多晶硅的氮化和氧化是怎么一回事? 产生夹层原因： 1、由于氧化而生成氧化夹层 (1) 原因： ① 氢气净化效果不好，露点或含氧量超标； ② 炉壁吸附着水分； ③ 炉筒内漏油、底盘或电极有微量渗水； ④ 操作不当引入氧气和水分。 (2) 消除办法： ① 严格控制净化后的纯氢质量及干法系统回收氢质量，要求氢中氧含量小于等于5ppm，露点低于-50ºс； ② 还原大厅内要保持干燥； ③ 开炉前按规定通入氮气、纯氢分别置换炉内的空气和氮气。装拆炉时间要求短些，避免炉内在空气中暴露时间太长，停炉前控制炉筒出水温度～60ºс； ④ 炉壁、底盘、电极等处出现沙眼，有微量渗水时，可见泄露处有白色水解物。发现这种情况立即停炉，然后拆下清洗，清洗完毕进行焊补。若电极泄露，则调换一根，视炉内情况，可重新投入生产。 2、由于无定型硅的生成而产生的夹层 (1) 原因： ① 硅芯高压高压启动后，表面温度若低于900 ºс进行还原反应，就容易生成无定型硅。在硅芯发热体和新沉积的硅之间有一圈，许多情况属于这一类； ② 突然停电，硅棒温度迅速降低，而通入炉内的sihcl3和h2尚未停止，此时反应仍在进行，于是生成一层不定型硅，如果把这种硅棒重新击穿继续生产也要形成夹层。 (2) 消除办法： ① 开炉时硅芯发热体温度1050 ºс后，才能通入混合气； ② 若停电时间较长，停电后还要继续开炉，则在停电前，首先关闭挥发器混合气体出口阀，停止sihcl3的通入，氢气从侧路进入炉内，把残余气体尽可能赶走，然后在氢气气氛中慢慢降温，降温完备后继续通氢，直至重新开炉。 3、由于生长过程中温度不稳定而形成的查看更多
第1天
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