太牵强不勉强--盖德问答-化工人互助问答社区

太牵强不勉强

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安全环保

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酒精储罐布置问题？ 目前也碰到这个问题~~~ 乙醇罐我们打算埋地，但是跟厂内道路的要求间距不够，怎么办？查看更多

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解决阀门堵塞的神器？ 2000块买来浪费查看更多

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psa变压脱碳？不能直接在出口压缩，，。要采用气体收。。如气柜收集后压缩机压缩送出。。。。此二氧化碳可直接做食品级二氧化碳。。。如需要联系。。我设计过查看更多

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化学学科

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精馏常压塔负压、塔回流泵异响? 极有可能是负压下的气蚀，需要降低循环物料的温度和提高进口压力查看更多

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仪器设备

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工艺技术

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材料科学

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哪些厂家的氨合成塔采用塔外电炉加热的? 回复 9# sun0225 真是很感谢你啊！我今天通过努力终于了解到了大化这个塔外加热器，谢谢！查看更多

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氨泵入口管径应多大? 管有点细查看更多

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工艺技术

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合成氨中的合成塔超出设计指标？不知道你说的是流量计出来的产量，还是从其他方面得出的数据，如果是流量计得出的，有可能流量计有问题，现在的调度和公司都是只追求产量的，你还可以看一下压力、气量有没有超标的，还有看看他们是否弄虚作假。当然这是操作和人为方面。你还可以看更换催化剂量是不是增多了，还有设计参数是不是有问题，同以前相比，是多了，还是少了，还有是不是催化剂的性能好了，我只能想到这些了，还有的请高手指教吧查看更多

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注化基础考试问题？ 知道的给大家讲一下吗查看更多

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帮忙给介绍几个专业搞PSA的厂家？北大先锋，变压吸附制氧、一氧化碳、氢气工艺指标在国内都是比较拔尖的，毕竟是北大的校企，科研实力自然没的说，另外还有天一科技，都是国内知名的企业。查看更多

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仪器设备

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工艺技术

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精馏塔强制循环泵无法循环？泵进口温度是多少度，泵在运行时会在产生热量，部分物料气化，泵产生气蚀现象。在看说明书看看泵的气蚀余量，确保泵运行是不能大于其气蚀余量。检查设备安装高度达到泵的吸程。查看更多

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工艺技术

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新氢控制指标的问题？一氧化碳加氢后生成甲烷和水，一份一氧化碳要消耗三份氢，不仅消耗氢，而且还放出大量热量，并使反应系统温度突升，破坏正常操作，一氧化碳含量过高可引起催化剂中毒，新氢中含有2％的一氧化碳时，可使催化剂活性很快下降。二氧化碳的存在不仅降低氢气纯度，而且还与加氢生成的氨化合生成铵盐，在低温时结晶堵塞管道，增大系统压降，一般新氢中二氧化碳含量要求小于0.5％。查看更多

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延迟焦化大吹气改小注水应注意那些因素？ 一篇水代蒸汽的文章，主题是注水不能太快，否则液相水碰到焦炭塔壁骤冷损害焦炭塔～～查看更多

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安全环保

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请教：混床树脂可以处理的纯水电阻率？继续顶自己的帖子，希望更多人回答首先需要肯定的是，出水达到18M，混床是必须的，再一个，抛光混床也是需要的，而且是核级抛光混床。通常的工艺是RO+普通混床+抛光混床（核级），RO出水电导在20以下，普通混床电导在0.1左右，再进核级抛光混床，出水可以保证在18M以上，至于那些说普通混床出水就可以达到18M的，我只能呵呵了，哪怕是10级普通混床也做不到18M。这个18M只能是表针数据，算不得准确，电阻表，电导表都是需要校准的，一般工程公司是不会给你校准的，我们在为客户售后服务的时候见的太多了。另外，RO+混床+EDI，不清楚出水电阻能不能达到18兆，这个我倒是没有看到过，不好发表意见。查看更多

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硝磷铵属于危险**物品吗? 性质：**和磷酸铵的混合物。代表性的产品有：(1)含氮25%和五氧化二磷25%的；(2)含氮28%和五氧化二磷14%的；(3)含氮30%和五氧化二磷10%的；(4)加入钾盐，使之成为含氮17%、五氧化二磷17%、氧化钾17%的硝磷铵钾肥料。制法有二：(1)硝酸、磷酸与氨中和反应而制得；(2)直接用硝酸分解磷矿，再经除去硝酸钙而制得硝酸磷肥型复合肥料，其主要成分为硝磷铵。在欧洲绝大部分产品用作肥料。查看更多

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估计上海要笑到最后了？ 明天不上网了，怒了。天天刷屏刷得手疼。祈祷后天一上网，就出成绩了！打电话留下，出成绩我们第一时间通知你查看更多

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多晶硅生产主流工艺流程？主要的多晶硅生产技术选择经过数十年的研究和生产实践，许多方法被淘汰，如以ca，mg或al还原sio ；zn，a1或mg 还原sic1，法等；剩下的是硅烷分解法和氯硅烷还原法。下面我们讨论这几种方法的优劣 1 sici4法氯硅烷中以sic1 法应用较早，所得到的多晶硅纯度也很好，但是生长速率较低(4～6／lm／ min)，一次转换效率只有2％～10％，还原温度高 (1 200℃)，能耗高达250 kw •h／kg，虽然有纯度高安全性高的优点，但产量低。早期如我国605厂和丹麦topsil工厂使用过，产量小，不适于1 000 t 级大工厂的硅源。目前sic1 主要用于生产硅外延片。 2 sil2ci2法 sil，c1，也可以生长高纯度多晶硅，但一般报道只有～100 q•cm，生长温度为1 000℃ ，其能耗在氯硅烷中较低，只有90 kw•h／kg。与sihc13相比有以下缺点：它较易在反应壁上沉淀，硅棒上和管壁上沉积的比例为100：1，仅为sihcl 法的 1％：易爆，而且还产生硅粉，一次转换率只有 17％，也比sihc1 法略低；最致命的缺点是 sil，c1，危险性极高，易燃易爆，且爆炸性极强，与空气混合后在很宽的范围内均可以爆炸，被认为比sil 还要危险，所以也不适合作多晶硅生产。 3 sil4法我国过去对硅烷法有研究，也建立了小型工厂，但使用的是陈旧的mg2si与nh4c1反应(在 nh 中)方法。此方法成本高，已不采用。用钠和四氟化硅或氢化钠和四氟化硅也可以制备硅烷，但是成本也较高。适于大规模生产电子级多品硅用的硅烷是以冶金级硅与sic1 逐步反应而得。此方法由union carbide公司发展并且在大规模生产中得到应用，制备1 kg硅烷的价格约为8～14美元。硅烷生长的多晶硅电阻率可高达2 000 q•cm (用石英钟罩反应器)。硅烷易爆炸，国外就发生过硅烷工厂强烈爆炸的事故。现代硅烷法的制备方法是由sic1 逐步氢化： sic1 与硅、氢在3．55 mpa和500℃下首先生成si— hc1 ，再经分馏／再分配反应生成sil，c1，，并在再分配反应器内形成sil c1，sil c1通过第三次再分配反应迅速生成硅烷和副产品sil，c1，。转换效率分别为20％～22．5％，9．6％及14％，每一步转换效率都比较低，所以物料要多次循环。整个过程要加热和冷却，再加热再冷却，消耗能量比较高。硅棒上沉积速率与反应器上沉积速率之比为10：1，仅为sihc1 法的1／10。特别要指出，sil 分解时容易在气相成核。所以在反应室内生成硅的粉尘，损失达10％～20％，使硅烷法沉积速率仅为3～8 ／lm／min。硅烷分解时温度只需800℃ ，所以电耗仅为40 kw •h／kg，但由于硅烷制造成本高，故最终的多晶硅制造成本比sihc1 法要高。用钟罩式反应器生长sil 在成本上并无优势，加上sil 的安全问题，我们认为建设中国的大硅厂不应采取钟罩式硅烷热分解技术。硅烷的潜在优点在于用流床反应器生成颗粒状多晶硅。 4 sihcl3法 sihcl 法是当今生产电子级多晶硅的主流技术_4 j，其纯度可达n 型2 000 q•cm，生产历史已有35年。实践证明，sihcl 比较安全，可以安全地运输，可以贮存几个月仍然保持电子级纯度。当容器打开后不像sil 或sil2c12那样燃烧或爆炸；即使燃烧，温度也不高，可以盖上。sihcl 法的有用沉积比为1×10 ，是sil 的100倍。在4种方法中它的沉积速率最高，可达8～ 10／~m／min。一次通过的转换效率为5％～20％，在4种方法中也是最高的。沉积温度为1 100℃ ，仅次于sic1 (1 200℃ )，所以电耗也较高，为120 kw •h／kg。 sihc1 还原时一般不生成硅粉，有利于连续操作。为了提高沉积速率和降低电耗，需要解决气体动力学问题和优化钟罩反应器的设计。反应器的材料可以是石英也可以是金属的，操作在约为0．14 mpa 的压力下进行，钟罩温度≤575℃ 。如果钟罩温度过低，则电能消耗大，而且靠近罩壁的多晶硅棒温度偏低，不利于生长。如果罩壁温度大于575℃ ，则sihc1 在壁上沉积，实收率下降，还要清洗钟罩。国外多晶硅棒直径可达229 fnnq。国内sihc1 法的电耗经过多年的努力已由500 kw•h／kg降至200 kw•h／kg，硅棒直径达到100 fnnq左右。查看更多

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求助---奥氏气体分析仪，是怎么一回事？ 回复 2# qjngood 谢谢，还是有点没有底，试试吧查看更多

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化学学科

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甲醛中甲醇含量？甲醛中甲醇含量一般控制在1%左右，也可以根据用户对甲醛中甲醇含量来决定。生产时间长短一般在40~50天之间，也有不到40天或超过50天，单耗一般在445~450公斤甲醇查看更多

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关于LNG储罐泵设置问题？ 美国的acd，代理在杭州查看更多

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仪器设备

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干气密封动压槽问题？ 这里有份资料,供参考查看更多

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简介

职业：上海安赐环保科技股份有限公司 - 设备工程师

学校：山东师范大学 - 历史文化与社会发展学院

地区：四川省

个人简介：青年时代太放纵就会失去心灵的滋润，太节制就会变成死脑筋。查看更多

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