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求环管气相法聚乙烯生产资料?? 求环管气相法聚乙烯生产资料？？有的发到我邮箱，我会给大奖 查看更多 0个回答 . 1人已关注

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投入式静压液位计？ 对于投入式静压液位计法兰短管处是否存在盲区（从法兰向下一段距离测不了液位），探头是垂直于池底还是把探头平放在池底？查看更多 8个回答 . 2人已关注

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厌氧工艺技术难点？有一50000方/d的工业水处理工程，采用厌氧工艺收集的甲烷气当燃料用。现在的问题是甲烷中硫化氢含量较高，设备腐蚀严重，各位同仁有没有这方面的工程经验或理论研究，交流学习一下！废水类型未知。查看更多 8个回答 . 3人已关注

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钽的电阻率和温度的关系？ 如题，请问有哪位老师知道如何得到钽在其他温度（20℃下的已查知：11-13 μΩ·cm）下的电阻率呢？多谢了！查看更多 4个回答 . 2人已关注

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谁能提供一下316L在140度温度下的耐腐蚀数据? 如题，谁能提供一下316L在140度温度下的耐腐蚀数据？主要针对氯化钠环境下。查看更多 0个回答 . 1人已关注

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多晶硅薄膜的制备方法多晶硅工艺？多晶硅薄膜的制备方法快速热退火（RTA）一般而言，快速退火处理过程包含三个阶段：升温阶段、稳定阶段和冷却阶段。当退火炉的电源一打开，温度就随着时间而上升，这一阶段称为升温阶段。单位时间内温度的变化量是很容易控制的。在升温过程结束后，温度就处于一个稳定阶段。最后，当退火炉的电源关掉后，温度就随着时间而降低，这一阶段称为冷却阶段。用含氢非晶硅作为初始材料，进行退火处理。平衡温度控制在600℃以上，纳米硅晶粒能在非晶硅薄膜中形成，而且所形成的纳米硅晶粒的大小随着退火过程中的升温快慢而变化。在升温过程中，若单位时间内温度变化量较大时(如100℃/s)，则所形成纳米硅晶粒较小(1.6～15nm)；若单位时间内温度变化量较小(如1℃/s)，则纳米硅粒较大(23～46nm)。进一步的实验表明：延长退火时间和提高退火温度并不能改变所形成的纳米硅晶粒的大小；而在退火时，温度上升快慢直接影响着所形成的纳米硅晶粒大小。为了弄清楚升温量变化快慢对所形成的纳米硅大小晶粒的影响，采用晶体生长中成核理论。在晶体生长中需要两步：第一步是成核，第二步是生长。也就是说，在第一步中需要足够量的生长仔晶。结果显示：升温快慢影响所形成的仔晶密度。若单位时间内温度变化量大,则产生的仔晶密度大；反之，若单位时间内温度变化量小，则产生的仔晶密度小。RTA退火时升高退火温度或延长退火时间并不能消除薄膜中的非晶部分，薛清等人提出一种从非晶硅中分形生长出纳米硅的生长机理：分形生长。从下到上，只要温度不太高以致相邻的纳米硅岛不熔化，那么即使提高退火温度或延长退火时间都不能完全消除其中的非晶部分。 RTA退火法制备的多晶硅晶粒尺寸小，晶体内部晶界密度大，材料缺陷密度高，而且属于高温退火方法，不适合于以玻璃为衬底制备多晶硅。等离子体增强化学反应气相沉积（PECVD）等离子体增强化学反应气相沉积（PECVD）法是利用辉光放电的电子来激活化学气相沉积反应的。起初，气体由于受到紫外线等高能宇宙射线的辐射，总不可避免的有轻微的电离，存在着少量的电子。在充有稀薄气体的反应容器中引进激发源（例如，直流高压、射频、脉冲电源等），电子在电场的加速作用下获得能量，当它和气体中的中性粒子发生非弹性碰撞时，就有可能使之产生二次电子，如此反复的进行碰撞及电离，结果将产生大量的离子和电子。由于其中正负粒子数目相等。故称为等离子体，并以发光的形式释放出多余的能量，即形成“辉光”。在等离子体中，由于电子和离子的质量相差悬殊，二者通过碰撞交换能量的过程比较缓慢，所以在等离子体内部各种带电粒子各自达到其热力学平衡状态，于是在这样的等离子体中将没有统一的温度，就只有所谓的电子温度和离子温度。此时电子的温度可达104℃，而分子、原子、离子的温度却只有25～300℃。所以，从宏观上来看，这种等离子的温度不高，但其内部电子却处于高能状态，具有较高的化学活性。若受激发的能量超过化学反应所需要的热能激活，这时受激发的电子能量（1～10eV）足以打开分子键，导致具有化学活性的物质产生。因此，原来需要高温下才能进行的化学反应，通过放电等离子体的作用，在较低温度下甚至在常温下也能够发生。PECVD法沉积薄膜的过程可以概括为三个阶段： 1.SiH4分解产生活性粒子Si、H、SiH2 和SiH3等； 2.活性粒子在衬底表面的吸附和扩散； 3.在衬底上被吸附的活性分子在表面上发生反应生成Poly-Si层，并放出H2；研究表面，在等离子体辅助沉积过程中，离子、荷电集团对沉积表面的轰击作用是影响结晶质量的重要因素之一。克服这种影响是通过外加偏压抑制或增强。对于采用PECVD技术制备多晶体硅薄膜的晶化过程,目前有两种主要的观点：一种认为是活性粒子先吸附到衬底表面,再发生各种迁移、反应、解离等表面过程,从而形成晶相结构，因此,衬底的表面状态对薄膜的晶化起到非常重要的作用；另一种认为是空间气相反应对薄膜的低温晶化起到更为重要的作用,即具有晶相结构的颗粒首先在空间等离子体区形成,而后再扩散到衬底表面长大成多晶膜。对于SiH4:H2气体系统,有研究表明,在高氢掺杂的条件下,当用RFPECVD的方法沉积多晶硅薄膜时,必须采用衬底加热到600℃以上的办法,才能促进最初成长阶段晶核的形成。而当衬底温度小于300℃时,只能形成氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜。以SiH4:H2为气源沉积多晶硅温度较高，一般高于600℃，属于高温工艺，不适用于玻璃基底。目前有报道用SiC14:H2或者SiF4:H2为气源沉积多晶硅，温度较低，在300℃左右即可获得多晶硅，但用CVD法制备得多晶硅晶粒尺寸小，一般不超过50nm，晶内缺陷多，晶界多。金属横向诱导法(MILC) 20世纪90年代初发现a-Si中加入一些金属如Al，Cu，Au，Ag，Ni等沉积在a-Si∶H上或离子注入到a-Si∶H薄膜的内部，能够降低a-Si向p-Si转变的相变能量，之后对Ni/a-Si:H进行退火处理以使a-Si薄膜晶化，晶化温度可低于500℃。但由于存在金属污染未能在TFT中应用。随后发现Ni横向诱导晶化可以避免孪晶产生，镍硅化合物的晶格常数与单晶硅相近、低互溶性和适当的相变能量，使用镍金属诱导a-Si薄膜的方法得到了横向结晶的多晶硅薄膜。横向结晶的多晶硅薄膜的表面平滑，具有长晶粒和连续晶界的特征，晶界势垒高度低于SPC多晶硅的晶界势垒高度，因此，MILC TFT具有优良的性能而且不必要进行氢化处理。利用金属如镍等在非晶硅薄膜表面形成诱导层，金属Ni与a-Si在界面处形成NiSi2的硅化物，利用硅化物释放的潜热及界面处因晶格失错而提供的晶格位置，a-Si原子在界面处重结晶，形成多晶硅晶粒，NiSi2层破坏，Ni原子逐渐向a-Si层的底层迁移，再形成NiSi2硅化物，如此反复直a-Si层基本上全部晶化，其诱导温度一般在500℃，持续时间在10小时左右，退火时间与薄膜厚度有关。金属诱导非晶硅晶化法制备多晶硅薄膜具有均匀性高、成本低、相连金属掩蔽区以外的非晶硅也可以被晶化、生长温度在500℃。但是MILC目前它的晶化速率仍然不高，并且随着热处理时间的增长速率会降低。我们采用MILC和光脉冲辐射相结合的方法，实现了a-Si薄膜在低温环境下快速横向晶化，得到高迁移率、低金属污染的多晶硅带。结束语除了上述几种制备多晶硅薄膜的主要方法外，还有超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)、电子束蒸发等。用UHV/CVD生长多晶硅，当生长温度低于550℃时能生成高质量细颗粒多晶硅薄膜，不用再结晶处理，这是传统CVD做不到的，因此该法很适用于低温多晶硅薄膜晶体管制备。另外，日立公司研究指出，多晶硅还可用电子束蒸发来实现，温度低于530℃。因此，我们相信随着上述几种多晶硅制备方法的日益成熟和新的制备方法的出现，多晶硅技术的发展必将跨上一个新的台阶，从而推动整个半导体产业和相关行业的发展。查看更多 1个回答 . 2人已关注

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氢气压缩机对氮气的要求? 当一台20Mpa的往复压缩机在进行氮气循环的时候，运行时间按有什么要求吗？长时间运行会不会对气阀造成损坏？对氮气的压力有什么要求？比如说不能超过多少Mpa？查看更多 8个回答 . 5人已关注

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PROII9.0安装出现了这样的问题,求大神指导？ win7旗舰版32位 proII 9.0安装，lmtools设置显示Reread Server License File Completed，可运行PROII9.0时出现下列图片，已按安装说明重新好多次，请教指导一下查看更多 11个回答 . 2人已关注

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a multiplier 如何理解（关于薪酬）？ Question:Can I earn an individual bonus even if we don’t earn the corporate and award unit portions? Answer: No. Individual performance is a multiplier of the payout achieved in the corporate and award unit parts of the bonus. 谁是谁的乘数？查看更多 4个回答 . 3人已关注

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收缩度X值在煤分类中的区别？ 收缩度X值在各单种煤分类中具体数值是多少？？？查看更多 2个回答 . 1人已关注

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给水泵稀油站的问题？ 我上百度搜索了稀油站的作用，但是不怎么理解有些给水泵不需要稀油站，那么电动泵的润滑油怎么供给呢？难道不需要润滑油？查看更多 3个回答 . 2人已关注

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油气线急冷油接管根部焊缝开裂？昨日，油气线急冷油接管根部焊缝开裂，装置紧急降量处理，带压堵漏；原来觉得急冷油注入线选用金属软管不安全，目前看来金属软管不容易产生应力问题，如果采用高温金属软管也是一种不错的方法。查看更多 8个回答 . 5人已关注

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aspen中输入分子结构？刚刚入手aspen,遇到一个小问题，不知道该如何解决，请大侠们指点按照aspen使用指南上所说，aspen数据库中没有的物质，可以输入分子结构对其某些性质进行预测，但是我按照指南上所说de ，“在 Molecular Structure Object Manage(分子结构对象管理器)r 中选择要规定其分子结构的组分号然后单击Edit(编辑)" 发现无法输入，如附图所示查看更多 2个回答 . 4人已关注

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aspen怎么模拟高分子？ 请教各位高手，我是菜鸟啊，不知道怎么模拟高分子，难道全是只有做实验吗？现在没这条件啊查看更多 2个回答 . 5人已关注

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低温绝热压力容器有哪些要求？我个人认为有以下要求， 1，容器的材质应该是低温合金钢的，不然因低温会应力断裂。 2，焊口要用氧弧焊，保证不泄露。 3，外加保温或保冷材料，保证绝热。查看更多 5个回答 . 1人已关注

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变径塔的设计？ 请问一下在设计板式塔的时候，通过计算两段的塔径要相差多少才做成变径塔？？？十万火急啊求高手指点！！查看更多 5个回答 . 4人已关注

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气分的除盐水干什么用的? 各位，气分装置公用工程的除盐水干什么用？还有，除盐水来源是什么？（我见过有用蒸汽换热器的冷凝水做除盐水的）查看更多 1个回答 . 5人已关注

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关于净化风？ 1、净化风是仪表专用供风吗？ 2、净化风能同时用于仪表供风和声波吹灰用风吗？ 3、请问哪位盖德有净化风/仪表风使用管理规定？查看更多 13个回答 . 1人已关注

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PVElite2014安装相关经验？对于 PVElite2014 ，对于笔者来说，可谓太坎坷了，对于网上提到的安装教程，很多人说能装，我就纳闷了，为什么我怎么装都装不了，相信大部分不能安装的朋友出现的问题和我的差不多，安装过程中，选择了绿色的加密狗破解，最终打开后都出现了 error ，关于 HASP HL Key 不可使用的 error ，如附图1 file:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_image002.jpg 后来，笔者换了第三种安装方式，使用 SPLM license 方式破解，如附图2，可以通过以下两种方式来实现：（ 1 ）直接用自己的 IP 地址来破解这种方式就是按照附件的破解方式，一步一步来，安装 SPLM 和 KEY GEN ，最终破解后的软件只认你当前的 IP 地址，如果你换了 IP 地址，或者连了不同的无线网，这种情况下，打开又会出现新的问题。（ 2 ）简历虚拟 IP 地址这种方式就是先建立一个虚拟的 ip 地址，利用软件 SPLM 中 GENERAT MACHINE ID 的方法产生 IP 地址，然后将该地址设置为你的虚拟 IP 地址，这种方法还得将你建立的 ip 地址置顶，也就是说软件默认的是你的虚拟无线，接下来的安装就按照附件的方法一步一步来，需要说明的是，附件的方法是根据网络上传的 Caesarii 软件教程来的，由于 Caesar 和 PVElite 来自同一个公司，所以是可以的参考一下的，最终安装后的效果，给大家截个图，祝大家安装愉快！百度云附件：PV2014安装教程最新版.pdf PVElite2014安装最终版教程查看更多 4个回答 . 1人已关注

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PROII方案研究例题？ PROII方案研究例题,一道例题查看更多 7个回答 . 2人已关注

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简介

职业：寰球工程项目管理（北京）有限公司 - 销售经理

学校：滨州学院 - 化学与化工系

地区：贵州省

个人简介：冇埘堠兂窷菿爆，髮嗰說說呮媞ゐㄋ刷①丅洊恠感證明涐の洊恠。查看更多

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