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透明导电薄膜的研究现状及应用？透明导电薄膜的研究现状及应用透明导电薄膜的种类有很多，但氧化物膜占主导地位（例如ＩＴＯ和ＡＺＯ膜）。氧化铟锡（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ简称为ＩＴＯ）薄膜、氧化锌铝（Ａｌ－ｄｏｐｅｄＺｎＯ，简称ＡＺＯ）膜都是重掺杂、高简并ｎ型半导体。就电学和光学性能而言，它是具有实际应用价值的透明导电薄膜。金属氧化物透明导电薄膜（ＴＣＯ：ＴｒａｎｓｐａｒｅｎｔａｎｄＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＯｘｉｄｅ的缩写）的研究比较早，Ｂａｋｄｅｋｅｒ于１９０７年第一个报道了ＣｄＯ透明导电薄膜。从此人们就对透明导电薄膜产生了摘要：综述了当前透明导电薄膜的最新研究和应用状况，重点讨论了ITO膜的光电性能和当前的研究焦点。指出了目前需要进一步从材料选择、工艺参数制定、多层膜光学设计等方面来提高透明导电膜的综合性能，使其可见光平均透光率达到92%以上，从而满足高尖端技术的需要。关键词：透明导电，薄膜，平均透光率，ITO，电导率 1 前言浓厚的兴趣，因为从物理学角度看，透明导电薄膜把物质的透明性和导电性这一矛盾两面统一起来了。１９５０年前后出现了硬度高、化学稳定的ＳｎＯ２基和综合光电性能优良的Ｉｎ２Ｏ３基薄膜，并制备出最早有应用价值的透明导电膜ＮＥＳＡ（商品名）－ＳｎＯ２薄膜。ＺｎＯ基薄膜在２０世纪８０年代开始研究得火热。ＴＣＯ薄膜为晶粒尺寸数百纳米的多晶；晶粒取向单一，目前研究较多的是ＩＴＯ、ＦＴＯ（Ｓｎ２Ｏ：Ｆ）。１９８５年，ＴａｋｅａＯｊｉｏＳｉｚｏＭｉｙａｔａ首次用汽相聚合方法合成了导电的ＰＰＹ－ＰＶＡ复合膜，从而开创了导电高分子的光电领域，更重要的是他们使透明导电膜由传统的无机材料向加工性能较好的有机材料方面发展。透明导电膜以其接近金属的导电率、可见光范围内的高透射比、红外高反射比以及其半导体特性，广泛地应用于太阳能电池、显示器、气敏元件、抗静电涂层以及半导体／绝缘体／半导体（ＳＩＳ）异质结、现代战机和巡航导弹的窗口等。由于ＩＴＯ薄膜材料具有优异的光电特性，因而近年来得以迅速发展，特别是在薄膜晶体管（ＴＦＴ）制造、平板液晶显示（ＬＣＤ）、太阳电池透明电极以及红外辐射反射镜涂层、火车飞机用玻璃除霜、建筑物幕墙玻璃等方面获得广泛应用，形成一定市场规模。制备透明导电薄膜的方法很多：物理汽相沉积（ＰＶＤ）（喷涂法、真空蒸发、磁控溅射、高密度等离子体增强（ＨＤＰＥ）蒸发、脉冲激光沉积（ＰｕｌｓｅｄＬａｓｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，简称ＰＬＤ）技术、化学汽相沉积（ＣＶＤ）、原子层外延（ＡＬＥ）技术、反应离子注入以及溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）技术等。然而，适合于批量生产且已经形成产业的工艺，只有磁控溅射法和溶胶－凝胶法。特别是，溅射法由于具有良好的可控性和易于获得大面积均匀的薄膜，而被广泛应用于显示器件中ＩＴＯ薄膜的制备。美欧和日本均在发展ＩＴＯ产业，其中日本夏普、日本电气和东芝三大公司都在其工厂内开发ＩＴＯ薄膜。深圳几家导电玻璃公司在进口和国产生产线上制造ＬＣＤ用导电玻璃。而ＡＺＯ薄膜由于其在实用上还有许多问题，现在还处于研究阶段。综上所述，ＩＴＯ薄膜性能优异，制造技术成熟，产品应用广泛，需求量巨大，产业化前景看好。 2 透明导电膜的性能透明导电膜是指：１）对可见光（λ＝３８０～７８０ｎｍ）的光透射率高；２）电导率高。确切地说，可见光的平均透光率Ｔａｖｇ＞８０％，电阻率在１０－３Ω·ｃｍ以下的薄膜才能称为透明导电膜。透明就意味着材料的能带隙宽度大（Ｅｇ＞３ｅＶ）而自由电子少。另一方面，电导率高的材料又往往自由电子多而像金属，从而不透明。只有能同时满足这两种条件的材料才能使用在透明导电膜上，这就从理论和工艺上给人们提出了有趣的矛盾。为了使透明金属氧化物膜具有一定的导电性，就必须使薄膜材料的费米半球的中心偏离动量空间原点。根据固体物理学的理论，可以利用“载流子密度”的“杂质半导体”技术，制备既有较高的电导率又有良好透光性能的薄膜。现在制备透明导电膜的技术有两种：１）造成氧空位在；２）掺杂。 2.1 ITO薄膜的结构用ＳＥＭ（扫描电镜）研究了采用各种技术生长的ＩＴＯ薄膜的微结构，结果表明：各种方法制备的ＩＴＯ膜都为立方铁锰矿多晶结构（即立方Ｉｎ２Ｏ３结构）。工艺不同其多晶结构主取向不同，也会稍微影响其晶格常数。组成多晶体的大晶粒中含有亚晶粒区Ｉｎ２Ｏ３。 2.2 ITO薄膜的电学性质ＩＴＯ膜的主要成分是Ｉｎ２Ｏ３，其禁带宽度为３．７５～４．０ｅＶ，所以Ｉｎ２Ｏ３是一种透光性较好的材料，其导电不是依靠本征激发而是依靠附加能级上的电子和空穴激发。ＩＴＯ薄膜实际上是一种高简并的ｎ型半导体，因为掺锡和形成氧空位分布于材料中从而使其导电粒子－载流子密度ｎｅ大大增加（１０２１ｃｍ－３　，电阻率δｅ急剧下降（７×１０－５Ω·ｃｍ），电导率很接近于金属导体，δｅ＝ｎｅｅμｅ，式中μｅ为电子迁移率ｅ为电子电荷）。掺锡后的Ｉｎ２Ｏ３可表示为Ｉｎ３＋２－ｘＳｎ３＋ｘ·Ｏ３，掺杂反应可表示为Ｉｎ２Ｏ３＋ｘＳｎ４＋→Ｉｎ３＋２－ｘ（Ｓｎ４＋·ｅ　ｘ·Ｏ３＋ｘＩｎ３＋形成氧空位的反应可表示为：Ｉｎ２Ｏ３→Ｉｎ３＋２－ｘ（Ｉｎ２＋ｘ·２ｅ）ｘＯ２－３－ｘ＋ｘ／２Ｏ２↑ Ｓｎ４＋与Ｉｎ３＋的半径相近，于是Ｓｎ４＋容易置换部分Ｉｎ３＋。易变价的Ｓｎ４＋俘获一个电子而变成Ｓｎ４＋·ｅ即Ｓｎ３＋而保持电中性。这个电子与Ｓｎ４＋的联系是弱束缚的，是载流子来源之一。另一方面，在还原处理ＩＴＯ膜时，Ｉｎ２Ｏ３中的部分氧离子（Ｏ２－）脱离原晶格，留下的电子使部分铟离子（Ｉｎ３＋）变为低价的（Ｉｎ＋），即符合化学计量比的Ｉｎ２Ｏ３变为Ｉｎ３＋２－ｘＩｎ＋Ｏ２－３－ｘ。这样可获得高电导率高透光率的ＩＴＯ膜。 2.3 ITO薄膜的光学性质ＩＴＯ薄膜在可见光区λ＝３６０～７８０ｎｍ）透过率达到９０％以上，红外反射（λ＝１－２μｍ）可超过９０％。对微波具有明显的衰减作用，可将电磁波降到－３０ｄＢ，人们发现透明导电膜都存在“蓝移”现象Ｂｕｒｓｔｉｎ－Ｍｏｓｓｅｆｆｅｃｔ），一般随着掺杂比增大，光吸收边界的“蓝移”现象越明显。掺铝氧化锌ＺｎＯ：Ａｌ）薄膜是纤锌矿结构，如图２所示。ＡＺＯ膜也是ｎ型半导体。这种薄膜的可见光透过率一般在８９％左右，在氢气环境中的化学稳定性比ＩＴＯ薄膜要温度。电阻率可达到３．０×１０－４Ω·ｃｍ。 3.透明导电膜的种类经过近一个世纪的研究，目前透明导电薄膜主要有：金属膜系、ＴＣＯ、其它化合物膜系、高分子膜系、复合膜系等，如表１所述。其中应用最为广泛的是前两种。 4 TCO薄膜制备工艺的进展 4.1 衬底材料衬底材料的选择，除要求其透明之外，尚需考虑它与ＴＣＯ薄膜热膨胀系数的匹配。ＴＣＯ膜衬底一般采用非晶ＳｉＯ２涂层的钠钙玻璃（ＳｉＯ２涂层的作用是抑制玻璃中Ｎａ＋向ＩＴＯ薄膜扩散）、单晶硅、ＺｎＳ等硬衬底材料，也可采用柔软的聚合物材料。对于玻璃衬底，一般采用ＰＶＤ、ＤｉＰ－ｃｏａｔｉｎｇ、ＭＳ、ＣＶＤ；塑料衬底，一般用真空蒸镀、溅射法、离子镀。 4.2 物理汽相沉积（PVD）目前已能用各种ＰＶＤ技术，包括ＥＢ蒸发、ＨＤＰＥ蒸发和ＤＣＭＳ（直流磁控溅射）等沉积出较高质量的ＴＣＯ薄膜。ＭＳ（溅射）工艺制备ＩＴＯ薄膜是一种非常成熟的方法，其主要是利用直流（Ｄ．Ｃ．）和射频（Ｒ．Ｆ．）电源在Ａｒ或Ａｒ－Ｏ２混合气体中产生等离子体，对合金靶（Ｉｎ：Ｓｎ）或氧化物陶瓷靶（Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２）进行轰击，通过控制工艺参数可在各种衬底上获得大面积均匀ＩＴＯ薄膜。因此获得广泛应用。表２比较了各种ＰＶＤ法制备ＩＴＯ薄膜。图３是ＰＬＤ沉积工艺原理图，高真空系统的ＫｒＦ激光器发出脉冲激光会聚在靶表面使其表面融化汽化沉积到基片上成膜。ＰＬＤ沉积薄膜具有很多优点：工艺可重复性、化学计量比精确、单一晶相、晶粒择优取向等。操作上十分简单，可以通过改变激光脉冲频率（１～４００Ｈｚ）获得较高的沉积速率（０．３～１００ｎｍ／ｓ）而不改变基本的物理工艺。此外，通过改变气压（１０－２～１００Ｐａ）来控制成膜粒子的能量ｌ～１００ｅＶ但ＰＬＤ的应用还不普遍。无论使用何种方法，制备工艺条件（靶中锡掺杂量、淀积速率、氧分压、衬底温度、功率、退火处理、膜厚）对ＩＴＯ薄膜的光电特性都有极大影响。优化这些工艺参数，可获得优质ＩＴＯ薄膜。 4.3 化学汽相沉积（CVD）法化学汽相沉积（ＣＶＤ）法是气态反应物在衬底表面发生化学反应而沉积成膜的工艺。衬底表面上发生的这种化学反应通常为某种源料（铟锡）的热分解和原位氧化。如果在ＣＶＤ法中采用ＴＣＯ的有机金属化合物作为源材料，则称为ＭＯＣＶＤ法。例如制备ＩＴＯ膜：Ｉｎ（Ｃ５Ｈ７Ｏ２）３（ｇ）＋３６Ｏ２（ｇ）→Ｉｎ２Ｏ３（ｇ）＋３６ＣＯ２（ｇ）＋２１Ｈ２Ｏ（ｇ）（ＣＨ３）４（ｇ）＋８Ｏ２→ＳｎＯ２（ｓ　＋４ＣＯ２（ｇ）＋６Ｈ２Ｏ（ｇ） 4.4溶胶-凝胶（Sol-Gel）法按工艺分为旋涂法（ＳｐｉｎＣｏａｔｉｎｇ）和浸涂法（Ｄｉｐ－Ｃｏａｔｉｎｇ）。旋涂法制膜工艺一般为：浸涂法工艺制备ＡＺＯ薄膜的一种典型过程如图４所示。将衬底插入含有金属离子的溶液中，然后以均匀速度将其提拉出来；在含有水分的空气中，水解和聚合反应同时发生；最后通过热处理形成薄膜。按溶质分类Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法可分有机醇盐（成本高）、无机盐。后者可先通过热分解制成粒子胶体后成膜，也可先成膜后再热分解。但，无机盐的水解、聚合性能远不如有机醇盐，常要在溶胶中加入成膜剂。Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备薄膜的优点是能大面积均匀成膜、无需昂贵的真空设备、利于实际应用。实践表明采用该工艺在玻璃两面制成ＴＣＯ薄膜的热镜性能优于传统镀银薄膜。 5 透明导电薄膜的研究现状及应用 5.1 透明导电薄膜的研究现状现在ＴＣＯ膜的研究范围很广泛，很热门，材料品种很多，但主要集中在ＩＴＯ以及Ｉｎ２Ｏ３和其他氧化物混合的领域。目前ＩＴＯ薄膜不仅电子密度ｎｅ可高达１０２１ｃｍ－３，电子迁移率μｅ在１５～４５０ｃｍ２·Ｖ－１·ｓ－１范围，电阻率可低到７ｘ１０－５Ω·ｃｍ，且对可见光的透射率在９０％以上，对红外光的反射率也在９０％以上。这些优良的光电性能和易刻蚀，使ＩＴＯ薄膜成为典型的透明导电薄膜材料而成为主流产品。近来关于ＡＺＯ膜的研究开始热起来，这主要是ＡＺＯ不仅具有ＩＴＯ的基本性能而且还有其他优良性能（在氢环境中更稳定），有望不久成为ＩＴＯ的替代产品。高分子透明导电薄膜的研究取得了不少突破。将宽禁带的透明绝缘体Ｉｎ２Ｏ３，通过掺锡和形成氧空位转变为高简并半导体或透明导电ＩＴＯ薄膜，这是材料改性研究或功能设计的成功，无论是在理论研究上还是在应用开发上都有重要意义。由于单一组分的透明导电薄膜固有的物理、化学性能方面的缺陷，使得它们在光学、电学、化学性能方面受到限制，极大地影响其应用。为了克服ＴＣＯ膜单一组分的缺陷，研究者开始研究通过改变靶的成分将二元氧化物（ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２）或三元氧化物（Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２）按一定的比例进行烧结，从而提高了薄膜的光电性能。例如日本的Ｔ．Ｍｉｎａｘｍｉ等人先后研究了用纯度为９９．９９％的氧化物粉末在通过烧结形成靶材，利用直流／射频磁控溅射的方法制备了ＺｎＯ－ＳｎＯ２Ｚｎ２Ｉｎ２Ｏ５－Ｉｎ４Ｓｎ３等膜，其中在室温下５０Ｗ功率制备膜厚为２０ｎｍ的Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２膜的可见光平均透光率Ｔａｖｇ＞９６％，Ｚｎ２Ｉｎ２Ｏ５膜的Ｔａｖｇ＞９５％，方阻达到２５０～７５０Ω／ｃｍ２当膜厚在１３０ｎｍ时，其方阻只有几十Ω／ｃｍ２。他们还研究了ＺｎＯ－Ｉｎ２Ｏ３，Ｉｎ２Ｏ３－ＣａｌｎＯ３ＺｎＯ－Ｏ１２Ｖ２Ｏ５，也得到了较好的结果。这已成为现在研究的主要方向。国内也紧跟国际研究趋势，纷纷进行报道。文献报道了用超声雾化喷涂（ＵＳＥＳ）工艺制备了优质二氧化锡透明导电薄膜。ＵＳＥＳ、ＭＯＣＶＤ法尽管可以制备出低电阻率、高可见光透射率的ＩＴＯ薄膜，但需要预先制备高蒸发速率的反应前体，因此成本较高、操作困难，现在还不适合工业化生产。文献报道由纯掺杂聚苯胺溶液或掺杂聚苯胺与ＰＳ、ＰＭＭＡ或ＥＶＡ共混液涂覆在透明基体膜上，复合膜在５００～７００ｎｍ波段，透光率＞８０％，表面方阻达到１０２～１０３Ω·ｃｍ－２。但是，国内并没多少人对多组分的情况进行研究，这一点要引起我们的重视，因为这种改性方法是一种新的尝试。ＡＺＯ（Ａｌ－ｄｏＰｅｄＺｎＯ）透明导电薄膜的研制开发国内外在广泛进行，但目前尚无竞争力，即处于研究与开发阶段，其特点是制造成本低于ＩＴＯ、无毒、易光刻加工、在氢气氛中的化学稳定性比ＩＴＯ膜好，有可能替代ＩＴＯ产品，尤其在太阳能电池透明电极领域。南韩的Ｗｏｏｎ－ＪｏＪｅｏｎｇ用ＡＺＯ靶制备膜的Ｔｖａｇ＞９５％。Ｔ．Ｓｃｈｕｌｅｒ等人利用图４所示浸涂法制备单层和多层ＡＺＯ薄膜的工艺，最后４００～４５００Ｃ经过热处理所沉积的薄膜的Ｔａｖｇ达到８９％。国内在ＡＺＯ方面的研究比较落后，取得技术上的突破还有待时日。金属膜系列具有良好的导电性但透明度差的特点。这主要是因为金属中自由电子多。为了获得好的透明导电性、良好的机械性能，一般采用衬底膜／金属膜／上层膜的夹式结构。其中的金属层的厚度控制在１２～２５ｎｍ之间（具体数值与材料有关）两头的采用ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等氧化物。设计时适当的选择上下两层的折射系数、光学膜厚，使这种结构的膜系既可减反又具有保护中间金属层的作用，且可提高可见光透过率。为了提高Ｔａｖｇ，研究者在材料和工艺上创新，各种新工艺不断涌现。此外，国内外开始从光学上设计多层膜提高Ｔａｖｇ，目前有文献报道ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ、ＺｎＳ／Ａｇ／ＺｎＳ、ＡＺＯ多层膜，但是仍无法达到高尖端产品需要达到的光电性能。作为高新技术，我国目前最高只能开发出可见光平均透光率达到８８％左右的透明导电膜，还没有超过９０％。在高透光率低方阻透明导电膜的研究领域里，将是机遇与挑战并存，需要我们做更深入的研究。 5.2 透明导电薄膜的产业化应用透明导电膜因其特殊性，在电气和航空方面对其透光率和导电率都有很高的要求，其综合性能常用直属ＦＴＣ来评价：ＦＴＣ＝Ｔ１０／ＲＳ。Ｔ是薄膜的透光率ＲＳ是薄膜的方阻值；在光学应用方面，则要求其对可见光有好的透射性和对红外有良好的反射性。对其基本要求是：①表面方阻低，②透光率高，③面积大、重量轻，④易加工、耐冲击。表３归纳了透明导电薄膜的应用。ＩＴＯ因其良好的光电性能和刻蚀性，能制作复杂的电极，是ＬＣＤ显示器中的关键元件。ＬＣＤ代替ＣＲＴ已是必然。太阳能电池中ＩＴＯ／ｐ－Ｉ－ｎ／ＩＴＯ／Ｍｅｔａｌ结构可以提高能量的转化率１５％以上。低压钠灯采用ＴＣＯ等红外反射膜使光效提高到２００ｌｍ／Ｗ。巡航导弹电视制导头罩上沉积透明导电膜可提高其命中率。 6 未来展望ＤＣＭＳ、ＭＯＤＶＣ以及Ｓｏｌ－Ｇｅｌ技术，已经开发成熟，形成批量生产能力。美、日、德垄断了ＩＴＯ薄膜的关键技术并占领相当市场。ＩＴＯ薄膜产品已经在电子、航空等领域得到广泛的应用。ＩＴＯ薄膜产业化进程正在加速发展，并日趋成熟。正在开发的高清晰度电视（ＨＤＴＶ），将为ＩＴＯ市场提供很好的发展空间，生产工艺和产品的发展前景十分看好。美国某研究机构预测透明导电薄膜在２００３年全球可达到２亿美元。随着国内信息产业技术的发展，从１９９８年起，国产笔段码液晶显示器、点阵显示器已跃居世界产量第一，但与其相配套的ＩＴＯ透明导电膜技术还没有完全国产化。例如，高质量ＩＴＯ陶瓷靶却完全依赖进口，国内尚处于研发阶段，未形成批量生产。关键的镀膜工艺与先进国家还有很大的差距。所以我国科技部，北京、深圳等地纷纷将ＩＴＯ靶材及薄膜作为″十五”计划中优先发展的产业。现在许多关键技术已实现了国产化。近期ＩＴＯ薄膜的产业化将是稀有金属铟深加工和新型电子功能材料的主要方向之一。近年来ＡＺＯ膜的研究受到重视，因其资源丰富、价格便宜、无毒、进一步研究的空间很大，可望成为ＩＴＯ薄膜的替代。从而解决铟资源短缺的困扰。这是研究开发的一个大趋势之一。查看更多 0个回答 . 4人已关注

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实验室安全制度（超详细）？   实验室安全制度 〔最完整的制度〕 实验室安全规定 在化学实验中，经常使用各种化学药品和仪器设备，以及水、电、煤气，还会经常遇到高温、低温、高压、真空、高电压、高频和带有辐射源的实验条件和仪器，若缺乏必要的安全防护知识，会造成生命和财产的巨大损失。因此实验室必须按"四防"（防火、防盗、防破坏、防治安灾害事故）要求，建立健全以室主要负责人为主的各级安全责任人的安全责任制和各种安全制度，加强安全管理。 1.重要规定： 1.1穿著规定： 1.        进入实验室，必须按规定穿戴必要的工作服。 2.        进行危害物质、挥发性有机溶机、特定化学物质或其它环保署列管毒性化学物质等化学药品操作实验或研究，必须要穿戴防护具（防护口罩、防护手套、防护眼镜）。 3.        进行实验中，严禁戴隐形眼镜。（防止化学药剂溅入眼镜而腐蚀眼睛） 4.        需将长发及松散衣服妥善固定且在处理药品之所有过程中需穿著鞋子。 5.        操作高温之实验，必须戴防高温手套。 1.2饮食规定： 1.        避免在实验室吃喝食物且使用化学药品后需先洗净双手方能进食。 2.        严禁在实验室内吃口香糖。 3.        食物禁止储藏在储有化学药品之冰箱或储藏柜。 1.3药品领用、存储及操作相关规定： 1.        操作危险性化学药品请务必遵守操作守则或遵照老师操作流程或进行实验；勿自行更换实验流程。 2.        领取药品时，该确认容器上标示中文名称是否为需要的实验用药品。 3.        领取药品时，请看清楚药品危害标示和图样；是否有危害。 4.        使用挥发性有机溶剂、强酸强碱性、高腐蚀性、有毒性之药品请必定要在特殊排烟柜及桌上型抽烟管下进行操作。 5.        有机溶剂，固体化学药品，酸、碱化合物均需分开存放，挥发性之化学药品更必需放置于具抽气装置之药品柜。 6.        高挥发性或易于氧化之化学药品必需存放于冰箱或冰柜之中。 7.        避免独自一人在实验室做危险实验。 8.        若须进行无人监督之实验，其实验装置对于防火、防爆、防水灾都须有相当的考虑，且让实验室灯开着，并在门上留下紧急处理时联络人电话及可能造成之灾害。 9.        做危险性实验时必须经实验室主任批准，有两人以上在场方可进行，节假日和夜间严禁做危险性实验。 10.    做有危害性气体的实验必须在通风橱里进行。 11.    做放射性、激光等对人体危害较重的实验，应制定严格安全措施，做好个人防护。 12.    请将废弃药液或过期药液或废弃物必须依照分类标示清楚，药品使用后之废（液）弃物严禁倒入水槽或水沟，应例入专用收集容器中回收。 1.4用电安全相关规定： 1.        实验室内的电气设备的安装和使用管理，必须符合安全用电管理规定，大功率实验设备用电必须使用专线，严禁与照明线共用，谨防因超负荷用电着火。 2.        实验室用电容量的确定要兼顾事业发展的增容需要，留有一定余量。但不准乱拉乱接电线。 3.        实验室内的用电线路和配电盘、板、箱、柜等装置及线路系统中的各种开关、插座、插头等均应经常保持完好可用状态，熔断装置所用的熔丝必须与线路允许的容量相匹配，严禁用其他导线替代。室内照明器具都要经常保持稳固可用状态。 4.        可能散布易燃、易爆气体或粉体的建筑内，所用电器线路和用电装置均应按相关规定使用防爆电气线路和装置。 5.        对实验室内可能产生静电的部位、装置要心中有数，要有明确标记和警示，对其可能造成的危害要有妥善的预防措施。 6.        实验室内所用的高压、高频设备要定期检修，要有可靠的防护措施。凡设备本身要求安全接地的，必须接地；定期检查线路，测量接地电阻。自行设计、制做对已有电气装置进行自动控制的设备，在使用前必须经实验室与设备处技术安全办公室组织的验收合格后方可使用。自行设计、制做的设备或装置，其中的电气线路部分，也应请专业人员查验无误后再投入使用。 7.        实验室内不得使用明火取暖，严禁抽烟。必须使用明火实验的场所，须经批准后，才能使用。 8.        手上有水或潮湿请勿接触电器用品或电器设备；严禁使用水槽旁的电器插座（防止漏电或感电）。 9.        实验室内的专业人员必须掌握本室的仪器、设备的性能和操作方法，严格按操作规程操作。 10.    机械设备应装设防护设备或其它防护罩。 11.    电器插座请勿接太多插头，以免电荷负荷不了，引起电器火灾。 12.    如电器设备无接地设施，请勿使用，以免产生感电或触电。 1.5 压力容器安全规定 1.        气瓶应专瓶专用，不能随意改装其它种类的气体； 2.        气瓶应存放在阴凉、干燥、远离热源的地方，易燃气体气瓶与明火距离不小于 5 米；氢气瓶最好隔离； 3.        气瓶搬运要轻要稳，放置要牢靠； 4.        各种气压表一般不得混用； 5.        氧气瓶严禁油污，注意手、扳手或衣服上的油污； 6.        气瓶内气体不可用尽，以防倒灌； 7.        开启气门时应站在气压表的一侧，不准将头或身体对准气瓶总阀，以防万一阀门或气压表冲出伤人。 8.        搬运应确知护盖锁紧后才进行。 9.        容器吊起搬运不得用电磁铁、吊链、绳子等直接吊运。 10.    厂内移动尽量使用手推车，务求安稳直立。 11.    以手移动容器，应直立移动，不可卧倒滚运。 12.    用时应加固定，容器外表颜色应保持显明容易辨认。 13.    确认容器之用途无误时方得使用。 14.    每月检查管路是否漏气。 15.    查压力表是否正常。 1.6环境卫生 1.        各实验室应注重环境卫生，并须保持整洁。 2.        为减少尘埃飞扬，洒扫工作应于工作时间外进行。 3.        有盖垃圾桶应常清除消毒以保环境清洁。 4.        垃圾清除及处理，必须合乎卫生要求应按指定处所倾倒，不得任意倾倒堆积影响环境卫生。 5.        凡有毒性或易燃之垃圾废物，均应特别处理，以防火灾或有害人体健康。 6.        窗面及照明器具透光部份均须保持清洁。 7.        保持所有走廊、楼梯通行无阻。 8.        油类或化学物溢满地面或工作台时应立即擦拭冲洗干净。 9.        养成使用人员有随时拾捡地上杂物之良好习惯，以确保实习场所清洁。 10.    垃圾或废物不得堆积于操作地区或办公室内。 11.    工业消防用水，应与饮用水分别由不同放于一定处所。 12.    盥洗室、厕所、水沟等应经常保持清洁。 2.安全防护2.1防火1.        防止煤气管、煤气灯漏气，使用煤气后一定要把阀门关好； 2.        乙醚、酒精、丙酮、二硫化碳、苯等有机溶剂易燃，实验室不得存放过多，切不可倒入下水道，以免集聚引起火灾； 3.        金属钠、钾、铝粉、电石、黄磷以及金属氢化物要注意使用和存放，尤其不宜与水直接接触； 4.        万一着火，应冷静判断情况，采取适当措施灭火；可根据不同情况，选用水、沙、泡沫、CO2 或 CCl4 灭火器灭火。 2.2防爆2.1化学药品的爆炸分为支链爆炸和热爆炸1.        氢、乙烯、乙炔、苯、乙醇、乙醚、丙酮、乙酸乙酯、一氧化碳、水煤气和氨气等可燃性气体与空气混合至爆炸极限，一旦有一热源诱发，极易发生支链爆炸； 2.        过氧化物、高氯酸盐、叠氮铅、乙炔铜、三硝基甲苯等易爆物质，受震或受热可能发生热爆炸。 2.2防爆措施1.        对于防止支链爆炸，主要是防止可燃性气体或蒸气散失在室内空气中，保持室内通风良好。当大量使用可燃性气体时，应严禁使用明火和可能产生电火花的电器； 2.        对于预防热爆炸，强氧化剂和强还原剂必须分开存放，使用时轻拿轻放，远离热源。 2.3防灼伤除了高温以外，液氮、强酸、强碱、强氧化剂、溴、磷、钠、钾、苯酚、醋酸等物质都会灼伤皮肤；应注意不要让皮肤与之接触，尤其防止溅入眼中。 2.4防辐射1.         化学实验室的辐射，主要是指 X-ray, 长期反复接受X-ray照射，会导致疲倦，记忆力减退，头痛，白血球降低等。 2.        防护的方法就是避免身体各部位（尤其是头部）直接受到X-ray照射，操作时需要屏蔽和缩时，屏蔽物常用铅、铅玻璃等。 3. “三废”处理3.1 废气1.        产生少量有毒气体的实验应在通风橱内进行。通过排风设备将少量毒气排到室外； 2.        产生大量有毒气体的实验必须具备吸收或处理装置。 3.2废渣少量有毒的废渣应埋于地下固定地点。 3.3废液1.        对于废酸液，可先用耐酸塑料网纱或玻璃纤维过滤，然后加碱中和，调PH值至6-8后可排出，少量废渣埋于地下。 2.        对于剧毒废液，必须采取相应的措施，消除毒害作用后再进行处理。 3.        实验室内大量使用冷凝用水，无污染可直接排放。 4.        洗刷用，污染不大，可排入下水道。 5.        酸、碱、盐水溶液用后均倒入酸、碱盐污水桶、经中和后排入下水道。 6.        有机溶剂回收于有机污桶内，采用蒸馏、精馏等分离办法回收。 7.        重金属离子（包括）沉淀法等集中处理： 4.实验室伤害的预处理 1.        普通伤口：以生理食盐水清洗伤口，以胶布固定。 2.        烧烫(灼)伤：以冷水冲洗15至30分钟至散热止痛→以生理食盐水擦拭（勿以药膏、牙膏、酱油涂抹或以纱布盖住）→紧急送至医院。（注意事项：水泡不可自行刺破） 3.        化学药物灼伤：以大量清水冲洗→以消毒纱布或消毒过布块覆盖伤口→紧急送至医院处理。 资料来源：<a href="http://www.yiqi120.com">www.yiqi120.com</a>查看更多 3个回答 . 2人已关注

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