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仪器设备

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求脉冲除尘器电除尘静电除尘品牌排行？ 我们家脉冲除尘器，主机是采购用西门子涡旋高压风机，业绩非常之多。可以跟我联系。查看更多

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请翻译Integral Orifice的意思？一体化孔板和内藏孔板是一个意思。所谓一体化，就是孔板和差压变送器做成一个整体，一般前后直管段都自带好，直接安装在管道上；所谓内藏，就是孔板内藏在自带的前后直管段上，直接安装在管道上。一个概念，描述的角度不同罢了。顺带一句，一般只用于小管线，2“及以下吧。查看更多

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AR Suction是什么呀? 关键是“ar”是什么缩写，工艺介质？辅助介质？还是某段工艺名称？甚至是设备名称缩写？有效信息太少，瞎猜毫无意义。查看更多

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化学学科

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仪器设备

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工艺技术

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往复式压缩机？ 先保证水冷却和油润滑系统正常。在检查电气系统正常否。把一些辅助的设施正常运行，才能开本机。与国产的压缩机原理大同小议。查看更多

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化学学科

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仪器设备

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低温甲醇洗？ 看来你们也是两台炉子，两台炉子停一台，不好操作呀。这种情况下，你的系统压力是否稳定呀？查看更多

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化学学科

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有机硅行情的问题？ 国内的技术不行，高端的就用进口，很多化工行业都这样我说一下，仅供参考：有机硅行业必须依靠研发，只有这样才能长久处于不败之地。查看更多

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多晶硅技术保密？ 应该是生产工艺要保密。查看更多

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工艺技术

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换个思路解决水煤浆气化的黑水管道结垢问题？从结垢的原理上来讲，提高流速，是有利于减缓结垢的。我觉得选择不超过1.5m/s更多的是工艺性的选择。激冷水是有水泵打进去的，流速还好控制，黑水是从气化炉、洗涤塔下放出来的，且也有企业发生过黑水管线堵塞，这部分要减小管径来提高流速，潜在风险太大，不太可行。另外，如5楼所说，提高压头什么的，就是一个运行经济性的问题，不同流体有不同的经济流速，这方面超过1.5m/s好还是不好就不太清楚了。查看更多

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化学学科

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求多晶硅过程所用的催化剂？三、三氯氢硅合成的技术条件： 1、反应温度：反应温度对三氯氢硅的生成影响较大，温度过低则反应缓慢，过高（大于450℃）则反应生成的sihcl3量降低sicl4量增加，这是因为sicl4结构具有高度的对称性，硅原子与氯原子是以共价键结合的，所以生成sicl4时反应温度高达600℃时也不会引起热分解，而sihcl3的分子结构是不对称的，硅原子和氢原子结合近于离子键，所以不稳定，由于sihcl3的热稳定较差，在400℃时就开始分解，550℃剧烈分解，因此在生产过程中用适当的反应温度（280～320℃）是提高sihcl3含量的有效途径。 2、氧和水份：游离氧和水份，对合成反应极为有害，因为si—o键比si—cl键更为稳定，反应产物极易发生氧化和水解，使sihcl3的产率降低，水解生成的硅胶会堵塞管道，使操作发生困难，水解产生的盐酸对设备有强烈的腐蚀作用。游离氧或水份，还能在硅表面逐渐形成一层致密地氧化膜，影响正常反应的进行，如果硅粉和hcl中含水量愈大，则产物中sihcl3的含量愈低，由下图可见：当hcl的含水量0.1%时则sihcl3含量小于80%，当hcl含量为0.05%则sihcl3含量增加到接近90%，因此si粉及hcl必须预先干燥脱水。 3、氯化氢的稀释：在合成反应中，加入适量的氢，会使反应朝着有利于sihcl3生成的方向进行，这是因为： si+3hcl→(280～320℃)sihcl3+h2+50千卡/克分子反应的平衡常数。 kp1=psihcl3&#8226 h2/p3hcl 即psihcl3=kp1•(p3hcl/ph2 )……(1) 反应sihcl3+hcl=sicl4+h2(在合成过程中伴随反应)的平衡常数。 kp2=psicl4&#8226 h2/psihcl3&#8226 hcl 即psicl4=kp2•(psihcl3&#8226 hcl/ph2)……(2) (1)(2)两式相乖得 psihcl3&#8226 sicl4=kp1•kp2(psihcl3•p4hcl/p2h2) psicl4= kp1• kp2 •(p4hcl/p2h2)……(3) 由于上述两反应处于同一平衡体系则psihcl3 /psicl4 =[kp1•(p3hcl/ph2 )]/[ kp1• kp2 •(p4hcl/p2h2)] =ph2/kp2•phcl）……（4）当加h2稀释时，h2增大，而hcl相应降低从（4）式可知psihcl3 /psicl4大比值增大，即表明sihcl3/sicl4的克分子比增大因而合成液中(sihcl3+sicl4)sihcl3的含量也随之增加。当采用氢稀释hcl气体时，h2/hcl的克分子之比一般为1：3～5为适宜。加氢还能带出反应所生成的大量热量，起着冷却剂的作用对调节炉温有利。 4、催化剂：制备sihcl3时使用催化剂能降低硅和hcl反应温度，提高sihcl3的反应速度和产率；同时还能避免少量氧和水份的有害影响。如加入cu5%的硅合金能降低反应温度240～250℃并能提高sihcl3含量，还有加入氯化亚铜（cu2cl2）粉其比例si:cu2cl2=100:0.4～1,当温度控制在280℃时，sihcl3含量可达85～95%。 5、硅粉的粒度：硅粉与hcl气体的反应是在硅表面上进行的，因此硅粉的表面积大（颗粒度小）有利于反应。但是粒度过小，在“沸腾”过程中互相碰击，易磨擦起电，在电场作用下聚集成团，使沸腾床出现沟流现象，影响反应正常进行，而且颗粒过小，被气流挟带出合成炉的可能性变大，既浪费原料也易造成阻塞。实践表明，采用80～120目的硅粉对获得高含量的sihcl3且维持正常操作是合适的。 6、硅粉料层高度及hcl流量硅粉料层高度及hcl流量，也是影响sihcl3产量和质量的重要因素，一般根据沸腾床面积及高度的大小。由实践确定，如果料层过高，为了保持沸腾状态，则要求过高的hcl压力，但这会造成合成炉中硅粉易被气流带出的缺点，也造成后面系统产生阻塞，给生产带来困难；如果料层过低，沸腾的不均匀性增大，反应温度不易控制。hcl流量过小，沸腾情况变差，hcl往往沿着“短路”通过料层，反应不充分，sihcl3产率降低。硅粉料层高度是指硅粉的静止料层高底，其计算方法为（以合成炉φ300×6830为例，投料量为135公斤。） h=q硅/d硅×f 式中； h——硅粉静止料层的高度（米） d硅——硅粉堆积密度（公斤/米3） q硅——硅粉重量（公斤） f——沸腾床合成炉截面积（米2） 80～120目硅粉的堆积密度为1310公斤/米3，沸腾床合成炉截面积为： f=d2•∏/4=0.32•0.785=0.07065米2 则h=135/（1310×0.07065）=1.459米因此每公斤硅粉的静止料层高度为（1.459/135）=0.0108米。所以一般硅粉静止料层的高度控制在0.875～1.459米. 在此种情况下hcl流量控制在30～35米3/小时. 从上述分析可以看出，影响sihcl3的产量和质量的因素是多方面的，在应用于生产中应将理论与实践很好地结合起来，才能选择和确定出获得优质高产的操作技术条件，此外还要改造工艺设备和工艺管路，使生产正常进行，并降低原料消耗定额，减轻环境的污染程度。查看更多

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中间冷却器和后冷却器的模拟问题？ 吧缓冲罐按照管道的形式进行建模，放入弹簧。查看更多

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晒图汇报成绩专贴注册化工、注册公用设备、结构、岩土成 ...？ 第一天74+76，第二天32+30，压线通过查看更多

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湿法磷酸二水-半水工艺? 二水半水法表面看不经济，因为二水法稀酸浓度低，半水法浓度高，半水二水法表面上看可以获得高浓度稀酸，同时二水法过滤，与二水法湿法磷酸相差不大，但半水法设备要求高，腐蚀、结垢问题目前无法解决。二水半水法利用三氧化硫控制，很巧妙的解决了这些问题，但是稀酸浓度不高，只有30-35左右，但是工艺控制简单，设备要求低，收率高，同时30-35的稀酸浓度对浓缩产能提升很大。查看更多

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管线腐蚀后是应该补孔还是更换管线? 管道的实际使用寿命，可通过多次检测评估后确定。调查腐蚀原因，根据调查情况确定其它管道处理方案。查看更多

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关于注册化工工程师调转关系的问题？ 希望高人指点一下！！先谢过了！！查看更多

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仪器设备

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如果全厂突然停电，机组怎么处理? 我想每个工厂都会提前编制这样的应急预案的，真的等到事故出现发生了，严格按照应急预案把装置安全停下来就 ... 在保证安全的前提下，也总不能放弃设备吧？可以尽快的采取手动盘车和缸体降温措施啊。查看更多

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安全环保

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微生物

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关于SCBA（正压式空气呼吸器）的检查有哪些注意事项？非常感谢各位的热情回答，我的提问可能表述不清了。我们是外资企业，马上要有个内部审查，因此想了解一下有哪些国标或行业标准对此有要求，最好能有这些要求相应出处的。查看更多

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平面配管04CAD小插件？ 急需查看更多

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工艺技术

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around 如何理解（关于压力控制）？ around应该是表示在那个时间段之内的意思吧？这个third stage不知道是该翻译为第三阶段还是翻译为三级。。。。查看更多

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工艺技术

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如果在鄂尔多斯建厂使用神华煤匹配的气化炉选哪个好呢！ ...？ 如果不缺钱,就上壳牌; 如果没钱,就航天炉. 航天炉, 吊丝的选择!!查看更多

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加氢精制装置加氢进料泵？ 国产的液力透平设备哪家的比较好用性价比高？用过的说说，用国外的也谈谈使用心得查看更多

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简介

职业：上海益丝科贸有限公司 - 设备维修

学校：山东丝绸纺织职业学院 - 染化工程系

地区：山西省

个人简介：真正的友谊无论从正反看都应一样，不可能从前面看是蔷薇而从后面看是刺。查看更多

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