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一个老问题：产物不以晶体析出而呈粘液怎么办? < >本人合成的一个产品核苷酸钠盐，溶于水。向其水溶液加乙醇本应该析出晶体，但得到的却总是瓶底的粘稠液体而不是固体。试过几种溶剂（乙酸乙酯、二氯乙烷、石油醚）先洗涤水溶液，然后加乙醇，还是没有效果。 < >哪位大虾能给我指点迷津？多谢了。 < >（我在索引栏目搜索没有找到相关问题） < > [此贴子已经被作者于2006-10-20 14:05:51编辑过] 查看更多 3个回答 . 3人已关注

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调查一下：减压塔转油线有采用弹簧吊架的吗? 我们常见的减压塔转油线支吊架通常采用滚动支架来克服转油线的轴向和径向位移，但是却看到一个案例，是台湾富台设计院设计的：减压塔转油线支吊架一个用固定支架（炉侧），一个用弹簧吊架（塔侧）。试问大家：你们的减压塔转油线支撑有采用这种形式的吗？查看更多 11个回答 . 3人已关注

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安全阀设定压力超压？规范说安全阀的设定压力应不大于被保护设备的设计压力；“ 对于一台设备的设计压力为0.7MPa(G),该设备上的安全阀设定压力为0.7MPa(G)”。 1）减去管道阻力降，也就是说要当设备的实际压力超过0.7MPa(G)时，安全阀才能起跳，这样设备不是很危险嘛？ 2）安全阀的“泄放压力=设定压力+超压”，也就是说安全阀全开时，其入口的压力是大于其设定压力的，如果管道的设计压力为0.7MPa(G)，那么管道不是很危险么？请求帮助理解1 查看更多 5个回答 . 2人已关注

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测总磷时影响因素？ 工业循环冷却水在用钼蓝比色法测总磷时候，如果在电热板上加热时间过长以至于浓缩倍数过高，会引起正偏差还是负偏差？查看更多 4个回答 . 4人已关注

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氯碱化工行业劳保用品配备标准？ 小弟新进入氯碱化工行业，从事安全，请问有没有劳保用品配备标准，谁有的话发给我参考一下。谢谢！ # + + 。查看更多 0个回答 . 4人已关注

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半导体硅片的化学清洗技术？半导体硅片的化学清洗技术一. 硅片的化学清洗工艺原理　　硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：　　A. 有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。　　B. 颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm颗粒，利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm颗粒。　　C. 金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类：　　a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。　　b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污。　　a. 使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。　　b. 用无害的小直径强正离子（如H+）来替代吸附在硅片表面的金属离子，使之溶解于清洗液中。　　c. 用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。　　自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如： ⑴ 美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术。 ⑵ 美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术。 ⑶ 美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfinger Mach2清洗系统）。 ⑷ 美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304 DSS清洗系统）。 ⑸ 日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平。 ⑹ 以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。　　目前常用H2O2作强氧化剂，选用HCL作为H+的来源用于清除金属离子。　　SC-1是H2O2和NH4OH的碱性溶液，通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解作用，使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被排除。　　由于溶液具有强氧化性和络合性，能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等使其变成高价离子，然后进一步与碱作用，生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。　　为此用SC-1液清洗抛光片既能去除有机沾污，亦能去除某些金属沾污。　　SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液，它具有极强的氧化性和络合性，能与氧以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。　　在使用SC-1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的效果。二. RCA清洗技术　　传统的RCA清洗技术：所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统　　清洗工序： SC-1 → DHF → SC-2 　　1. SC-1清洗去除颗粒： ⑴ 目的：主要是去除颗粒沾污（粒子）也能去除部分金属杂质。 ⑵ 去除颗粒的原理：　　硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。 ① 自然氧化膜约0.6nm厚，其与NH4OH、H2O2浓度及清洗液温度无关。 ② SiO2的腐蚀速度，随NH4OH的浓度升高而加快，其与H2O2的浓度无关。 ③ Si的腐蚀速度，随NH4OH的浓度升高而快，当到达某一浓度后为一定值，H2O2浓度越高这一值越小。 ④ NH4OH促进腐蚀，H2O2阻碍腐蚀。 ⑤ 若H2O2的浓度一定，NH4OH浓度越低，颗粒去除率也越低，如果同时降低H2O2浓度,可抑制颗粒的去除率的下降。 ⑥ 随着清洗洗液温度升高，颗粒去除率也提高，在一定温度下可达最大值。 ⑦ 颗粒去除率与硅片表面腐蚀量有关，为确保颗粒的去除要有一定量以上的腐蚀。 ⑧ 超声波清洗时，由于空洞现象，只能去除 ≥ 0.4 μm 颗粒。兆声清洗时，由于0.8Mhz的加速度作用，能去除 ≥ 0.2 μm 颗粒，即使液温下降到40℃也能得到与80℃超声清洗去除颗粒的效果，而且又可避免超声洗晶片产生损伤。 ⑨ 在清洗液中，硅表面为负电位，有些颗粒也为负电位，由于两者的电的排斥力作用，可防止粒子向晶片表面吸附，但也有部分粒子表面是正电位，由于两者电的吸引力作用，粒子易向晶片表面吸附。　　⑶. 去除金属杂质的原理： ① 由于硅表面的氧化和腐蚀作用，硅片表面的金属杂质，将随腐蚀层而进入清洗液中，并随去离子水的冲洗而被排除。 ② 由于清洗液中存在氧化膜或清洗时发生氧化反应，生成氧化物的自由能的绝对值大的金属容易附着在氧化膜上如：Al、Fe、Zn等便易附着在自然氧化膜上。而Ni、Cu则不易附着。 ③ Fe、Zn、Ni、Cu的氢氧化物在高PH值清洗液中是不可溶的，有时会附着在自然氧化膜上。 ④ 实验结果： a. 据报道如表面Fe浓度分别是1011、1012、1013 原子/cm2三种硅片放在SC-1液中清洗后，三种硅片Fe浓度均变成1010 原子/cm2。若放进被Fe污染的SC-1清洗液中清洗后，结果浓度均变成1013/cm2。 b. 用Fe浓度为1ppb的SC-1液，不断变化温度，清洗后硅片表面的Fe浓度随清洗时间延长而升高。　　对应于某温度洗1000秒后，Fe浓度可上升到恒定值达1012~4×1012 原子/cm2。将表面Fe浓度为1012 原子/cm2硅片，放在浓度为1ppb的SC-1液中清洗，表面Fe浓度随清洗时间延长而下降，对应于某一温度的SC-1液洗1000秒后，可下降到恒定值达4×1010~6×1010 原子/cm2。这一浓度值随清洗温度的升高而升高。　　从上述实验数据表明：硅表面的金属浓度是与SC-1清洗液中的金属浓度相对应。晶片表面的金属的脱附与吸附是同时进行的。　　即在清洗时，硅片表面的金属吸附与脱附速度差随时间的变化到达到一恒定值。　　以上实验结果表明：清洗后硅表面的金属浓度取决于清洗液中的金属浓度。其吸附速度与清洗液中的金属络合离子的形态无关。 c. 用Ni浓度为100ppb的SC-1清洗液，不断变化液温，硅片表面的Ni浓度在短时间内到达一恒定值、即达1012~3×1012原子/cm2。这一数值与上述Fe浓度1ppb的SC-1液清洗后表面Fe浓度相同。　　这表明Ni脱附速度大，在短时间内脱附和吸附就达到平衡。 ⑤ 清洗时，硅表面的金属的脱附速度与吸附速度因各金属元素的不同而不同。特别是对Al、Fe、Zn。若清洗液中这些元素浓度不是非常低的话，清洗后的硅片表面的金属浓度便不能下降。对此，在选用化学试剂时，按要求特别要选用金属浓度低的超纯化学试剂。例如使用美国Ashland试剂，其CR-MB级的金属离子浓度一般是：H2O2 ＜10ppb 、HCL ＜10ppb、NH4OH ＜10ppb、H2SO4＜10ppb ⑥ 清洗液温度越高，晶片表面的金属浓度就越高。若使用兆声波清洗可使温度下降，有利去除金属沾污。 ⑦ 去除有机物。由于H2O2的氧化作用，晶片表面的有机物被分解成CO2、H2O而被去除。 ⑧ 微粗糙度。晶片表面Ra与清洗液的NH4OH组成比有关，组成比例越大，其Ra变大。Ra为0.2nm的晶片,在NH4OH: H2O2: H2O =1:1:5的SC-1液清洗后，Ra可增大至0.5nm。为控制晶片表面Ra，有必要降低NH4OH的组成比，例用0.5:1:5 ⑨ COP（晶体的原生粒子缺陷）。对CZ硅片经反复清洗后，经测定每次清洗后硅片表面的颗粒 ≥2 μm 的颗粒会增加，但对外延晶片，即使反复清洗也不会使 ≥0.2 μm 颗粒增加。据近几年实验表明，以前认为增加的粒子其实是由腐蚀作用而形成的小坑。在进行颗粒测量时误将小坑也作粒子计入。小坑的形成是由单晶缺陷引起，因此称这类粒子为COP（晶体的原生粒子缺陷）。据介绍直径200 mm 硅片按SEMI要求： 256兆 ≥ 0.13 μm，＜10个/ 片，相当COP约40个。　　2.DHF清洗。 a. 在DHF洗时，可将由于用SC-1洗时表面生成的自然氧化膜腐蚀掉，而Si几乎不被腐蚀。 b. 硅片最外层的Si几乎是以 H 键为终端结构，表面呈疏水性。 c. 在酸性溶液中，硅表面呈负电位，颗粒表面为正电位，由于两者之间的吸引力，粒子容易附着在晶片表面。 d. 去除金属杂质的原理： ① 用HF清洗去除表面的自然氧化膜，因此附着在自然氧化膜上的金属再一次溶解到清洗液中，同时DHF清洗可抑制自然氧化膜的形成。故可容易去除表面的Al、Fe、Zn、Ni等金属。但随自然氧化膜溶解到清洗液中一部分Cu等贵金属（氧化还原电位比氢高），会附着在硅表面，DHF清洗也能去除附在自然氧化膜上的金属氢氧化物。 ② 实验结果：据报道Al3+、Zn2+、Fe2+、Ni2+ 的氧化还原电位E0 分别是 - 1.663V、-0.763V、-0.440V、0.250V比H+ 的氧化还原电位（E0=0.000V）低，呈稳定的离子状态，几乎不会附着在硅表面。 ③ 如硅表面外层的Si以 H 键结构，硅表面在化学上是稳定的，即使清洗液中存在Cu等贵金属离子，也很难发生Si的电子交换，因经Cu等贵金属也不会附着在裸硅表面。但是如液中存在Cl— 、Br—等阴离子，它们会附着于Si表面的终端氢键不完全地方，附着的Cl— 、Br—阴离子会帮助Cu离子与Si电子交换，使Cu离子成为金属Cu而附着在晶片表面。 ④ 因液中的Cu2+ 离子的氧化还原电位（E0=0.337V）比Si的氧化还原电位（E0=-0.857V）高得多，因此Cu2+ 离子从硅表面的Si得到电子进行还原，变成金属Cu从晶片表面析出，另一方面被金属Cu附着的Si释放与Cu的附着相平衡的电子，自身被氧化成SiO2。 ⑤ 从晶片表面析出的金属Cu形成Cu粒子的核。这个Cu粒子核比Si的负电性大，从Si吸引电子而带负电位，后来Cu离子从带负电位的Cu粒子核得到电子析出金属Cu，Cu粒子状这样生长起来。Cu下面的Si一面供给与Cu的附着相平衡的电子，一面生成SiO2。 ⑥ 在硅片表面形成的SiO2，在DHF清洗后被腐蚀成小坑，其腐蚀小坑数量与去除Cu粒子前的Cu粒子量相当，腐蚀小坑直径为0.01 ~ 0.1 μm，与Cu粒子大小也相当，由此可知这是由结晶引起的粒子，常称为金属致粒子（MIP）。　　3. SC-2清洗 1). 清洗液中的金属附着现象在碱性清洗液中易发生，在酸性溶液中不易发生，并具有较强的去除晶片表面金属的能力，但经SC-1洗后虽能去除Cu等金属，而晶片表面形成的自然氧化膜的附着（特别是Al）问题还未解决。 2). 硅片表面经SC-2液洗后，表面Si大部分以 O 键为终端结构，形成一层自然氧化膜，呈亲水性。 3). 由于晶片表面的SiO2和Si不能被腐蚀，因此不能达到去除粒子的效果。 a.实验表明：　　据报道将经过SC-2液，洗后的硅片分别放到添加Cu的DHF清洗或HF+H2O2清洗液中清洗、硅片表面的Cu浓度用DHF液洗为1014 原子/cm2，用HF+H2O2洗后为1010 原子/cm2。即说明用HF+H2O2液清洗去除金属的能力比较强，为此近几年大量报导清洗技术中，常使用HF+H2O2来代替DHF清洗。三.离心喷淋式化学清洗抛光硅片系统内可按不同工艺编制贮存各种清洗工艺程序，常用工艺是： FSI“A”工艺： SPM+APM+DHF+HPM FSI“B”工艺： SPM+DHF+APM+HPM FSI“C”工艺： DHF+APM+HPM RCA工艺： APM+HPM SPM .Only工艺： SPM Piranha HF工艺： SPM+HF 上述工艺程序中： SPM=H2SO4+H2O2 4：1 去有机杂质沾污 DHF=HF+D1.H2O (1-2%) 去原生氧化物，金属沾污 APM=NH4OH+ H2O2+D1.H2O 1：1：5或 0.5：1：5 去有机杂质，金属离子，颗粒沾污 HPM=HCL+ H2O2+D1.H2O 1：1：6 去金属离子Al、Fe、Ni、Na等如再结合使用双面檫洗技术可进一步降低硅表面的颗粒沾污。四. 新的清洗技术 A.新清洗液的开发使用 1）.APM清洗 a. 为抑制SC-1时表面Ra变大，应降低NH4OH组成比，例： NH4OH：H2O2：H2O = 0.05：1：1 当Ra = 0.2nm的硅片清洗后其值不变，在APM洗后的D1W漂洗应在低温下进行。 b. 可使用兆声波清洗去除超微粒子，同时可降低清洗液温度，减少金属附着。 c. 在SC-1液中添加界面活性剂、可使清洗液的表面张力从6.3dyn/cm下降到19 dyn/cm。选用低表面张力的清洗液，可使颗粒去除率稳定，维持较高的去除效率。使用SC-1液洗，其Ra变大，约是清洗前的2倍。用低表面张力的清洗液，其Ra变化不大（基本不变）。 d. 在SC-1液中加入HF，控制其PH值，可控制清洗液中金属络合离子的状态，抑制金属的再附着，也可抑制Ra的增大和COP的发生。 e. 在SC-1加入螯合剂，可使洗液中的金属不断形成螯合物，有利抑制金属的表面的附着。 2）.去除有机物： O3 + H2O 3）.SC-1液的改进： SC-1 + 界面活性剂 SC-1 + HF SC-1 + 螯合剂 4）.DHF的改进： DHF + 氧化剂（例HF+H2O2） DHF + 阴离子界面活性剂 DHF + 络合剂 DHF + 螯合剂 5）酸系统溶液： HNO3 + H2O2、 HNO3 + HF + H2O2、 HF + HCL 6）.其它：电介超纯去离子水 B. O3＋H2O清洗 1）.如硅片表面附着有机物，就不能完全去除表面的自然氧化层和金属杂质，因此清洗时首先应去除有机物。 2）.据报道在用添加2-10 ppm O3 的超净水清洗，对去除有机物很有效，可在室温进行清洗，不必进行废液处理，比SC-1清洗有很多优点。 C. HF ＋ H2O2清洗 1. 据报道用HF 0.5 % + H2O2 10 %，在室温下清洗，可防止DHF清洗中的Cu等贵金属的附着。 2. 由于H2O2氧化作用，可在硅表面形成自然氧化膜，同时又因HF的作用将自然氧化层腐蚀掉，附着在氧化膜上的金属可溶解到清洗液中，并随去离子水的冲洗而被排除。。在APM清洗时附着在晶片表面的金属氢氧化物也可被去除。晶片表面的自然氧化膜不会再生长。 3. Al、Fe、Ni等金属同DHF清洗一样，不会附着在晶片表面。 4. 对n+、P+ 型硅表面的腐蚀速度比n、p 型硅表面大得多，可导致表面粗糙，因而不适合使用于n+、P+ 型的硅片清洗。 5. 添加强氧化剂H2O2（E0=1.776V），比Cu2+ 离子优先从Si中夺取电子，因此硅表面由于H2O2 被氧化，Cu以Cu2+ 离子状态存在于清洗液中。即使硅表面附着金属Cu，也会从氧化剂H2O2 夺取电子呈离子化。硅表面被氧化，形成一层自然氧化膜。因此Cu2+ 离子和Si电子交换很难发生，并越来越不易附着。 D. DHF ＋界面活性剂的清洗据报道在HF 0.5%的DHF液中加入界面活性剂，其清洗效果与HF + H2O2清洗有相同效果。 E. DHF＋阴离子界面活性剂清洗据报道在DHF液，硅表面为负电位，粒子表面为正电位，当加入阴离子界面活性剂，可使得硅表面和粒子表面的电位为同符号，即粒子表面电位由正变为负，与硅片表面正电位同符号，使硅片表面和粒子表面之间产生电的排斥力，因此可防止粒子的再附着。 F. 以HF / O3 为基础的硅片化学清洗技术此清洗工艺是以德国ASTEC公司的AD-(ASTEC-Drying) 专利而闻名于世。其HF/O3 清洗、干燥均在一个工艺槽内完成,。而传统工艺则须经多道工艺以达到去除金属污染、冲洗和干燥的目的。在HF / O3清洗、干燥工艺后形成的硅片H表面 (H-terminal) 在其以后的工艺流程中可按要求在臭氧气相中被重新氧化. 五. 总结 1. 用RCA法清洗对去除粒子有效，但对去除金属杂质Al、Fe效果很小。 2. DHF清洗不能充分去除Cu，HPM清洗容易残留Al。 3. 有机物，粒子、金属杂质在一道工序中被全部去除的清洗方法，目前还不能实现。 4. 为了去除粒子，应使用改进的SC-1液即APM液，为去除金属杂质，应使用不附着Cu的改进的DHF液。 5. 为达到更好的效果，应将上述新清洗方法适当组合，使清洗效果最佳。查看更多 1个回答 . 1人已关注

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出厂介质为水的压力容器走蒸汽可以吗？我们这有两台换热器，加热介质为热水,压力0.4Mpa，它试压是用的15℃的水在1.0，和0.6情况下完成的。我想问一下这样走蒸汽加热行不行？有没有危险，蒸汽的压力是0.4Mpa可以吗，有没有危险？当时设计是按蒸汽要求的，不知道甲方领导怎么和乙方签的协议，合同竟然没有要求，最后验收的甲方人估计吃了回扣，竟然认可了，万恶的人啊，作为我们第三方真是无语了...查看更多 10个回答 . 5人已关注

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一吨甲醇等于多少立方米？ 一吨甲醇等于多少立方米查看更多 14个回答 . 1人已关注

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wyssmont 的涡轮增压盘式干燥？ 涡轮增压盘式干燥有了解的吗，国内有使用的吗？查看更多 1个回答 . 1人已关注

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开展减压深拔优化重油装置运行实现炼油节能减排？节能减排 ” 不仅是落实科学发展观、构建和谐社会的具体实践，也是炼油内部挖潜，提升国际竞争能力的内在需求。近年来，在中国石化集团公司党组的指导下，炼油板块一直坚持 “ 优化增效、节能减排 ” 的工作方针，全面深入地开展技术服务和综合调研，开展了 “ 氢气资源管理 ” 、 “ 减压深拔 ” 、 “ 焦化提高操作负荷 ” 等专项的节能减排工作，炼油能耗正在按照党组制定的 “ 十一五 ” 发展规划的要求逐年降低。　　近年来，各企业在狠抓三基、加强节能管理方面作出了切实有效的努力，通过逐级分解能耗指标，层层落实节能责任，取得了可喜的节能效果，中国石化的炼油能耗从 “ 十五 ” 初期的 78.25 千克标油 / 吨降低到现在的 67 千克标油 / 吨以下。但是仅仅依靠加强管理，实现 “ 十一五 ” 的节能目标的难度还比较大。结合这几年技术服务的经验，炼油事业部感觉到需要从宏观上加强炼油总流程管理，优化装置之间的运行结构；从微观上实现分子化管理的理念，做好重油管理、轻烃管理、氢气管理和能流管理。也就是说依托现有的装置结构，通过优化总流程加工方式，进一步提高炼油装置的运营效率，实现节能减排的目标。从原油重质化的需求分析，当务之急就是要把采购的重质原油深度加工，减少或不出燃料油，让采购的重质化原油的效益充分发挥出来。重油加工装置的优化一方面是延迟焦化装置缩短生焦周期、降低循环比，提高渣油加工能力。另一方面要优化常减压蒸馏的操作，实施减压深拔，尽量减少重油的生成　减压深拔操作的基本思路　　减压深拔技术是在常规减压的基础上，采用模型将原油切割成非常窄的馏分，然后按照各切割点的要求将窄馏分进行合成，根据合成后的模拟油品性质配以适当填料（高度），减压炉及减压塔底注入蒸汽，即通过软硬件结合达到 “ 减压深拔 ” 油品技术要求。减压深拔技术的核心是对减压炉管内介质流速、汽化点、油膜温度、炉管管壁温度、注汽量（包括炉管注汽和塔底吹汽）等的计算和选取，以防止炉管内结焦，能保证四年以上的生产周期和安全生产。在减压深拔的设计、改造和操作优化计算中，需要严格的基于相关性的动力学模型（如原油评价数据库及管理系统 CADB/CAMS ），用以评估投入与效益之间的拐点，可根据不同的切割点目标计算各种经济可行的操作方案，提高操作的灵活性以满足市场和原料油变化的要求。减压深拔技术可通过调整减压炉管注汽来减少炉管结焦，减炉出口温度可达到 430 ℃ ，蜡油 / 渣油的切割点温度达到 580 ～ 630 ℃ （在少量投资的情况下，也可以使蒸馏装置的蜡油 / 渣油切割点温度提高 25 ～ 50 ℃ ），与通常蜡油 / 渣油 530 ～ 540 ℃ 的切割点温度相比，可以得到更高的总拔出率，裂解气生成量小于原料的 0.3% ，注汽量为原料的 1% ～ 2% （新建装置），转油线的温差为 10 ～ 20 ℃ ，针对加热炉炉管的逐管建模，能够提供流体在炉管内的状态及裂解 / 生焦倾向的分析，提出延缓结焦的操作方案或改造策略。　　国内外减压深拔技术的应用情况 1. 股份公司减压拔出率的现状在较高的原油价格形势下，采购高硫重质原油是降低原油采购成本的有效措施。中国石化进口原油的 API 度从 2004 年的 32.99 降低到 2006 年的 30.83 ，原油采购的优化有效降低了炼油成本。但是，从 2007 年上半年的生产运行看，原油重质化带来了燃料油收率的上升，延迟焦化等重油处理装置的加工能力和加工负荷使得原油重质化采购的经济效益并没有完全发挥。目前，股份公司减压炉出口温度大多在 400 ℃ 以下，只有三套装置的减压炉出口温度在 400 ～ 405 ℃ 之间，减压渣油中 500 ℃ 以前组分含量一般在 5% 以上，严重的在 10% 以上，减压蜡油的切割点温度一般在 530 ℃ 以下，最高在 560 ℃ 以下，德国 MIRO 减压装置的减压蜡油在切割点温度达到 605 ℃ 时，残炭仍保持 1.7% 的水平。由此可见，提高减压装置的拔出率还有较大潜力。股份公司目前运行的 58 套常减压蒸馏装置的减压系统存在以下几个方面的普遍问题：一是减压深拔工艺流程不完善。较早的蒸馏装置设计拔出温度按照 530 ℃ 以下考虑，设计时没有考虑减压深拔的操作方案，减压塔没有减底急冷油流程，减底温度没有很好的控制手段，塔底温度上升后，容易造成减底泵抽空，严重时导致减压塔底结焦的事故。有的装置没有在辐射段入口设计注汽点，减压炉管的油膜温度不好控制。炉管的吊挂材质等级设计低于炉管材质，限制了炉膛温度不能高于 800 ℃ 。二是装置操作负荷匹配不合理。常压炉出口温度低，常压拔出率低，柴油和蜡油组分重叠。柴油组分进入减压系统后，减一线比例大，减二线组分柴油含量高，增加了减压加热炉负荷；减压炉负荷吃紧，减压拔出率不足，蜡油和渣油组分重叠。三是缺乏技术支持，没有实现卡边操作。由于没有针对具体的原油品种和加热炉结构进行严格的计算，如果只是依靠经验进一步提高加热炉出口温度，势必担心减压加热炉结焦，实际操作中，减压炉出口温度低于设计值 10 ℃ 以上。　　 2. 国际减压深拔技术进展　　目前，国际上拥有独立减压深拔技术的公司是壳牌和 KBC 两个公司。壳牌的减压深拔技术在于减压塔空塔设计，压降较小，比较适用于新建常减压蒸馏装置的设计。 KBC 的减压深拔技术通过其软件模拟计算功能，可以给出不同原油的结焦曲线和加热炉炉管的逐管计算，适用于操作优化和装置局部改造。减压深拔的应用，可以使得减压炉在 430 ℃ 的出口温度下安全操作，蜡油 / 渣油的切割点温度达到 580 ℃ 以上，甚至达到 630 ℃ 。实施减压深拔的具体措施　　结合今年开展减压深拔工作的实际情况，我们感觉到，开展减压深拔需要从以下几个方面做工作： 1. 优化常减压操作，合理分配装置的操作负荷，避免负荷将常压蒸馏的负荷转移到减压蒸馏。适当提高常压炉出口温度低，提高常压拔出率低，减少柴油和蜡油组分重叠，减轻减压蒸馏的操作负荷。 2. 完善减压深拔工艺流程。主要包括以下几个方面的改造内容：在减压加热炉的辐射段入口设置注汽点，控制减压炉管的油膜温度，防止炉管结焦。检查减压加热炉炉管的吊挂材质，使吊挂材质等级与炉管匹配。在减压塔底设置急冷油流程，利用部分渣油的冷循环，控制合理的减压塔底温度，避免减压塔底泵抽空和减压塔底结焦。改造减压塔内部结构，使得减二线最大化抽出，以满足加氢裂化原料的需求；减三线最小化抽出，减三线作为调节加氢裂化原料质量和原料量的手段，其余的减三线作为加氢处理的原料或者直接进催化裂化加工，降低催化裂化掺渣比、改善催化裂化产品分布。 3. 依托技术支持，模型计算与经验结合，提高现有减压操作的苛刻度。为了避免因减压炉管结焦，科学地进行减压深拔，借鉴国外的经验，通过加热炉操作曲线和结焦曲线的计算，提出减压深拔的安全操作区，实现长周期的减压深拔。具体步骤包括：第一步，采用模型对装置原设计、设备等参数和加工原油进行模拟计算和评估，包括加热炉、转油线、减压分馏塔、抽真空系统、结焦曲线等，查找深拔的瓶颈问题。第二步，对装置目前操作工况进行模拟和分析，评估实施深拔操作调整的潜力和方案。第三步，提出改善目前操作状况的建议和提高蜡油 / 渣油切割点的测试步骤，实施并维持。　减压深拔操作案例分析 1. 减压深拔效果　　国内某炼厂 800 万吨 / 年常减压蒸馏装置设计能力 22800 吨 / 天，减压炉出口温度为 405 ℃ ，由于减压塔底没有急冷油设施，减压炉出口温度大于 396 ℃ 减压渣油泵出现抽空现象。实际的减压炉出口温度控制不大于 395 ℃ ，装置处理能力只能维持在 19800 吨 / 天，蜡油切割点温度在 530 ℃ 以下。今年对减压系统进行适当改造后，增设了渣油急冷设施，有效控制减压塔底温度，通过对减压系统进行模拟计算，将减压炉出口温度提高到 406 ℃ ，蜡油的切割点温度提高到了 560 ℃ 。实现减三线最小抽出、减二线最大量抽出，既满足了加氢裂化原料的质量要求，又保证蜡油加氢处理装置的原料需求。由于直馏柴油干点的提高，常压塔拔出率较好，相应降低了减压蒸馏的操作负荷，增加了减压塔具备更大的操作弹性，提高装置的加工能力。减压深拔操作期间，投用了减压塔底新增的急冷油流程，减压炉管和减压塔底采用注汽措施使得减压炉出口分支温度由 395 ℃ 提高至 405 ℃ 左右。　 2. 能耗分析　　减压深拔操作模式下，常减压装置的能耗上升 0.20 个单位。合计对全厂增加的贡献为 4560 千克标油 / 天。减压渣油收率下降 3 个百分点，合计渣油量减少 684 吨 / 天。按照延迟焦化装置能耗 24 千克标油 / 吨的平均值计算，对全厂能耗下降的贡献为 16416 千克标油 / 天。两项综合考虑后，炼油综合能耗下降 11856 千克标油 / 天，折合 0.52 千克标油 / 吨原油。由于减压深拔改善了渣油的处理模式，轻油收率提高，根据全厂流程的模拟计算结果，减压炉出口温度提高 10 ℃ ，每年产生 970 万元的经济效益，万元产值的炼油能耗也在下降。减压深拔经济效益显著　　减压深拔操作可以有效降低渣油收率，提高减压渣油的残炭和密度，充分发挥焦化装置的运营能力，提高轻油收率，降低燃料油收率，提高了高附加值产品收率。在原油价格持续高价位的形势下，通过减压深拔操作，优化重油系统的加工模式不仅可以达到节能减排的目的，还能够把采购的较低价格的高硫重质原油的经济效益最大限度地显现出来。查看更多 2个回答 . 5人已关注

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关于热态开车相关参数的问题? 各位前辈，小弟刚接触硫酸，很多东西不懂。前天公司硫酸装置短暂停车后开车，尾气冒白烟，请问是何原因引起的，如何进行控制？查看更多 2个回答 . 4人已关注

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活塞式压缩机（CO与氢气混合气体）气阀处有小颗粒（黑色 ...？ 如题，小颗粒是什么东西，产生的原因查看更多 13个回答 . 4人已关注

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国家能源局：要大幅降低煤炭消费比重？本文由盖德化工论坛转载自互联网 2月26日，记者从国家能源局网站获悉，日前，国家能源局召开落实大气污染防治有关工作专题会议，明确国家能源局大气污染防治重点工作时限及责任，部署国家能源局大气污染防治重点工作。能源局局长吴新雄称，要尽快出台《大气污染防治行动计划》相关配套政策，除此之外，能源结构方面，天然气等新能源依旧是未来依靠的重点。国家能源局局长吴新雄在能源局落实大气污染防治有关工作专题会议上表示，尽快研究出台《大气污染防治行动计划》相关配套政策，出台《能源行业加强大气污染防治工作方案》。吴新雄表示，要出台《煤炭减量替代管理办法》，并抓好落实；强化煤炭质量管理，印发《煤炭质量管理（暂行）办法》；制定京津冀地区散煤治理行动计划。从这些措施可以看出，煤炭等能源的总量控制已经成为当前能源局工作的总基调，能源局为2014年能源工作定下的目标是，控制能源消费，其中能源消费总量38.8亿吨标准煤左右，增长3.2%，煤炭消费量38亿吨，增长1.6%。同时，还要优化能源结构，将非化石能源消费比重提高到10.7%，非化石能源发电装机比重达到32.7%。天然气消费比重提高到6.5%，煤炭消费比重降低到65%以下。按照年初能源局定下的目标，今年将大幅度降低煤炭消费比重，提高天然气和非化石能源比重。京津冀鲁四省份在2014年原煤消费削减目标分别为300万吨、200万吨、800万吨和400万吨，合计1700万吨。同时，能源局还要在全国淘汰煤炭落后产能3000万吨，关停小火电机组200万千瓦。 2014年主要是能源结构的调整，能源局在2014年初曾经定下目标，今年煤炭消费占能源消费总量的比重降低到65%以下，而这个数字在去年为65.7%。在近日的落实大气污染防治有关工作专题会议上，新能源的有效利用依旧是能源发展的突破口。吴新雄表示，要抓紧出台煤制油、气发展指导意见，防止无序盲目发展；加快风电、太阳能、地热能等清洁能源发展。按照年初部署，在整个2014年，新核准水电装机2000万千瓦，新增风电装机1800万千瓦，新增光伏发电装机1400万千瓦，新增核电装机864万千瓦。查看更多 1个回答 . 5人已关注

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简介

职业：浙江新汇化工仓储有限公司 - 给排水工程师

学校：烟台大学 - 自动化

地区：吉林省

个人简介：等我闺蜜结婚那天,我会给她买辆拖拉机,并且很大方的告诉她，拿去。查看更多

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