十甲基环五硅氧烷简称D5。这种无色透明液体，在个人护理产品领域有着广泛的应用，成为了理想的调理剂和载体。类似的还有八甲基环四硅氧烷（D4），十二甲基环六硅氧烷（D6），它们三者都是一种易挥发性环氧硅烷。本文将介绍D5的特点、参数指标与应用。

特点

十甲基环五硅氧烷具有非常低的表面张力，因此可以快速渗透到皮肤深层，提供持久的滋润和保湿效果。同时，它的润滑性非常出色，可以在皮肤表面形成一层轻薄而持久的保护层，使皮肤触感更加柔软和细腻。

作为一种优质的载体，它能够有效携带其他活性成分，如抗氧化剂和植物提取物，使它们更容易被皮肤吸收。这一特性使得其在化妆品和护肤品等个人护理产品中发挥着至关重要的作用。

十甲基环五硅氧烷的安全性也得到了广泛认可。它无毒、无刺激性，不会给皮肤带来负担。因此，无论是敏感肌肤还是正常肌肤，都可以放心使用含有这种成分的个人护理产品。

参数指标

应用

十甲基环五硅氧烷在个人护理产品中的应用日益广泛。无论是面霜、乳液还是洗发水、沐浴露，它都能为产品带来出色的调理效果。它能够帮助产品更好地贴合肌肤，提高产品的渗透性和吸收性，从而使肌肤得到更好的呵护。它的出色特性和广泛应用，使得它成为了化学工程师们推荐的优质成分。

在涤纶的染色中，一般采用分散染料进行染色，但这种方法会产生大量的染色废水，对环境造成污染。为了解决这个问题，我们提出了一种无水染色方法，使用十甲基环五硅氧烷D5作为介质，无需任何助剂，采用纯分散染料上染，实现高染料上染率和匀染性。

热熔染色方法

我们的热熔染色方法如下：

(1)涤纶织物的预处理：对涤纶织物进行预处理，织物重50g，在30°C水温中处理1.5小时，然后在25°C条件下烘干30分钟。

(2)染色配方：分散染料（c. I分散红玉）：1.0% (o? w. f); 织物重：50g ; 浴比：1:20 ; 染色时间：30min。

(3)染色工艺流程：在溢流染色机中进行染色，室温下入染，以3°C /min升温至90°C，然后以2°C /min升温至190°C并恒温30分钟进行热熔固色，以2°C /min降温到60°C后进行还原清洗，最后水洗、烘干。

(4)还原清洗：将染色后织物按照GB2394-80方法进行还原清洗。清洗液的配方为浴比1:60 ;保险粉：1.5g/L ;氢氧化钠：30%，3.0ml/L ;净洗剂209 :2g/L ;温度80°C ;时间10分钟。

十四甲基环七硅氧烷(D7)是有机硅行业中一种重要的中间体，广泛应用于制备甲基硅油和其他有机硅高聚物，以及无线电零件的绝缘和防潮，气相色谱玻璃毛细管柱表面去活性剂等领域。

制备方法

制备过程如下：首先将含氢双封头(134.0g，1mol)和十甲基环五硅氧烷(371g，1mol)混合液滴加到剧烈搅拌的10％氢氧化钾水和甲苯溶液中，控制温度在50度以内，滴完后继续反应2小时。通过GC检测反应完毕后，进行静置和分液，有机层经过水、饱和氯化铵和饱和食盐水洗涤，然后经无水硫酸钠干燥，进行精馏，收集112-114度，15torr的馏分，得到中间体(3)(309g，61％)，GC分析纯度为96％。

接下来，将中间体(3)(252g，0.5mol)和无水三氯化铝(0.7g,5mmol)放入带有温度计、滴液漏斗和冷凝管的500ml三口瓶中，加热至40度后滴加乙酰氯(47g，0.6mol)。滴加过程中会产生放热，需要控制温度在65度以内。滴完后继续反应0.5小时，通过GC检测反应完毕后进行冷却和精馏，收集130度，15torr的馏分，得到无色透明液体中间体(4)(196g,68.3％)，GC分析纯度为98％。

最后，将中间体(4)(115g，0.2mol)溶于100ml乙醚中，滴加到剧烈搅拌的10％氢氧化钠水溶液和乙醚的混合液中。滴加过程中体系会放热，并有固体析出，需要控制温度在30度以内。滴完后，在室温下反应过夜，通过GC检测反应完毕后进行分液，水洗和饱和食盐水洗涤，然后经无水硫酸钠干燥，进行精馏，得到无色透明液体十四甲基环七硅氧烷(D7)(83g，80.6％)。

参考文献

[1] CN201710458974.8 一种高效的大环二甲基硅氧烷化合物的制备方法

2,4,6,8,10-环五硅氧烷是一种有机硅化合物，可用于制备包含硅氧烷溶剂的有机功能材料。

应用领域

一、用于沉积低介电常数薄膜

在制造集成电路时，等离子体工艺逐渐被用于替代热处理。为了进一步减小集成电路上的器件尺寸，需要使用低电阻率的导电材料和使用低介电常数(低-K)绝缘体来降低相邻金属连线之间的电容耦合。

CN201010219968.5提供了一种用于沉积低介电常数薄膜的方法。该方法通过在具有功率供给的电极的处理腔室中定位衬底，使一种或多种氧化气体流入处理腔室，从第一大容量储存容器中使有机硅化合物以第一有机硅流速经过第一数字式液体流量计流到第一蒸发注射阀，蒸发有机硅化合物并使该有机硅化合物和一种载气流到处理腔室中，保持第一有机硅流速以在RF功率存在下沉积初始层，从第二大容量储存容器中使致孔剂(porogen)化合物以第一致孔剂流速经过第二数字式液体流量计流到第二蒸发注射阀，蒸发致孔剂化合物并使该致孔剂化合物和一种载气流到处理腔室中，在RF功率存在下沉积一过渡层的同时，提高第一有机硅流速和第一致孔剂流速，并且保持第二有机硅流速和第二致孔剂流速以在RF功率存在下沉积含有致孔剂的有机硅酸盐介质层。

在一个具体实施方式中，保持第一有机硅流速大约1秒，并且有机硅化合物可以是四甲基环四硅氧烷、八甲基环四硅氧烷、五甲基环五硅氧烷、六甲基环三硅氧烷、二乙氧基甲基硅烷、二甲基二硅氧烷、1，3，5，7-四硅代-2，6-二氧代环辛烷、四甲基二硅氧烷、六甲基二硅氧烷、1，3-双(硅烷基亚甲基)-二硅氧烷、双(1-甲基二硅氧基)甲烷、双(1-甲基二硅氧基)丙烷、六甲氧基二硅氧烷、二甲基二甲氧基硅烷或者二甲氧基甲基乙烯基硅烷。

二、制造有机半导体器件的制剂

CN201680018910提供一种用于制造有机半导体器件的制剂，该制剂含有至少一种有机功能材料和至少第一溶剂和第二溶剂，其特征在于所述第一溶剂为硅氧烷。优选地，所述硅氧烷是选自八甲基环四硅氧烷，十甲基环五硅氧烷，十二甲基环六硅氧烷，十四甲基环七硅氧烷，六乙基环三硅氧烷，八乙基环四硅氧烷，2,4,6,8,10-五乙基、2,4,6,8,10-五甲基环五硅氧烷和2,4,6-三乙基、2,4,6-三甲基环三硅氧烷的环硅氧烷。

主要参考资料

[1] [中国发明,中国发明授权] CN201010219968.5 用数字式液体流量计改进低介电常数介质膜的初始层的方法

[2] CN201680018910.X包含硅氧烷溶剂的有机功能材料的制剂