4-溴-1,8-萘二甲酸酐有哪些应用价值? 介绍 4-溴-1,8-萘二甲酸酐是一种有机化合物,化学式为C12H5BrO3。这种化合物含有一个萘环和两个酐基团,并在萘环的4位上有一个溴原子。由于其结构特征,它在有机合成和材料科学中具有一定的应用价值。它可以用作合成染料、药物和其他有机化合物的中间体。 图一 4-溴-1,8-萘二甲酸酐 合成 在室温下,在搅拌下向苊(2.31g,15.0mmol)和乙酸(60ml)的溶液中加入重铬酸钠(11.17g,40.0mmol)。将悬浮液加热至75°C持续8小时。反应完成后,向反应混合物中加入冷水以获得固体,过滤并用水洗涤。获得1,8-萘酸酐(2)的灰白色产物(2.6 g,80%,熔点266-268°C)。用滴液漏斗向1,8-萘酸酐(1.98克,10.0毫摩尔)在KOH(2.8克,12毫升水中)中的冷却溶液中加入溴。将反应混合物加热至60℃6小时,然后用HCl溶液酸化。将固体分离出来,过滤得到粗产物。将固体残留物用5%NaOH溶液加热,过滤并用HCl溶液中和。再次过滤并用冷水洗涤,干燥得到4-溴-1,8-萘酸酐的黄色粉末(2.05 g,82%,m.p.117-119°C)[1]。 图二 4-溴-1,8-萘二甲酸酐的合成 在0°C下,将N-溴代琥珀酰亚胺(3.00 g,16.5 mmol)的溶液(7.5 mL DMF)加入到12.5 mL含有苊(2.56 g,16.5 mol)的DMF中,搅拌2小时后,将溶液倒入100 mL冷水中。收集沉淀物并用乙醇重结晶,得到5-溴苊(Mp:51-52°C)。在120°C下,将5-溴苊(1.78 g,7.64 mmol)加入到30 mL乙酸和重铬酸钠(5.31 g,17.81 mmol)的混合物中。5小时后,将混合物倒入65mL冰水中,用250mL冷水洗涤残留物,然后将固体悬浮在55°C的4%NaOH溶液(30mL)中,丢弃不溶性物质,用5%盐酸将滤液的pH调节为7,收集白色沉淀物4-溴-1,8-萘二甲酸酐并用乙酸重结晶。收益率:36%[2]。 图三 4-溴-1,8-萘二甲酸酐的合成2 参考文献 [1]Verma M ,Luxami V ,Paul K .Synthesis, in vitro evaluation and molecular modelling of naphthalimide analogue as anticancer agents[J].European Journal of Medicinal Chemistry,2013,68352-360. [2]Qin J ,Fu Z ,Tian L , et al.Study on synthesis and fluorescence property of rhodamine–naphthalene conjugate[J].Spectrochimica Acta Part A: Molecular and Biomolecular Spectroscopy,2020,229(C):117868.查看更多
N-叔丁氧羰基-1,2-乙二胺的用途有哪些? 简介 N-叔丁氧羰基-1,2-乙二胺是一种有机胺类衍生物,具有特殊的分子结构和化学性质,适用于多种溶剂中。其物理性质包括较高的沸点、适中的密度和较高的折光率。然而,需要注意避免与空气中的水分接触以防止分解。 N-叔丁氧羰基-1,2-乙二胺的性状 用途 N-叔丁氧羰基-1,2-乙二胺在有机合成中扮演着重要角色,可作为多种复杂分子的合成中间体。其灵活性使得在药物合成、天然产物合成和材料科学等领域具有广泛的应用前景。在药物合成领域,其应用尤为广泛,可合成出具有特定药理活性的药物分子。此外,N-叔丁氧羰基-1,2-乙二胺还可用于生物活性分子的合成,香精香料工业和医疗领域等。 参考文献 [1]V,T,RAVIKUMAR.ChemInform Abstract: A Convenient Large Scale Synthesis of N-Boc-Ethylenediamine.[J].ChemInform, 2010, 25(50). [2]Anna,Wiszniewska,Danuta,等.Synthesis of peptidomimetics: An evaluation of the p-nitrophenyl carbamate of N-Boc-Ethylenediamine[J].Letters in Peptide Science, 2003. [3] Meng-An H , Hong-Bo L I , Li-Ping W ,et al.Selective Mono-Boc-protection of N-Boc-Ethylenediamine[J].Chinese Journal of Pharmaceuticals, 2009, 40(4):257-259.查看更多
氧化铪在MOSFET中的应用及其铁电性质? 随着晶体管器件尺寸的不断减小,氧化硅作为MOSFET中的栅极氧化物已经不能满足要求。2000年代中期,研究人员开始关注氧化铪作为氧化硅的替代材料。氧化铪是一种高k介电材料,也是少数与硅能保持热力学稳定的二元氧化物之一。因此,它可以自然地集成在逻辑元件和存储器设备中。例如,英特尔早在2007年就已经在其处理器中采用了铪基高k金属栅极。这种新型晶体管配方承诺能降低功耗,减少漏电,并在降低尺度的同时保证良好的性能。 2011年,氧化铪的铁电性质被公之于众。虽然所有的块体氧化铪都具有中心对称的晶体结构,不具备铁电性,但当在机械封装下形成薄膜期间掺杂氧化硅时,氧化铪则形成了可能具有铁电性的非中心对称的正交晶相。该铁电相是通过机械限制抑制四方到单斜的转变而形成。结合硅/铁电结的结构,氧化铪的铁电性可能给我们器件制备带来一些新的思路。例如,铁电晶体管(FeFETS)有望成为超快、低功耗的非易失性存储器,并最终可能与当前的闪存技术并驾齐驱。 作为铁电材料,氧化铪薄膜的压电响应是一个表征难题。传统的压电力显微镜(PFM)在测量时需要利用接触共振频率下增强的共振信号,然而,如果接触共振的频率不稳定,则可能引入使压电响应变得模糊的形貌串扰。 Asylum Research公司的双频共振追踪或DART?模式可以更精确地跟踪接触共振移位,从而最大限度地减少形貌对测量的影响。以下是Si:HfO2薄膜的DART?-PFM的一些实例图像,清楚地显示了不同极化方向的压电畴。在唤醒循环之前,样品是在结晶后处于其初始状态的厚度为10nm的薄膜。这些数据是在为客户安装调试新Cypher S系统期间获得的。 10nm Si:HfO2薄膜的DART振幅(左)和相位(右)图像(扫描尺寸为1.5μm)。横线截面图像显示具有相反极化方向的压电畴。 参考文献 [i] Zhu, H., C. Tang, L. R. C. Fonseca, and R. Ramprasad. "Recent progress in ab initio simulations of hafnia-based gate stacks." Journal of Materials Science 47, no. 21 (2012): 7399-7416. [ii] Intel News Release: "Intel's Fundamental Advance in Transistor Design Extends Moore's Law, Computing Performance: Sixteen Eco-Friendly, Faster and 'Cooler' Chips Incorporate 45nm Hafnium-Based High-k Metal Gate Transistors" (https://www.intel.com/pressroom/archive/releases/2007/20071111comp.htm) [iii] B?scke, T. S., J. Müller, D. Br?uhaus, U. Schr?der, and U. B?ttger. "Ferroelectricity in hafnium oxide thin films." Applied Physics Letters 99, no. 10 (2011): 102903. [iv] Polakowski, Patrick, and Johannes Müller. "Ferroelectricity in undoped hafnium oxide." Applied Physics Letters 106, no. 23 (2015): 232905. [v] NamLab (Nanoelectronic Materials Laboratory) Website: "Hafnium Oxide Based Ferroelectric Memory (http://www.namlab.de/research/reconfigurable-devices/hafnium-oxide-based-ferroelectric-memory) [vi] Dünkell, S., M. Trentzsch, R. Richter, P. Moll, C. Fuchs, O. Gehring, M. Majer et al. "A FeFET based super-low-power ultra-fast embedded NVM technology for 22nm FDSOI and beyond." In Electron Devices Meeting (IEDM), 2017 IEEE International, pp. 19-7. IEEE, 2017. [vii] Trentzsch, M., S. Flachowsky, R. Richter, J. Paul, B. Reimer, D. Utess, S. Jansen et al. "A 28nm HKMG super low power embedded NVM technology based on ferroelectric FETs." In Electron Devices Meeting (IEDM), 2016 IEEE International, pp. 11-5. IEEE, 2016. [viii] Rodriguez, Brian J., Clint Callahan, Sergei V. Kalinin, and Roger Proksch. "Dual-frequency resonance-tracking atomic force microscopy." Nanotechnology 18, no. 47 (2007): 475504. 样品由德国德累斯顿Fraunhofer研究所的Thomas K?mpfe提供。 查看更多