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如何用简易的方法定性地检查水中是否有金属阳离子的存在 ...?
如何用简易的方法定性地检查水中是否有金属阳离子的存在?
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HDPE耐氯离子腐蚀吗?
HDPE耐 氯离子 腐蚀吗?求指教
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在建的煤制天然气项目采用的项目管理模式是什么?
谁知道在建的各大型煤制天然气项目采用的项目管理模式是什么?不胜感激!
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哪家的真空管道质量比较好(赏)?
大家发表一下那家的真空管道质量比较好,特别是用于 液氧 !
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求助,翻译?
对于大直径的管道,我们可以取较大的流速. Higher flow rate can be used for larger diameter pipe.
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制氢预硫化?
制氢预硫化时如果循环气含有少量CO会有哪些问题?
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cs3000下装问题~急~?
对,我这里确实是v701的网卡 那请教如果是E网故障如何处理?
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调节汽阀全开不能关闭?
为了不影响单位的效益, 汽轮机 的调节汽阀不能关闭,本人认为通过蒸汽的总阀来实现汽轮机的正常开、停车,等待大检修更换调节汽阀。 请高人指点!
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合成氨过剩转型的问题?
做 硝酸 现在可不是很好做啊,黄龙怎么处理,有点难度; 三聚氰胺 现在上大装置的也较多,转型做 苯胺 倒还可以,煤制烯烃还可以尽快赶,不知这些现在技术怎么样啊
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aspen 求未知物(纯物质)的物化性质??
应用 aspen 模拟一个未知物(纯物质)的物化性质,如何来做那??我现在要做一下N'- 乙酰基 甲基 肼的物理化学性质,不知道应该选用什么样的物性方法那?
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一个计算过热蒸汽密度的小软件,精度比较高?
在对过热蒸汽流量进行计量时, 流量计 里面的密度参数通常需要自己设置,用这个小软件计算的密度还是比较准确的,我手算过。。。
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关于aspen中热泵精馏的问题?
各位大手,我们组正在做一个设计,这个精馏塔的作用是回收水中的甲醇。为了节省能量,使用了热泵精馏。我们首先用dstwu,和radfrac算出来了理论板数,及再沸器 冷凝器 等等情况,然后我们用了一个间接热泵精馏。其中用的 压缩机 和 节流阀 的设置条件我们是瞎设的,因为设计时间不太够了,所以也没怎么改,就直接贴上来了。aspen是7.2的,因为时间实在不够了,我们确实没怎么改,里面也有也可能有些比较低级错误希望大家见谅。
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硅料清洗杂谈?
硅料清洗杂谈 原生硅料清洗工艺要求 1 、 混酸腐蚀:氢氟酸和硝酸的比例为 1 : 5 ,根据硅料表面的粗糙程度设定腐蚀时间约为 50s ; 2 、 纯水漂洗:漂洗时间约为 30 s ; 3 、 氢氟酸腐蚀:根据硅块表面的粗糙程度,设定为 60s ; 4 、 纯水漂洗:设定时间约为 300s ; 5 、 超声波水洗:设定时间为 90s ; 6 、 氮气热吹:设定时间为 60s ; 7 、 真空烘干: 30min ; 注:氢氟酸和硝酸纯度要求为UP级。纯水电阻率为18MΩ。 硅棒上指纹的去除 硅棒上的指纹怎么去除,用酒精、丙酮都已经擦了,也弄不掉,请高手指点! 碱液清洗 指纹是由人体分泌的油脂通过手指留下。由于油脂的化学成分定,采用碱液配超声清洗,然后用纯水加超声清洗两遍就好了。至于碱液配方,可以采用氢氧化钠,氢氧化钾等配液。可以根据情况加缓蚀剂。 碱液 + 兆声波,可以添加一些 表面活性剂 。 锅底料用氢氟酸浸泡除去 硅不能和 HF 单独反映,硅首先和 HNO3 起反应生成 SIO2,SIO2 在与 HF 反应, 为甚麽埚底料用 HF 泡石英呢,就是 HF 只与 SIO2 起反应 。 HNO3 在里面起氧化剂,首先与 SI 起反应的。 回收料 : 单晶头尾料: 1. 打磨(尾料上的凸起部分需要打磨掉) 2. 碱洗(碱性法柏济 配比: 0.12kg +50kg 水 , 温度: 50 ℃ ,用百洁布擦洗) 3. 过酸( HF:H2O2 = 1:1 , 1 分钟) 4. 酸洗( HF:HNO3 = 1:8, 洗 2-3 分钟) 5. 过水(在溢流槽中过 1 分钟) 6. 超声( 20min) 7. 烘干( 2 小时) 8. 包装 以上工艺时间过长 菜花硅料 菜花多晶不能用混酸洗,用 HF 加纯水比例为百分子 10-20 ,泡 10-20 分钟,捞出后用纯水冲净,上超声波超 10 分钟即可,烘干要比其他料时间长一些,残留的 HF 易挥发,故就会挥发掉了,请试用,我全是这样用的,拉晶合格率为百分之 75 以上。 回炉硅块、边角料、 T 料中的杂质处理较难,常用的有三种方式: 1 喷砂、打磨 用机械方式清除可见杂质,但对于钳入较深的碳化硅有时不易处理,且耗损大。若硅表面粘有坩埚杂质的话打磨面也大。 2 酸洗 用硝酸与氢氟酸配对液酸洗的好处是可清洗肉眼难以看到的杂质,特别是各类金属,但浸泡时间掌握不好的话损耗也大。 3 碱洗 KOH 洗液浸泡只是针对表面脏污,温度和浓度控制要得当,对钳入式杂质作用不大。 RCA 标准清洗法 是 1965 年由 Kern 和 Puotinen 等人在 N.J.Princeton 的 RCA 实验室首创的,并由此而得名。 RCA 是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法,该清洗法主要包括以下几种清洗液。 ( 1 ) SPM : H2SO4 /H2O2 120 ~ 150 ℃ SPM 具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能把有机物氧化生成 CO 2 和 H2O 。用 SPM 清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。 ( 2 ) HF(DHF) : HF(DHF) 20 ~ 25 ℃ DHF 可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中,同时 DHF 抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的 Al , Fe , Zn , Ni 等金属, DHF 也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用 DHF 清洗时,在自然氧化膜被腐蚀掉时,硅片表面的硅几乎不被腐蚀。 ( 3 ) APM (SC-1 ): NH4OH/H2O2 /H2O 30 ~ 80 ℃ 由于 H2O2 的作用,硅片表面有一层自然氧化膜 (SiO2) ,呈亲水性,硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的 Si 被 NH 4OH 腐蚀,因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中,从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH 腐蚀硅片表面的同时, H2O 2 又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。 ( 4 ) HPM (SC-2) : HCl/H2O2/H2 O 65 ~ 85 ℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下 HPM 就能除去 Fe 和 Zn 。 清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污,因为有机物会遮盖部分硅片表面,从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除;然后溶解氧化膜,因为氧化层是 “ 沾污陷阱 ” ,也会引入外延缺陷;最后再去除颗粒、金属等沾污,同时使硅片表面钝化。 RCA 清洗法 自从 20 世纪 70 年代 RCA 清洗法问世之后,几十年来被世界各国广泛采用。它的基本步骤最初只包括碱性氧化和酸性氧化两步,但目前使用的 RCA 清洗大多包括四步,即先用含硫酸的酸性 过氧化氢 进行酸性氧化清洗,再用含胺的弱碱性过氧化氢进行碱性氧化清洗,接着用稀的氢氟酸溶液进行清洗,最后用含盐酸的酸性过氧化氢进行酸性氧化清洗,在每次清洗中间都要用超纯水( DI 水)进行漂洗,最后再用低沸点有机溶剂进行干燥。 RCA 清洗技术具体工艺大致如下: 第一步,使用的试剂为 SPM (是 Surfuric/Peroxide Mix 的简称), SPM 试剂又称为 SC-3 试剂(是 Standard Clean-3 的简称)。 SC-3 试剂是由 H2SO4-H2O2-H2O 组成(其中 H2SO4 与 H2O2 的体积比为 1 : 3 ),用 SC-3 试剂在 100~ 130 ℃ 温度下对硅片进行清洗是用于去除有机物的典型工艺。 第二步,使用的试剂为 APM (是 Ammonia/Peroxide Mix 和简称), APM 试剂又称 SC-1 试剂(是 Standard Clean-1 的简称)。 SC-1 试剂是由 NH4OH-H2O2-H2O 组成,三者的比例为( 1 : 1 : 5 ) ~ ( 1 : 2 : 7 ),清洗时的温度为 65~ 80 ℃ ; SC-1 试剂清洗的主要作用是碱性氧化,去除硅片上的颗粒,并可氧化及去除表面少量的有机物和 Au 、 Ag 、 Cu 、 Ni 、 Cd 、 Zn 、 Ca 、 Cr 等金属原子污染;温度控制在 80 ℃ 以下是为减少因氨和过氧化氢挥发造成的损失。 第三步,通常称为 DHF 工艺是采用氢氟酸( HF )或稀氢氟酸( DHF )清洗, HF : H2O 的体积比为 1 :( 2~10 ),处理温度在 20~ 25 ℃ 。是利用氢氟酸能够溶解 二氧化硅 的特性,把在上步清洗过程中生成的硅片表面氧化层去除,同时将吸附在氧化层上的微粒及金属去除。还有在去除氧化层的同时在硅晶圆表面形成硅氢键而使硅表面呈疏水性的作用(氢氟酸原液的浓度是 49% )。 第四步,使用的是 HPM 试剂( HPM 是 Hydrochloric/Peroxide Mix 的简称), HPM 试剂又称 SC-2 试剂。 SC-2 试剂由 HCL-H2O2-H2O 组成(三种物质的比例由 1 : 1 : 6 到 1 : 2 : 8 ),清洗时的温度控制在 65~ 80 ℃ 。它的主要作用是酸性氧化,能溶解多种不被氨络合的金属离子,以及不溶解于氨水、但可溶解在盐酸中的 Al ( OH ) 3 、 Fe ( OH ) 3 、 Mg ( OH ) 2 和 Zn ( OH ) 2 等物质,所以对 Al3+ 、 Fe3+ 、 Mg2+ 、 Zn2+ 等离子的去除有较好效果。温度控制在 80 ℃ 以下是为减少因盐酸和过氧化氢挥发造成的损失。 传统的 RCA 清洗技术 :所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统 清洗工序: SC-1 → DHF → SC-2 1. SC-1 清洗去除颗粒: ⑴ 目的:主要是去除颗粒沾污(粒子)也能去除部分金属杂质。 ⑵ 去除颗粒的原理: 硅片表面由于 H2O2 氧化作用生成氧化膜(约 6nm 呈亲水性),该氧化膜又被 NH4OH 腐蚀,腐蚀后立即又发生氧化,氧化和腐蚀反复进行,因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。 ① 自然氧化膜约 0.6nm 厚,其与 NH4OH 、 H2O2 浓度及清洗液温度无关。 ② SiO2 的腐蚀速度,随 NH4OH 的浓度升高而加快,其与 H2O2 的浓度无关。 ③ Si 的腐蚀速度,随 NH4OH 的浓度升高而快,当到达某一浓度后为一定值, H2O2 浓度越高这一值越小。 ④ NH4OH 促进腐蚀, H2O2 阻碍腐蚀。 ⑤ 若 H2O2 的浓度一定, NH4OH 浓度越低,颗粒去除率也越低,如果同时降低 H2O2 浓度 , 可抑制颗粒的去除率的下降。 ⑥ 随着清洗洗液温度升高,颗粒去除率也提高,在一定温度下可达最大值。 ⑦ 颗粒去除率与硅片表面腐蚀量有关,为确保颗粒的去除要有一 定量以上的腐蚀。 ⑧ 超声波清洗时,由于空洞现象,只能去除 ≥ 0.4 μm 颗粒。兆声清洗时,由于 0.8Mhz 的加速度作用,能去除 ≥ 0.2 μm 颗粒,即使液温下降到 40 ℃ 也能得到与 80 ℃ 超声清洗去除颗粒的效果,而且又可避免超声洗晶片产生损伤。 ⑨ 在清洗液中,硅表面为负电位,有些颗粒也为负电位,由于两者的电的排斥力作用,可防止粒子向晶片表面吸附,但也有部分粒子表面是正电位,由于两者电的吸引力作用,粒子易向晶片表面吸附。 ⑶ . 去除金属杂质的原理: ① 由于硅表面的氧化和腐蚀作用,硅片表面的金属杂质,将随腐蚀层而进入清洗液中,并随去离子水的冲洗而被排除。 ② 由于清洗液中存在氧化膜或清洗时发生氧化反应,生成氧化物的自由能的绝对值大的金属容易附着在氧化膜上如: Al 、 Fe 、 Zn 等便易附着在自然氧化膜上。而 Ni 、 Cu 则不易附着。 ③ Fe 、 Zn 、 Ni 、 Cu 的氢氧化物在高 PH 值清洗液中是不可溶的,有时会附着在自然氧化膜上。 ④ 实验结果: a. 据报道如表面 Fe 浓度分别是 1011 、 1012 、 1013 原子 /cm2 三种硅片放在 SC-1 液中清洗后,三种硅片 Fe 浓度均变成 1010 原子 /cm2 。若放进被 Fe 污染的 SC-1 清洗液中清洗后,结果浓度均变成 1013/cm2 。 b. 用 Fe 浓度为 1ppb 的 SC-1 液,不断变化温度,清洗后硅片表面的 Fe 浓度随清洗时间延长而升高。 对应于某温度洗 1000 秒后, Fe 浓度可上升到恒定值达 1012~4×1012 原子 /cm2 。将表面 Fe 浓度为 1012 原子 /cm2 硅片,放在浓度为 1ppb 的 SC-1 液中清洗,表面 Fe 浓度随清洗时间延长而下降,对应于某一温度的 SC-1 液洗 1000 秒后,可下降到恒定值达 4×1010~6×1010 原子 /cm2 。这一浓度值随清洗温度的升高而升高。 从上述实验数据表明:硅表面的金属浓度是与 SC-1 清洗液中的金属浓度相对应。晶片表面的金属的脱附与吸附是同时进行的。 即在清洗时,硅片表面的金属吸附与脱附速度差随时间的变化到达到一恒定值。 以上实验结果表明:清洗后硅表面的金属浓度取决于清洗液中的金属浓度。其吸附速度与清洗液中的金属络合离子的形态无关。 c. 用 Ni 浓度为 100ppb 的 SC-1 清洗液,不断变化液温,硅片表面的 Ni 浓度在短时间内到达一恒定值、即达 1012~3×1012 原子 /cm2 。这一数值与上述 Fe 浓度 1ppb 的 SC-1 液清洗后表面 Fe 浓度相同。 这表明 Ni 脱附速度大,在短时间内脱附和吸附就达到平衡。 ⑤ 清洗时,硅表面的金属的脱附速度与吸附速度因各金属元素的不同而不同。特别是对 Al 、 Fe 、 Zn 。若清洗液中这些元素浓度不是非常低的话,清洗后的硅片表面的金属浓度便不能下降。对此,在选用化学试剂时,按要求特别要选用金属浓度低的超纯化学试剂。 例如使用美国 Ashland 试剂,其 CR-MB 级的金属离子浓度一般是: H2O2 < 10ppb 、 HCL < 10ppb 、 NH4OH < 10ppb 、 H2SO4 < 10ppb ⑥ 清洗液温度越高,晶片表面的金属浓度就越高。若使用兆声波清洗可使温度下降,有利去除金属沾污。 ⑦ 去除有机物。 由于 H2O2 的氧化作用,晶片表面的有机物被分解成 CO2 、 H2O 而被去除。 ⑧ 微粗糙度。 晶片表面 Ra 与清洗液的 NH4OH 组成比有关,组成比例越大,其 Ra 变大。 Ra 为 0.2nm 的晶片 , 在 NH4OH: H2O2: H2O =1:1:5 的 SC-1 液清洗后, Ra 可增大至 0.5nm 。为控制晶片表面 Ra ,有必要降低 NH4OH 的组成比,例用 0.5:1:5 ⑨ COP (晶体的原生粒子缺陷)。 对 CZ 硅片经反复清洗后,经测定每次清洗后硅片表面的颗粒 ≥2 μm 的颗粒会增加,但对外延晶片,即使反复清洗也不会使 ≥0.2 μm 颗粒增加。据近几年实验表明,以前认为增加的粒子其实是由腐蚀作用而形成的小坑。在进行颗粒测量时误将小坑也作粒子计入。 小坑的形成是由单晶缺陷引起,因此称这类粒子为 COP (晶体的原生粒子缺陷)。 据介绍直径 200 mm 硅片按 SEMI 要求: 256 兆 ≥ 0.13 μm ,< 10 个 / 片,相当 COP 约 40 个。 常温下,虽然 HF 不能溶解硅,但它能溶解二氧化硅,生成能溶解于水的 络合物 六氟硅酸。 碱性过氧化氢溶液 — 去离子水 — 酸性过氧化氢 — 去离子水,并结合超声( 经典途径 )
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高压电机前后轴温度高?
车间共有五台 螺杆式冷水机组 ,其电机均为YKK500-2型高压 三相异步电动机 ,其中两台功率为600KW,三台功率为630KW。 该型号电机前后轴均使用端盖式球面滑动轴承,润滑方式均采用油环自润滑。 机组设置前后轴报警温度为85℃,停机温度为90℃。 目前有外接风扇进行散热的情况下,电机前后轴温度勉强在83~87℃之间。 现在气温高、生产负荷大,电机存在的这个隐患让我十分苦恼。 所以想请教一下各位,有什么好的方 法能 够有效降低轴承温度?
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煤制氢造气的污水处理?
我们准备上10000Nm3/h的煤制氢 生产装置 ,折合合成氨大约是年产4万吨,在此请教一下各位方家、同仁煤制氢造气废水处理的问题: 1、造气循环水能否实现完全闭合循环,不排一点水?之前有业内人士称不但不排水,反而还要往里补水,这个说法准确否? 2、脱硫废水能否实现完全闭合循环? 3、如果需要排水的话,是连续性的,还是间歇性的? 4、根据我们的装置规模,需要外排的水量大约多大?水质情况如何?主要有什么杂质?大约含量多少? 5、外排的煤造气废水如何进行废水处理然后达标排放?业内一般的做法是什么?有没有专业处理造气废水的环保公司? 6、若水量不大,可否用 活性碳 吸附处理,然后将废 活性炭 放在三废混燃炉内燃烧? 以上几个问题,烦请各位专家、行家不吝赐教,把自己的经验贡献出来,非常感谢!
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气压机组跑润滑油问题?
我厂的 气压机 组( 单级进汽—凝汽式透平) 在停机检查时,对 润滑油 进行了体外循环,再次开机后发现润滑油缺失的多,请教各盖德跑油的原因? 1、润滑油管路有漏点。如果是漏点大的话可能会损失的多,快。经过检查未发现漏点。 2、油冷器漏,经检查分析水中未带油。 3、 压缩机组 处轴封间隙过大,润滑油带入机组系统中,不知道这点怎么检查、判断? 自己分析的可能不全,请大家支招。
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京津冀防治大气污染明确时间表 加速火电脱硫脱硝?
本文由 盖德化工论坛转载自互联网 今年9月,《京津冀及周边地区落实大气污染防治行动计划实施细则》已颁布一周年。一年来,京津冀六省区市建立了协作机制,共同治理大气污染,区域空气质量明显改善。但由于历史欠账多、包袱重,京津冀大气污染治理形势依然严峻。 为此,环保部近日印发了《京津冀及周边地区重点行业大气污染限期治理方案》,要求京津冀及周边地区四大行业492家企业、777条生产线或机组于2015年全部完成整改并达标,主要大气污染物排放总量较2013年下降30%。 欠账多 包袱重 治理难 众所周知,京津冀及周边地区由于重工业较多、结构性污染突出等问题,已经成为全国大气污染最严重的区域。 为此,2013年9月,继国务院颁布《大气污染防治行动计划》后,环保部等6部委联合颁布了《京津冀及周边地区落实大气污染防治行动计划实施细则》,启动了由北京市牵头的六省区市协作机制,共同治理大气污染。 经过一年的协同治理,京津冀及周边地区大气污染强度有所降低。据环保部统计,今年上半年,74个城市总体空气质量有所改善,平均达标天数比例由58.7%上升为60.3%。其中,京津冀区域空气质量明显改善,13个城市达标天数比例提高3.2个百分点,空气重污染发生的频次、持续的时间和污染的强度同比均明显降低。 然而,由于京津冀及周边地区历史欠账多、包袱重,大气污染治理情况仍不容乐观,空气质量反复比较明显,甚至成了一种常态。从7月份单月来看,京津冀区域13个城市平均达标天数比例由48.6%下降到42.6%,空气质量有所下降。 中科院生态环境中心研究员贺泓在接受《中国联合商报》记者采访时表示,大气污染不限于“一城一池”,其治理也并非“一朝一夕”,仅一年时间,还远远不是谈成绩的时候。不少地方环保欠账太多,就像病人身体透支过度一样,难以一下子恢复健康。 国务院发展研究中心国际技术经济研究所特聘研究员徐基仁认为,当前治霾形势严峻的一个突出现象是,“环境承载”与“污染排放”失衡。只追求对“环境承载”的资源供给,不对“污染排放”的消费进行管控,是头疼医头。他告诉《中国联合商报》记者,“启动经济手段治理大气污染,已到必要时刻。” 实际上,针对京津冀地区的大气污染状况,北京、天津今年1月和7月先后大幅提高了二 氧化硫 、 氮氧化物 、化学需氧量和氨氮四项主要污染物的收费标准。 不过,据北京市环境监察总队总队长仲崇磊介绍,其在执法过程中发现,北京有企业对排污数据进行造假,如在污水采样中灌入自来水、断电阻止超标数据上传等,还有的企业请专业技术人员对自动监测的校准软件做手脚,修改斜率或设定限制,以实现数据传输达标。更有甚至,有的企业阻挠执法或与执法人员打“游击战”,令治理效果大打折扣。 对此,专家认为,整治环保顽疾,环境执法亟待出重拳,联合防控需要动真格,考核地方政府要有约束性的环境质量指标,经济增长方式必须转变。 出重拳 定路线 谋支撑 针对京津冀及周边地区大气污染防治依然严峻的形势,环保部近日印发了《京津冀及周边地区重点行业大气污染限期治理方案》,要求京津冀及周边地区四大行业492家企业、777条生产线或机组于2015年全部完成整改并达标,主要大气污染物排放总量较2013年下降30%。 据记者了解,此次整改重点集中在电力、钢铁、水泥、平板玻璃四大行业,涉及大唐发电、中国石化、中国石油、首钢股份、河北钢铁等多家A股上市公司。 京津冀及周边地区的 工业布 局一直是引起高污染的“老大难”问题,鉴于此,此次《方案》要求整改力度大、时间短,整改计划具体到四大行业企业的生产线或机组。具体来说,一是加快火电企业脱硫脱硝除尘改造,二是抓紧钢铁企业脱硫除尘设施建设,三是加大水泥企业脱硝除尘改造力度,四是推进平板玻璃企业大气污染综合治理,五是加强环保监控设施建设。 然而,值得注意的是,京津冀协同发展向来面临众多的利益博弈,周边地区的污染治理和生态环境调整必将影响地区的税收财政。对此,北京大学经济学院曹和平教授对《中国联合商报》记者表示,经济活动治理和减排过程并非“零GDP”活动,污染治理对于生产设施的高效化改造也属于产业创造,排污改造也能增加GDP。 同时,曹和平强调指出,环境规划治理实际上还有很大的探索空间,仅重视对生产者的治理是不够的,需要政府部门探索更为精确和均衡的环境治理模式。 据悉,京津冀及周边地区大气污染防治专家委员会日前正式成立。专家委员会聘请中国工程院院士、北京大学环境学院唐孝炎教授为专家委员会顾问,中国工程院院士、清华大学环境学院郝吉明教授为专家委员会主任。专家委员会由成因与转化规律、遥感与大气监测、污染防治技术、能源与环境经济等研究方向的专家共30人组成。 其主要任务是:确定区域大气污染防治研究方向;指导编制区域大气污染防治规划,组织开展区域大气污染成因溯源、传输转化、来源解析等基础性研究;筛选推荐先进适用的、工程化的大气污染治理技术;提出大气污染治理的指导性建议等,为区域大气污染治理提供科技支撑。
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MTBE工艺中醇烯比等气液混合物组分分析实验室色谱法(进 ...?
请问大家还有相关经验吗?
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什么叫分程控制啊?
分程控制系统就是一个 控制器 的输出信号被送往两个或两个以上的 控制阀 ,每个控制阀都只在控制器的某段信号范围内工作。 分程控制系统的应用场合主要有: (1) 用于扩大控制阀的可调范围,改善控制品质; (2) 用于控制两种不同的介质流量,以满足工艺生产的要求, (3) 用作生产安全的防护措施。
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焦炭现货延续弱势?
本文由 盖德化工论坛 转载自互联网 焦炭 市场整体维稳,淄博地区价格下调,市场成交不畅。港口库存:天津港270万吨增7万吨;连云港38万吨减4万吨;日照港31万吨增3.1万吨。具体调整如下:淄博地区焦炭价格小幅下跌,现二级焦A<13.5S<0.8Mt8Csr53出厂含税价1050-1090元/吨。国内主流焦炭价格参考行情如下:山西地区焦炭市场现二级主流价格为840-900元/吨,准一级950-1000元/吨,均为出厂含税价,一级车板含税价1050-1100元/吨;河北邯郸地区二级 冶金焦 990-1010元/吨,邢台准一级1040-1050元/吨,唐山二级焦炭1100-1130元/吨,准一级1140-1180元/吨,均为到厂含税价;华东地区焦炭市场现二级1020-1050元/吨,准一级1100-1150元/吨,均为出厂含税价;河南焦炭市场现主流报价二级1030-1050元/吨,平顶山地区准一级1080-1100元/吨,以上均为出厂含税价;东北地区焦炭市场现主流二级1130元/吨;准一级1170元/吨;以上均为到厂含税价。 上周焦炭现货延续弱势,天津港库存已经达到270万吨,四月初还存下行风险。焦炭1409:1235空,止损1250。
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