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他的提问 2449 他的回答 13844

临氢管线为什么不能水洗? 这不科学啊，临氢管线一般用铬钼钢，不能用水冲洗的是奥氏体不锈钢啊。。。奥氏体不锈钢不能水洗，为何可以走蒸汽介质？查看更多

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关于晋华炉激冷室设置黑水管线的讨论？ 肯定会加大工艺气管线的磨损查看更多

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泵腐蚀后的解决新方案？修复剂是陶瓷类高分子化合物，整修方案可以是带回自己的工厂修复，也可以是现场我们派专业的维修工人去维修，这一般是按照贵公司的需求。 5# 攀钢小李查看更多

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想做个冲天炉冶炼工艺设计积分不够下不了铜镍卷～～？ -- 多参加交流，多发帖，你的积分很快就上去了得。 --查看更多

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球阀和闸阀的区别？球阀特点： 1．流体阻力小，全通径的球阀基本没有流阻。 2．结构简单、体积小、重量轻。 3．紧密可靠。它有两个密封面，而且目前球阀的密封面材料广泛使用各种塑料，密封性好，能实现完全密封。在真空系统中也已广泛使用。 4．操作方便，开闭迅速，从全开到全关只要旋转90°，便于远距离的控制。 5．维修方便，球阀结构简单，密封圈一般都是活动的，拆卸更换都比较方便。 6．在全开或全闭时，球体和阀座的密封面与介质隔离，介质通过时，不会引起阀门密封面的侵蚀。 7．适用范围广，通径从小到几毫米，大到几米，从高真空至高压力都可应用。 8．由于球阀在启闭过程中有擦拭性，所以可用于带悬浮固体颗粒的介质中。闸阀特点：　　1、流动阻力小。阀体内部介质通道是直通的，介质成直线流动，流动阻力小。　　2、启闭时较省力。因为无论是开或闭，闸板运动方向均与介质流动方向相垂直。　　3、高度大，启闭时间长。闸板的启闭行程较大，降是通过螺杆进行的，不易产生水锤现象。　　4、介质可向两侧任意方向流动，易于安装。闸阀通道两侧是对称的。　　5、结构长度(系壳体两连接端面之间的距离)较小，适用范围广。 6、结构较复杂，接触密封面较多，加工较复杂，　 7、密封面易磨损，影响使用寿命。启闭时，闸板与阀座两个密封面相互摩擦滑动，要介质压力作用下易产生擦伤磨损，影响密封性能，缩短使用寿命。　　8、价格较贵。查看更多

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仪器设备

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气液分离器的改造问题？ 推荐一种叶片分离设计。查看更多

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关于SIL评估？ 有人了解嘛？有规范规定必须进行sil评估吗？查看更多

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仪器设备

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工艺技术

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往复式压缩机压缩比最大可以多少? 往复式压缩机压缩比计算方法例如：某往复式压缩机，一级入口压力表读数为0.05mpa，出口压力表读数为0.1mpa，当地大气压为750mmhg.求一级压缩比为多少? 由于1mmhg =133.32pa 750mmhg=750×133.32＝9.999×104 pa＝0.09999mpa 压缩比＝（0.1+0.09999）／（0.05+0.09999）＝1.33 因此一级压缩比为1.33 这要根据所选择的压缩介质,设备气阀的材质承受能力来决定查看更多

#往复式压缩机

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哪位能帮忙将下面的涂料检测报告中出现的名词翻译成英文？ ”老化时间“ 我翻译为 "ageing time"查看更多

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统计下用pro11与aspen的使用比例，来报个到吧！（截止15 ...？ aspen,正在学习中查看更多

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五环炉的情况？呵呵，恭喜国人继房地产、汽车、it之后又找到另一种空手套白狼的方法。不过五环推广的壳牌气化炉技术，有哪家运行的好的么？截止目前！真的很想知道，从我这个项目了解到的情况是，五环不咋地啊，心凉啊，要命的是实际接触也是如此。五环出图是有名的慢、乱、错漏百出。查看更多

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关于多晶硅行业的专利？多晶硅专利技术（2）来源：互联网多晶硅专利技术（2）包括实用专利技术说明书、技术配方、生产工艺、具体实例、质量标准等专利技术内容，还包括该实用专利技术的专利发明者、专利权利要求书、专利说明书、专利附图等内容。 1 200610043184.5 单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭隔热屏的制备方法 2 200610043185.x 单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭加热器的制备方法 3 200510080160.2 多晶硅的制造方法 4 200510027415.9 多晶硅栅极掺杂方法 5 200510116780.7 多晶硅薄膜晶体管液晶显示面板及其制造方法 6 200510082849.9 用于连续横向固化技术的掩膜及用其形成多晶硅层的方法 7 200510080415.5 具有低掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法 8 200510080718.7 薄膜晶体管的制造方法与修补多晶硅膜层之缺陷的方法 9 200480040901.8 用于在衬底上淀积多晶硅层的装置 10 200610000678.5 用于多晶硅低温结晶化的金属催化剂掺杂装置及通过该装置进行掺杂的方法 11 200510087786.6 高压水气退火的多晶硅薄膜晶体管组件的制作方法 12 200580003282.x 铸模及其形成方法,和采用此铸模的多晶硅基板的制造方法 13 200610103856.7 形成多晶硅薄膜的方法及用该方法制造薄膜晶体管的方法 14 200610151736.4 低温多晶硅液晶显示结构及其制造方法 15 200510098656.2 形成多晶硅薄膜的方法 16 200510098484.9 薄膜晶体管及低温多晶硅薄膜晶体管之多晶硅层的制造方法 17 200610117155.9 廉价多晶硅薄膜太阳电池 18 200610017755.8 p型太阳能电池等级多晶硅制备工艺 19 200610122132.7 一种用稻壳制备太阳能电池用多晶硅的方法 20 200610010599.2 采用无氯烷氧基硅烷制备多晶硅的方法 21 200580015605.7 双掺杂多晶硅及锗化硅的蚀刻 22 200580015098.7 利用双多晶硅的位线注入 23 200510116621.7 一种低温多晶硅薄膜器件及其制造方法与设备 24 200510110069.0 用于应变硅mos晶体管的多晶硅栅极掺杂方法和结构 25 200610134108.5 一种锌还原法生产多晶硅的工艺 26 200610134107.0 一种太阳能级多晶硅的生产方法 27 200610064871.5 直接沉积多晶硅的方法 28 200510110230.4 高压集成电路中制作高阻值多晶硅电阻的方法 29 200610139874.0 适用于有机发光二极管显示器的多晶硅薄膜象素电极 30 200610022263.8 多晶硅/体硅esd结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件 31 200610022264.2 多晶硅esd结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件 32 200580018375.x 多晶硅板制备方法 33 200610121897.9 多晶硅薄膜、其制法以及用该膜制造的薄膜晶体管 34 200610128002.4 单层多晶硅非易失性存储器装置的操作方法 35 200610123789.5 择优取向的多晶硅薄膜的制备方法 36 200510110687.5 多晶硅太阳能发电并网装置 37 200610121898.3 具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置 38 200610139877.4 使用固体激光器退火的多晶硅薄膜制备半导体器件的方法 39 200580021278.6 低电压单层多晶硅电可擦编程只读存储器(eeprom)存储单元 40 200610078728.1 叠层储存电容器结构、低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器 41 200510111175.0 一种在集成电路中使用α多晶硅的方法 42 200510111044.2 用于静电放电保护的改善多晶硅-源区边界电场的结构 43 200510126405.0 一种多晶硅存储元件及其制备方法 44 200510111430.1 多晶硅炉的喷嘴 45 200510131794.6 多晶硅薄膜的制作方法 46 200610166981.2 多晶硅层、制造其的方法和平板显示器 47 200610166982.7 多晶硅层、使用其的平板显示器及其制造方法 48 200510111454.7 多晶硅太阳电池绒面的制备方法 49 200510135272.3 形成多晶硅薄膜的方法 50 200510132576.4 一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟 51 200610148517.0 具有金属和多晶硅栅电极的高性能电路及其制造方法 52 200610154949.2 一种掺杂锗的定向凝固铸造多晶硅 53 200610023162.2 利用浮动和/或偏置多晶硅区域的静电保护系统和方法 54 200610130711.6 表面修饰溶液诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法 55 200710000867.7 多晶硅横向结晶方法以及应用其制造的多晶硅薄膜晶体管 56 200580027437.3 具有发射极多晶硅源/漏区的eeprom单元的制造 57 200610001055.x 多晶硅层以及薄膜晶体管的制造方法 58 200610013089.0 供高温力学量传感器用的纳米多晶硅-氮化铝隔膜-硅单晶衬底基片 59 200710003854.5 生成低电阻自对准多晶硅化物栅极和台面接触区mosfet器件的结构和方法 60 200610003079.9 多晶硅膜的制造方法以及薄膜晶体管的制造方法 61 200710067517.2 一种利用多晶硅构建esd泄放通道的防护电路 62 200610007569.6 形成多晶硅薄膜装置的方法 63 200610057881.6 将非晶硅结晶成多晶硅的方法及使用于此方法之光刻掩膜 64 200710005307.0 一种单一内嵌多晶硅存储结构及其操作方法 65 200710068137.0 利用纵向多晶硅增加静电泄放通道的静电放电防护器件 66 200710105965.7 多晶硅的除硼方法 67 200710086008.4 用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术 68 200710105737.x 一种太阳能多晶硅原料提纯制备方法 69 200610025646.0 通过自对准形成多晶硅浮栅结构的方法 70 200710089904.6 蘸取式多晶硅太阳能电池p-n结的制作方法 71 200580039432.2 多晶硅晶棒的制造方法 72 200610098711.2 低温直接沉积多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 73 200610080408.x 低温多晶硅薄膜晶体管结构及其制造方法 74 200610167258.6 多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 75 200710079489.6 用于制造单晶或多晶材料、尤其是多晶硅的装置和方法 76 200610080561.2 用于显示影像的系统及低温多晶硅的激光退火方法 77 200710104550.8 一种单层多晶硅、多位的非易失性存储元件及其制造方法 78 200710109256.6 用单层多晶硅工艺形成高薄层电阻量电阻器和高电容量电容器 79 200610027371.4 在金属和多晶硅化学机械研磨中减少大图案凹陷的方法 80 200710109123.9 多晶硅锭制造装置 81 200710110585.2 尤其在闪存中用于刻蚀多晶硅上钨硅化物的方法 82 200610027589.x 利用多晶硅区的i/o esd保护的系统和方法 83 200710009237.6 一种多晶硅的提纯方法及其凝固装置 84 200710009238.0 太阳能级多晶硅大锭的制备方法 85 200710014346.7 高效太阳能电池用微晶多晶硅片无切割制备方法 86 200610095644.9 多晶硅层及其制造方法 87 200710110683.6 制作多晶硅薄膜的方法 88 200520046843.1 多晶硅太阳能发电并网装置 89 200520146920.0 一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟 90 200620091873.9 多晶硅冶炼用调压变压器 91 200620031881.4 制备多晶硅用铸锭炉查看更多

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寻找LNG天然气液化项目有相关业绩的锅炉厂家？ 河北艺能锅炉有限公司联系电话0317-7513691 查看更多

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工艺技术

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吸附剂验收标准？以上的标准不知能否适用，不好意思，我搜得是分子筛的相关标准，里面有两个应该是可以用的，还有一个是抗压碎试验标准。我对此方面也不是很了解。查看更多

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化学学科

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阳极保护酸冷器的清洗效果？ 用高压水枪清洗好些，找专业的公司，他们有一种枪头专门洗这个的。效果还可以，能清出好多水垢！查看更多

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仪器设备

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涡街流量计问题？ 你气体紊乱了怎么能判断大还是小，有观察过数值吗，我觉得应该是会波动，时大时小~查看更多

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仪器设备

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工艺技术

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循环水泵机封泄露问题？ 有种泥状填料我们该用效果不错我们也使用过,最后没有成功,可能是我们试验或填料有问题,但在深井泵上试用还可以的. 查看更多

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仪器设备

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工艺技术

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循环水泵机封泄露问题？泥状填料主要应用在低压，填料用泵注入，发现泄漏可以随时添加。这种泵应该好久前就用了，我单位的这二台泵，2005年就在用，具体用了多久不知道。查看更多

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aspen 模拟DSTWU模型回流比小于0？ dstwu 并不是只能用于理想体系。使用它的前提假设是：恒摩尔流以及相对挥发度基本不变. 它的最小回流比是根据uderwood公式计算的。如果相对挥发度有问题，当然可以算出负值的。 radfrac算塔应该还可以。定义也不麻烦。查看更多

#回流比

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急切期盼，电捕焦油器爆炸分析？ 你们是采用什么低温干馏技术啊？是外热式的直立炉吗？？查看更多

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简介

职业：山东潍坊润丰化工股份有限公司 - 设备维修

学校：厦门大学 - 化学工程与生物工程系

地区：江苏省

个人简介：书籍是培植智慧的工具。查看更多

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