式泵、叶轮式泵、喷射式泵。容积式泵是指依据泵部件中的运动而使得工作容积可以有规律周期性的变大或者变小而吸排出液体，这样一来就使得工作部件挤压使得液体压力可以增加。又根据运动部件方式不同分为往复泵和回转泵；运动部件不同分成活塞泵、柱塞泵、叶片泵等。叶轮式泵就是依靠叶轮的带动作用使得高速回转后把机械能传递给输送的液体，这种泵根据流道和叶轮的结构被分为轴流泵、离心泵、旋涡泵、轴流泵。喷射式泵就是依据工作中流体产生了高速的射流而产生引射的流体，再通过动量的交换就是引射流体的能量增加的过程，并且按照驱动泵电机分为柴油机泵、电动泵和汽轮机泵。接下来依据耐腐蚀化工泵的特点，在泵体的选材方面也要值得注意，主要是因为耐腐蚀化工泵主要作业环境是在桶、瓶或者池等容器内进行腐蚀性液体的抽取工作，因此一般耐腐蚀化工泵的材料是PVC、氟塑料、不锈钢、玻璃纤维等。最后根据耐腐蚀化工泵的特点在选择时候一定要选择密封性好、稳定性高、外型美观，寿命长的产品。这样就可以在产品使用中避免经常维修，这样就保证产品提高效力的作用。综上所述，选择耐腐蚀化工泵的时候一定要多多了解产品的特性和使用环境，现在越来越多的工况都在使用耐腐蚀化工泵，而对于专门从事耐腐蚀化工泵研发制造的江苏液泉来说，该公司拥有自主研发的技术能力，所生产的耐腐蚀化工泵更加适用于高腐蚀性的工况环境，由于采用了创新技术，使得产品使用寿命更长，因此江苏液泉的耐腐蚀化工泵在市场上的表现更为突出。（文/SUNMEDIA）查看更多 0个回答 . 3人已关注

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请教个问题！？想用水重结晶苯酚：苯酚在65度以上时和水混溶，但在降温时，当并不能重结晶出来而是以水油两相存在，为什么会发生这样的事呢？ 请各位给解答下！！查看更多 5个回答 . 2人已关注

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太阳能级多晶硅制备技术与工艺？太阳能级多晶硅制备技术与工艺多晶硅是制备单晶硅和太阳能电池的原材料，是全球电子工业及光伏产业的基石。按照硅含量纯度可分为太阳能级硅(6 N )和电子级硅(11N)。过去太阳能电池的硅材料主要来自电子级硅的等外品以及单晶硅头尾料、锅底料等，年供应量很小。随着光伏产业的迅猛发展，太阳能电池对多晶硅的需求量迅速增长，预计到2008年太阳能级多晶硅的需求量◇ 冯瑞华马延灿姜山黄可中国科学院国家科学图书馆武汉分馆将超过电子级多晶硅。因此，世界各国都竞相开发低成本、低能耗的太阳能级多晶硅新制备技术与工艺，并趋向于把制备低纯度的太阳能级多晶硅工艺与制备高纯度的电子级多晶硅工艺区别开来，以进一步降低成本。本文将对太阳能级多晶硅的制备技术以及近年来涌现出的新技术与新工艺进行综述，以便为我国的太阳能级多晶硅产业提供一些参考。改良西门子法1955年，西门子公司成功开发了利用H，还原SiHCl 在硅芯发热体上沉积硅的工艺技术，并于l957年开始了工业规模的生产，这就是通常所说的西门子法。在西门子法工艺的基础上，通过增加还原尾气干法回收系统、SiC1 氢化工艺，实现了闭路循环，于是形成了改良西门子法一一闭环式SilC1 氢还原法。改良西门子法的生产流程是利用氯气和氢气合成H Cl(或外购HC1)，HC1和工业硅粉在一定的温度下合成SiH C1 ，然后对SiH C1 进行分离精馏提纯，提纯后的SiHCl 在氢还原炉内进行化学气相沉积反应得到高纯晶硅。改良西门子法包括五个主要环节：~SiHC1 合成、SiHCl 精馏提纯、SilC1 的氢还原、尾气的回收和SiC1 的氢化分离。该方法通过采用大型还原炉，降低了单位产品的能耗。通过采用SiCl 氢化和尾气干法回收工艺，明显降低了原辅材料的消耗。改良西门子法是目前生产多晶硅最为成熟、投资风险最小、最容易扩建的工艺，国内外现有的多晶硅厂大多维普资讯 http://www.cqvip.com - lnnt 震治采用此法生产太阳能级与电子级多晶产的使用。故该方法比较适合大规模另外，美国Hemlock公司将开设硅。所生产的多晶硅占当今世界生产生产太阳能级多晶硅。目前采用该方实验性颗粒硅生产线来降低硅的成总量的70％-80％。改良西门子法生产法生产颗粒状多晶硅的公司主要有：本，Helmlock公司计划在2010年将产多晶硅属高能耗的产业，其中电力成挪威可再生能源公司(REC)、德国瓦能提高至19 000t。MEMC公司则计本约占总成本的70％左右。克公司(Wacker)、美国HemLock和划在2010年底其产能达到7000t左右。硅烷热分解法 MEMC~ 等。 1956年，英国标准电讯实验所成挪威REC公司是世界上惟一一冶金法功研发出了硅烷(SiH )热分解制备家业务贯穿整个太阳能行业产业链的从1996年起，在日本新能源和产多晶硅的方法，即通常所说的硅烷法。公司，是世界上最大的太阳能级多晶业技术开发组织的支持下，日本川崎 1959年，日本的石冢研究所也同样成硅生产商。该公司利用硅烷气为原料，制铁公司(Kawasaki Stee1)开发出功地开发出了该方法。后来，美国联合采用流化床反应炉闭环工艺分解出颗了由冶金级硅生产太阳能级多晶硅的碳化物公司采用歧化法制备Sil ，并粒状多晶硅，且基本上不产生副产品方法。该方法采用了电子束和等离子综合上述工艺且加以改进，便诞生了和废弃物。这一特有专利技术使得冶金技术并结合了定向凝固方法，是生产多晶硅的新硅烷法。 REC在全球太阳能行业中处于独一世界上最早宣布成功生产出太阳能级硅烷法与改良西门子法接近，只无二的地位。REC还积极致力于新型多晶硅的冶金法(metaiiurgical 是中间产品不同，改良西门子法的中流化床反应器技术(FBR)的开发，该 method)。冶金法的主要工艺是：选择．间产品是SilC1 ，而硅烷法的中间产技术使多晶硅在流化床反应器中沉纯度较好的工业硅进行水平区熔单向品是SiH 。Sil 是以SiC1 氢化法、硅积，而不是在传统的热解沉积炉或西凝固成硅锭，除去硅锭中金属杂质聚合金分解法、氢化物还原法、硅的直接门子反应器中沉积，因而可极大地降集的部分和外表部分后，进行粗粉碎氢化法等方法来制取，然后将制得的低建厂投资和生产能耗。在过去几年与清洗，在等离子体融解炉中除去硼硅烷气提纯后在热分解炉中生产纯度中，REC进行了该技术的试产。2006 杂质，再进行第二次水平区熔单向凝较高的棒状多晶硅。日本小松公司曾年计划新建利用该技术生产太阳能级固成硅锭，之后除去第二次区熔硅锭采用过此技术，但由于发生过严重的多晶硅的工厂，预计2008年达产，产中金属杂质聚集的部分和外表部分，爆炸事故，后来就没有继续推广了。 fl~6500t。此外，REC／H积极开发流化经粗粉碎与清洗后，在电子束融解炉床多晶硅沉积技术(Fluidized bed 中除去磷和碳杂质，直接生成出太阳流化床法polysilicon deposition，预计2008年能级多晶硅。流化床法是美国联合碳化合物公用于试产)和改良的西门子一反应器挪威Elkem公司等对冶金法进行司早年研发的多晶硅制备工艺技术。技术(Modified Siemens-reactor 了改进，Elkem公司的冶金硅精炼工该方法是以SiC1 、H，、HCI和工业硅technology)。艺[1l为：Elkem硅金属一火冶冶金一为原料，在高温高压流化床内(沸腾德国瓦克公司开发了一套全新的水冶冶金一抛光一原料处理。美国道床)生成SiHCI ，将SiHCI 再进一步粒状多晶硅流体化反应器技术生产工康宁公司(Dow Corning)2006年投歧化加氢反应生成Sil，Cl，，继而生成艺。该工艺基于流化床技术(以三氯硅产了l000t利用冶金级硅制备太阳能硅烷气。制得的硅烷气通入加有小颗烷为给料)，已在两台实验反应堆中进级多晶硅的生产线，其投资成本低于粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热行了工业化规模生产试验，瓦克公司传统工艺一一改良西门子法的2／3。分解反应，生成粒状多晶硅产品。由于最近投资了约2亿欧元，在德国博格豪 2006年制备出了具有商业价值的在流化床反应炉内参与反应的硅表面森建立新的超纯太阳能多晶硅工厂， P V l l 0 l太阳能级多晶硅材料。积大，故该方法生产效率高、电耗低、年生产能力为2500t，加上其它扩建措PV1101太阳能级多晶硅材料是世界成本低。该方法的缺点是安全性较差，施，新工厂的投产将使瓦克公司在上第一个采用大规模制备技术生产出危险性较大，且产品的纯度也不高。不 2008年达到9000t的年生产能力，最终的多晶硅材料，是太阳能技术发展的过，它还是基本能满足太阳能电池生于2010年达到l1 500t的产能。一项重要里程碑。美国Crystal Sys— 维普资讯 http://www.cqvip.com terns公司采用热交换炉法(Heat Exchanger Method)提纯冶金级硅，制备出了200kg、边长为58cm的方形硅锭。主要工艺为：加热一熔化一晶体生长一退火一冷却循环，生产工艺全程由计算机程序控制。该工艺不仅可与各种太阳能电池生产工艺相兼容，而且可以提纯各种低质硅以及硅废料，使冶金级硅中难以提纯的B、P杂质降低到了一个理想的数值。汽一液沉积法汽一液沉积法或蒸汽一液体沉积法(vapor to liquid deposition， VLD)是全球第二大多晶硅制造商日本德山公司(Tokuyama)于1999年至 2005年间开发出的具有专利权的太阳能级多晶硅制备技术。主要工艺为：将反应器中石墨管的温度升高到1500 ℃，流体三氯氢硅和氢气从石墨管的上部注入，在石墨管内壁l500℃高温处反应生成液态硅，然后滴入底部，降温变成固体的太阳能级多晶硅。德山公司开发该技术的最初目标是“低成本”，即尽量从三氯硅烷中找到最大沉积率而不是追求纯度，据称其沉积速度大大高于制造半导体级多晶硅所达到的水平。利用VLD技术生产的多晶硅不是颗粒状，而是大的结晶块。目前，德山公司已经解决了与使用VLD法相关联的技术上的大部分难题。2005年，德山公司已建成200t／a的半商业性工厂，2008年将建立大型商业性产能达~6800t的工厂，至201 0年再小幅增长到7400t。区域熔化提纯法自1952年发表第一篇关于区域熔化原理的文献以来，到现在已过去了50多年。区熔法显著的特点是不用坩埚盛装熔融硅，而是在高频电磁场作用下依靠硅的表面张力和电磁力支撑局部熔化的硅液，因此区熔法又称为悬浮区熔法。区熔提纯的原理是：根据熔化的晶体在再结晶过程中因杂质在固相和液相中的浓度不同而达到提纯的目的。区域熔化提纯法的最大优点是其能源消耗比传统方法减少60％以上，最大的缺点是难以达到高纯度的电子级多晶硅的要求。目前，区域熔化提纯法是最有可能取代传统工艺的太阳能级多晶硅材料的生产方法。REC公司已在2006年新工厂中开始使用了区域熔化提纯法。无氯技术【 1 无氯技术(ChlO rine F ree Technology)是一种很有发展前途的太阳能级多晶硅制备技术，其原料为冶金基硅。工艺流程包括在催化剂作用下硅原料与C，H OH反应生成Si (OC，H ) H，反应温度为280℃ ，Si (OC，H ) H在催化剂作用下又分解为 Sil ~si(oc2H5) ，si(oc2H5) 解得到高纯siO，或硅溶胶，Sil 在850E～ 900℃的高温下热解生成多晶硅和氢气。该技术属于俄罗斯INTERSOLAR 中心和美国国家可再生能源实验室的专利技术。利用该工艺技术生产lkg 的多晶硅仅需要15—30kWh的能量，硅产量(多晶硅、主要副产品、硅溶胶)可达80％一90％。碳热还原反应法西门子公司先进的碳热还原工艺为：将高纯石英砂制团后用压块的炭黑在电弧炉中进行还原。炭黑是用热 HCl浸出过，使其纯度和氧化硅相当，因而其杂质含量得到了大幅度的降低。目前存在的主要问题还是碳的纯度得不到保障，炭黑的来源比较困难。碳热还原方法如果能采用较高纯度的木炭、焦煤和siO，作为原材料，那将非常有发展前景。碳热还原方法的重点研究方向包括：优化碳热过程、多晶硅维普资讯 http://www.cqvip.com l Ir。nt；er — 一～尉沿～提纯技术和中间复合物SIOUX：究。硅的卤化物从而得到了纯度比较高的标准生成自由能的负值较大，因而比荷兰能源研究中 L,(ERCN)正在太阳能级多晶硅。但到目前为止还没 SiI ~llSiI：要稳定得多，且很容易保持开发硅石碳热还原工艺【3j，使用高纯炭有实现工业化生产。为气相，从而在沉积区域不会被重新黑和高纯天然石英粉末作原材料，使原还原出来。材料的B、P杂质含量降到了1×10一级常压碘化学气相传输净化法以下，只是目前还处于实验室阶段。美国国家可再生能源实验室报结束语道了一种从冶金级硅中制造太阳能级改良西门子法、硅烷热分解法、流铝热还原法多晶硅的新方法——常压碘化学气相化床法既可用于太阳能级多晶硅的生铝热还原法主要利用CaO—SiO，传输净化法(atmospheric pressure 产，也可用于电子级多晶硅的生产，目液相助熔剂在1 600 E～1 700~C条件 iodine chemical vapor transport 前各生产厂家主要采用这三种技术工下，对石英砂进行铝热还原反应生成purification，APIVT)。首先，碘(I)与艺或其改进技术工艺。随着光伏产业对多晶硅和氧化铝。这种助熔剂一方面冶金级硅反应生成SiI ，高~ITSiI 进多晶硅需求的迅速增长，近来不断涌现可以溶解副产物氧化铝，NoCY．．-I@ 一步与冶金级硅反应生成SiI，。当原出多种专门用于太阳能级多晶硅生产为液一液萃取介质。一旦硅被释放出材料Si的温度约为1200~2、衬底温度的低成本新技术工艺，如冶金法、汽一液来，因与助熔剂不互融从而被分离开为1000E时，SiI，很容易分解，此时Si 沉积法、区域熔化提纯法、无氯技术、碳来。由于硅的密度较小，它将浮在上的沉积速率将大于5 m／min。再通热还原反应法、铝热还原法、以及常压层，经过一段时间后，将其灌人铸模中过以下几种途径可有效剔除冶金级硅碘化学气相传输净化法等。目前，太阳进行有控制的正常凝固，以便分离分中的杂质：1)当碘与冶金级硅初步反能级多晶硅制备技术与工艺主要掌握凝系数小的杂质。用这种新的、半连续应时，碘化物杂质的形成早于或迟于在美国、日本、德国以及挪威等国家的的工艺能得到比通常冶金级硅纯度高 SiI 的生成；2)SiI 的循环蒸馏提纯过几个主要生产厂商中，形成技术封锁和的硅。它具有较低的硼、碳含量，然后程将使蒸气压低于SiI 的金属碘化物垄断。我国的多晶硅生产厂家大多采用将其进行破碎、酸洗和液一气萃取H1。留在蒸馏塔的底部，~NTSiI 者则的是改良西门子技术工艺，为满足社会此外，采用高纯金属还原硅的卤到达蒸馏塔的顶部，巨大的蒸汽压差经济日益发展的需求，急需进一步扩大化物也是一条比较理想的途径。许多使它们易于分离开来；3)在Si从SiI：多晶硅生产的规模和加强低成本新技研究人员采用不向的高纯还原剂还原中沉积的过程中，多数金属碘化物的术与新工艺的研究。嗍参考文献 [1lPeter K．，Enebakk E．，Friestad K．，et a1．Investigation of multicrystaUine silicon solar cells from solar grade silicon feedstock．The 20th EUPVSEC·Barcelona，Spain 6-1 1，lu“。2O05· [21Strebkov D．S．，Pinov A．，Zadde V．V．，et a1．Chlorine Free Technolo~3z for Solar—Grade Silicon Manufacturing．National Renewable Ener~3z Laboratory．2004． [3]Geerli~s L．I．，Wyers G．P．，lensen R．，et a1．solar—grade silicon by a direct route based on carbothermic reduction of silica： requirements and production technolo~7．http：／／www．ecn．nl／docs／librarv／report／2002／rx02042．pclf 『41于站良，马文会，戴永年等．太阳能级硅制备新工艺研究进展．轻金属，2006(3)：43～47． [5lCiszek T．F．，Wang T．H．，PaK~e M．R．，et a1．Solar—Grade Silicon from Metallurgical-Grade Silicon Via Iodine Chemical Vapor Transport Purification．National R enewable Energy Laboratory．2002．一 ■ 新血斟产业NO．5 2007 维普资讯 http://www.cqvip.com 查看更多 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求助：天正建筑CAD6.5、7.0版本？各位朋友：求助一下，谁有好用的天正建筑CAD6.5或者7.0版本提供啊？急需呀。从网上找了很长时间，没有找到合适的，对了，我的AUTOCAD的版本是2004版本和2006版本（两台电脑），不知安装哪一个天正版本合适，谢谢了！查看更多 1个回答 . 3人已关注

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简介

职业：山东鑫淼化工有限公司 - 设备工程师

学校：泉州师范学院 - 化学与生命科学学院

地区：四川省

个人简介：攻克科学堡垒，就像打仗一样，总会有人牺牲，有人受伤，我要为科学而献身。查看更多

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