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清风微微起

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工艺专业主任

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仪器设备

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工艺技术

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正压，负压燃烧时，热力计算有差别吗，？ 差别很小，只不过正压炉的燃烧更完全，机械不完全燃烧损失要小点。查看更多

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安全环保

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加拿大VT氧气利用率有85%? 有的资料说能达到90%，不过实践中究竟能达到多少，尚有待考证实例！文章指出“该反应器一般是75米到110米深”，或许吧查看更多

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化学学科

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关于低温甲醇洗中的缩径问题? 你好：如果你上线了，最好帮助大家解释一下：柱塞流这方面的知识。因为我们不是工程设计的，而是工业操作的。详细点，从设计方面。谢谢了！查看更多

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工艺技术

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德士古气化工艺中激冷水泵的问题？一般情况下激冷水泵的机械密封，都配套有密封水。原因可能是由于密封水开度太小，适当的增加密封水量。另外激冷水泵，启动时密封水要先对泵进行冲压，然后预热。要保证启动泵时密封水已经开启半小时以上。查看更多

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WIN7怎么装Aspen V10啊？ win10 安装v9 没有问题的啊但是win7 安装v10 就不知道了啊查看更多

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管壳式换热器换热面积的计算？ 自己搜索，站内有人上传过压力容器计算表格，里面有换热面积计算查看更多

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关于SOLIDWORKS作配管设计不得不说的话？好几天没看了 solidworks的自带库文件中，已经有完整的美标法兰及管件库等文件了，自建gb hg库文件也比较 ... 小型撬装装置设计完如果要倒入到大型的外围管路区怎么办？其实使用autodesk系列的软件不错。小型撬装装置可以使用inventor设计，最后导入到autocad plant 3d中去做外围管路，非常适合的。买套plant design软件就包括了所有要用到的软件了。查看更多

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仪器设备

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工艺技术

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关于气动调节阀的手轮装置？ 手轮可以用于开关，但一定要切手动，且完成动作后要回到自由位置，以免影响自动控制查看更多

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常减压装置一个班三个人配置？ 跟老板说，正常情况下，根本不需要人。随便抓个劳务就可以了。个人认为，单套常减压4人、班需要的，若与其它装置联合，另当别论。查看更多

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仪器设备

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塔盘的结构的图片？ 气液进料一起的查看更多

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排液空带白色固体物问题？ 氧化亚氮是否会引起类似现象呢？查看更多

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求换热器图？ 下载学习查看更多

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求corrosion data survey，nace ！！？ 这是里面的一部分内容有整本书不？知道怎么买也行啊！！！查看更多

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安全环保

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项目安全预评价单位能否编制竣工验收报告？不可以。《安全评价机构管理规定》国家安全生产监督管理总局令第22号第二十一条安全评价机构开展安全评价业务活动时，应当依法与委托方签订安全评价技术服务合同，明确评价对象、评价范围以及双方的权利、义务和责任。安全评价机构与被评价对象有利害关系的，应当回避。建设项目的安全预评价和安全验收评价不得委托同一个安全评价机构。查看更多

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求救！316L 法兰酸洗后出现腐蚀是什么原因? 从图片看腐蚀的很厉害，不知道你们的技术合同是怎么签订的，316l材质是不耐盐酸的，即使必须用酸洗，时间也不能太长，温度也不能太高，你可以先查你们的法兰材质是否合格，再详细询问外方的酸洗方案是否合理，查出问题的原因。查看更多

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化药

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工艺技术

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求助！关于烷基羟胺合成请提宝贵看法！？ 从醛酮出发，做肟，再控制还原得到产品。查看更多

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安全环保

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化学学科

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工艺技术

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关于UV光解、臭氧氧化、低温等离子处理化工有机废气的优 ...？ 赞个，学到很多查看更多

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灵敏度分析的问题？选择总的进料流量就行了选好了之后又出现问题了，错误显示 block: r2 model: rcstr ** error res time loop failure - residual at minimum/not varying res time loop iter = 20 err/tol = 103.17 这是什么意思？该怎么解决呢？查看更多

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换热器设计压力探计？问哈楼主，你这台换热器是按gb151设计的吗。因为gb151适用范围有这么一条：公称直径（mm）和公称压力（mpa）的乘积不大于17500。按楼主给出的设计压力29.4反算设备公称直径不到600mm。不知我的问题是否成立，望高手指点。查看更多

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西门子法生产多晶硅，哪种杂质难去除? 硼、磷杂质最难除去，因为工业硅中含有这两种杂质，与hcl合成反应：会生成bcl3 pcl3因为三氯氢硅的沸点是31.8 而bcl3的沸点是12.8 他们的相对挥发度接近1 ，由精馏原理可知b/p杂质很难除去，西门子法生产出来的多晶硅时p型还是n型取决于杂质的参杂类型三簇为p 型主要为b杂质 5族参杂为n型主要为磷杂质 p型半导体的形成：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成p型半导体，结构如图所示。空穴的产生：由于杂质原子的最外层有3个价电子，当它们与周围的硅原子形成共价键时，就产生了一个“空位”（空位为电中性），当硅原子外层电子由于热运动填补此空位时，杂质原子成为不可移动的负离子，同时，在硅原子的共价键中产生一个空穴。多子：p型半导体中，多子为空穴。少子：为电子。受主原子：杂质原子中的空位吸收电子，称受主原子。 p型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。杂质半导体的形成：通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。一、 n型半导体 n型半导体的形成：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了n型半导体，结构如图所示。由于杂质原子的最外层有5个价电子，所以除了与周围硅原子形成共价键外，还多出一个电子。在常温下，由于热激发，就可使它们成为自由电子。多子：n型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度，称为多数载流子，简称多子。少子：空穴为少数载流子，简称少子。施子原子：杂质原子可以提供电子，称施子原子。 n型半导体的导电特性：是靠自由电子导电，掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强查看更多

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简介

职业：浙江鑫甬生物化工股份有限公司 - 工艺专业主任

学校：鲁东大学 - 化学与材料科学学院

地区：黑龙江省

个人简介：因为有伤口，才能感受到自己的存在查看更多

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