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工艺技术

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各种煤气化装置里的阀门使用情况调查？ 好长见识，几个品牌都没听过查看更多

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管道保温层厚度的计算方法(三种方法)？ 有时候也用得着，大部分情况下都是根据以往的经验估算。查看更多

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烧嘴的雾化效果？ 就是氧气炉头压力＜气化炉压力。楼主不要逗我啊，你们氧压为什么那么低？投料程序里没有氧压不能低于多少吗？查看更多

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掺杂的工艺？半导体的导电能力取决于他们的纯度。完全纯净或本征半导体的导电能力很低，因为他们只含有很少的热运动产生的载流子。某种杂质的添加能极大的增加载流子的数目。这些掺杂质的半导体能接近金属的导电能力。轻掺杂的半导体可能在每十亿中只有一小部分。由于在硅中杂质的有限的固体溶解性，即使重掺杂的半导体每百万中也只有几百个杂质而已。由于半导体对于杂质的极度敏感性，很难制造真正的本征物质。因此实际上半导体器件几乎都是由掺杂物质制造的。掺有磷的半导体就是一种掺杂半导体。假设硅晶体中已掺入少量的磷。磷原子进入了原本该由硅原子占有的晶体结构中的位置（图1.5）。磷，作为第5组元素，由5个价电子。磷原子共享了4个价电子给它周围的4个硅原子。4对电子对给了磷原子8个共享的电子。加上还有1个未共享的电子，一共由9个价电子。由于valence shell只能容纳8个电子，再也放不下第9个电子。这个电子就被磷原子抛了出来，自由地游荡在晶体结构中。每个添加进硅晶体结构中的磷原子能产生一个自由电子。图1.5 掺磷硅的简化晶体结构。由于第9个电子的丢失，磷原子带正电。尽管这个原子离子化了，但它没有产生空穴。空穴是由满的valence shell中的电子的离开而产生的电子空缺。尽管磷原子带正电，但它有满的valence shell。因此离子化的磷原子带的电荷是不可移动的。其他第5组的元素有和磷相同的效果。每个加入到晶体结构中的第5组的元素都会产生一个自由电子。因此以这种方式捐赠电子给半导体的元素被称为donors。砷，锑和磷在半导体工艺中被作为硅的donors。在掺入大量的donors的半导体中占有优势的电子作为载流子。由于热运动产生的空穴还是有的，但他们的数量由于有大量的电子而减少。因为大量的电子增加了空穴捕获电子而复合的可能性。在n型硅中的大量的自由电子极大地增加了它的导电能力（并且极大地降低了它的电阻）。掺入donors的半导体称作n型。重掺杂的n型硅有时也被标记为n+，轻掺杂的n型硅被标记为n－。加号和减号象征了donors的相对数目，而不是电荷。在n型硅中由于电子的数目非常大，他们被称为多数载流子。相似的，空穴在n型硅中被称为少数载流子。严格来说，本征半导体没有多数载流子也没有少数载流子，因为他们两种的数目是相等的。掺硼的硅形成了另一种掺杂半导体。假设硅晶体结构中掺入了少量的硼原子（图1.6）。作为第3组的元素，硼有3个价电子。硼原子和它周围的4个硅原子共享价电子，但，由于它只有3个，它不能形成第4个键。结果，硼原子只有7个价电子。由此而形成的电子空缺就变成了一个空穴。这个空穴是可移动的，很快它就离开了硼原子。一旦空穴离开后，硼原子就由于在valence shell中多出来的一个电子而带负电。跟磷的情况一样，这个电荷是不可移动的，而且对导电能力没有影响。每个加入到硅中的硼原子能产生一个可移动的空穴。图1.6掺硼硅的简化晶体结构。其他的第3组的元素也能接受电子并产生空穴。技术困难阻止了其他第3组元素在硅的生产中的应用。但是，铟有时用来掺入锗。用作杂质的任何第3组元素都会从邻近的原子那里接受电子，所以这些元素被称为acceptors。掺有acceptors的半导体是p型的。重掺杂的p型硅有时被标记为p+，轻掺杂的p型硅被标记为p－。在p型硅中空穴是多数载流子，电子是少数载流子。表1.2总结了一些描述掺杂半导体的术语。表1.2 半导体术语。半导体能同时掺入acceptors和donors。量大的杂质决定了硅的型号和载流子的浓度。因此能通过加入更多的donors来把p型半导体转换为n型半导体。同样的，也能通过加入更多的acceptors来把n型半导体转换为p型半导体。故意添加对立极性的杂质来转换半导体的型号被称为counterdoping。大多数现代的半导体是用有选择性的counterdoping硅来制作的，来形成一系列的p-和n-型区域。下一章会更多的讨论这些实际操作。如果采用极端的couterdoping，整个晶体结构将由相同比例的acceptor和donor原子组成。这两种原子的数目将会完全相等。最终的晶体只有很少的载流子，并表现为一个本征半导体。这种复合半导体确实存在。最熟悉的例子就是砷化镓，它是一种镓（第3组元素）和砷（第5组元素）的化合物。这种物质被称为iii-v复合半导体。他们不仅有砷化镓，还有磷化镓，锑化铟和其他许多。许多iii-v化合物是direct-bandgap半导体，有些被用来生产发光二极管和半导体激光。砷化镓也被用来生产非常高速的固态器件，包括集成电路。ii-vi复合半导体由第2组和第6组元素的同比列混合物组成。硫化镉就是一种典型的用来生产光敏元件的ii-vi化合物。其他ii-vi化合物被用作阴极射线管中的磷。最后一种半导体包括iv-iv化合物，比如碳化硅，最近被小范围用来生产蓝光leds。在所有的半导体中，只有硅有大批量，低成本生产集成电路的所需的物理特性。绝大多数固态器件是用硅生产的，其他半导体则只有很小的市场份额。因此本章的剩余部分将集中于硅集成电路。查看更多

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如何处理分析室矛盾？ 在分析室待久了，闷得发慌，吵吵架活跃活跃气氛，查看更多

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仪器设备

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铭牌架材质必须和筒体材质一致? 综合考虑：认为只要在材料的大类内即可。查看更多

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化学学科

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最近看到一篇关于Ni/TiO2催化的文章有点不懂啊？ 一看你也是中国人写的文章，就是不负责任。多看看其他的就可以找到答案查看更多

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说・吧

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丙烯、丁二烯球罐如何确定工作压力、设计压力、安全阀整 ...？回复 4# 储运工程师现在的条件是丙烯：操作压力：1.5mpa（g），操作温度：常温丁二烯：操作压力：0.28mpa(g)，操作温度：10度丙烯 50度饱和蒸汽压是2.05mpa(a)，即2.05-0.1＝1.95mpa(g)，新容规规定工作压力取50度饱和蒸汽压力：初定：设计温度50度设计压力p取1.05x1.95＝2.05mpa，安全阀整定压力取2.15mpa，最高允许工作压力取2.25mpa，先按2.05mpa算球罐体强度，最后按2.25mpa再校核球罐体强度。若按以前做法，设计温度50度，设计压力2.16mpa，则安全阀整定压力为2.21mpa，最高允许工作压力为2.26mpa，安全阀整定压力与最高允许工作压力档次没拉开，靠的太近。丁二烯设计压力还不晓得定多少合适。如果按您讲的工艺送料40度的话， 40度饱和蒸汽压为0.43mpa(a)，即0.43-0.1＝0.33mpa（g）, 30度饱和蒸汽压为0.32mpa（a），即0.32-0.1＝0.22mpa（g）。现在提的操作压力为0.28mpa（g），设计压力、设计温度定多少合适呢? 有的条件丁二烯定设计温度50度，设计压力定0.79mpa(g), 安全阀整定压力和最高允许工作压力定0.83mpa(g) 固容规规定：8.3.2条安全阀的整定压力在图样上标注有最高允许工作压力的，可以采用最高允许工作压力确定安全阀的整定压力。新旧容规对比如下：框里的是老容规查看更多

#丁二烯

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工艺技术

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为什么合成氨流程中CO变换和甲醇合成中CO变换不一样? 因为合成氨反应是氢气和氮气的反应主要是氢气和氮气对co是合成反应中是微量对合成反应不利在甲醇合成反应中需要co它是ｃｏ和氢气和ｃｏ反应生成甲醇所以它们不一样查看更多

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aspen 的convergence次数可否自己设定? aspen 的convergence次数可以设定,在onvergence子栏method里,最大可达9999次查看更多

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锥形封头的折边？ 您可以看看这个执行标准为gb/t 25198-2010。折边也与材料的厚度、直径等都有关系。详细了解材料知识，扣扣1941054758查看更多

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合成废锅产蒸汽量计算? 假设气体出口75℃，也就产4公斤蒸汽1.8t/h。查看更多

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安装了HGcad插件后打开自己以前做过的图立马都变为白 ...？插件有副作用很正常哈、如果图层颜色没有变动，改起来也很快哈！好吧就怕这些副作用把自个的图弄的坏了或者自己都不知道怎么改了就麻烦了查看更多

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简介

职业：宁波墨西科技有限公司 - 工艺专业主任

学校：襄樊学院 - 化学系

地区：青海省

个人简介：把时间用在思考上是最能节省时间的事情。查看更多

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