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膜式除盐水系统和原来的阴阳床比较有哪些优点和不足? 请教各位膜式除盐水系统和原来的阴阳床比较有哪些优点和不足查看更多 5个回答 . 4人已关注
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部分常用CAD字库? 部分常用CAD字库,如果谁需要其它CAD字库,本人再根据需要上传。查看更多 9个回答 . 1人已关注
用虚拟机装aspen (100%能装上的)? 现在WIN7系统比较流行,但是它的兼容性有限。比如说我的,之前装的 aspen 7.2出问题了,后来怎么弄也装不了,搜了很多办法。最后还是无奈的重装了一个XP系统,而之前也因为这个问题重装过一次。真心疼啊,毕竟不想这么频繁的折腾自己的电脑……后来发现一个很好用的方法-装虚拟机。 刚才说的很多废话,现在言归正传。其实装虚拟机很简单,网上也有很多装机的教程。我把链接发出来,里面有安装方法和所需要的文件地址,感兴趣的朋友可以看看,有什么不懂的可以问我,互相交流. http://www.docin.com/p-1024188.html 查看更多 6个回答 . 5人已关注
由新地研发的甲烷合成催化剂再次成功通过性能考核验收? 2016年3月28日,在初春朝阳的照耀下,由新地能源工程技术有限公司(以下简称新地)开发的甲烷合成催化剂成功通过了枣庄薛能70000Nm3/h焦炉气制液化天然气项目性能考核验收。此次考核验收过程中,各项甲烷合成催化剂性能考核指标全部达标,产品合格率达到100%。其中合成工段出口气CH4含量最高可达84.03%,平均值为80.36%;合成工段出口气CO2含量平均值4.46ppm(v/v),保持行业领先水平。 严谨的催化剂考核验收方案、细致的准备工作保证了考核验收工作的有序开展。3月28日下午三点,双方考核小组人员在考核报告上签字确认,甲烷合成催化剂性能考核验收工作圆满结束。  本次甲烷合成催化剂性能考核验收,是新地首次在70000Nm3/h大规模焦炉气制液化天然气项目上进行催化剂性能考核验收。考核验收的成功,不仅兑现了对业主的技术承诺,使业主方对新地的技术和催化剂更加信赖,更充分肯定了新地在公司创新清洁能源使命下坚持的科技创新工作,再次证明新地甲烷合成技术和催化剂产品性能优异、质量过硬,处于国际领先地位。 查看更多 0个回答 . 4人已关注
哪位师傅能给系统的讲一下上下塔回流比的问题? 哪位师傅能给系统的讲一下上下塔回流比的问题?查看更多 4个回答 . 2人已关注
加油站环境评价评审主要从哪些方面入手? 新建 加油站 要开展环境评价,环境评价主要从哪些方面入手,专家主要看哪些东西?查看更多 0个回答 . 2人已关注
改良西门子法制备多晶硅中的能耗和环境保护问题? 改良西门子法制备多晶硅 我找了部分相关资料,大家可以共享以下: 改良西门子法制备多晶硅中的能耗和环境保护问题 近一段时间来,社会和业界对多晶硅颇为关注,使得原本鲜为人知的一个产品成了一个公众话题。个人认为,其原因有二:一是由于光伏产业的飞速发展带来的对多晶硅产品的过度疯抢,使得它的市场价格严重背离其价值。一些多晶硅制造商一夜之间成了令人侧目的暴发户,诱人的利润空间引来不少投资商不惜投入巨资建立多晶硅生产厂。新建项目之多、投入资金之巨、建设规模之大,这在中国是空前的,在全球也是罕见的。二是多晶硅制备中的能耗和污染问题,颇多微辞。更有甚者认为是消耗中国的能源为别国生产清洁能源;把污染留在国内,把清洁能源卖给别人。 本人想利用这个机会就“多晶硅的能耗和污染”谈几点意见。 多晶硅制备的特点 1.多晶硅的制备工艺过程是元素硅的提纯过程,它是将2个“9”的工业硅提纯到7~11个“9”的高纯硅工艺过程; 2.硅的提纯方法是将元素硅转化成易于制得、易于提纯、易于还原的化合物(如SiHCl3、SiCl4、SiH4等),工艺中以提纯硅的化合物为提纯元素硅的主要手段; 3.多晶硅的制备基本上是一个化工过程,主要的化工工艺有:硅的化合物的合成、硅的各类化合物的分离、硅化合物的提纯、氢还原硅化合物的汽固相沉积多晶硅等; 4.多晶硅制备是一个耗能较高的产业,平均每吨多晶硅的电耗在20万kWh以上; 5.多晶硅制备工艺是集化工、 气体净化 、电气控制、理化分析等工序复杂而有机集成的过程,它需要各类专业人才密切合作才能取得成功; 6.多晶硅制备是资金密集、技术密集、人才密集的“三密”产业,平均而言,每吨多晶硅的投资高达70~100万元人民币; 7.一个现代化的多晶硅厂的建设需要24~28个月,所使用的设备大多是非标准设备,设计、加工、安装、调试等所需的时间较长; 8.多晶硅制备是将元素硅提纯到很高纯度的过程,这个生产系统的任何泄漏、微量沾污及引入系统的原料、试剂、保护气氛等都会对产品质量产生重大影响。严格控制、有效管理生产系统的各种设备、管道、阀门、接头等的清洗、干燥和安装是制得合格的优质产品的关键之一。 建设多晶硅项目要注意的几个问题 1.工艺选择和产品方案 1)、全球多晶硅的工业化生产始于上世纪五十年代末、六十年代初,经过半个世纪的探索,发展至今基本形成了两种主要工艺: 一是SiHCl3氢还原法(亦称西门子法); 二是SiH4热分解法。 目前,全球用西门子法生产的多晶硅约占总产量的77%,使用此法的知名公司有美国的Hemlok、德国的Wacker以及日本的几家公司。而用硅烷热分解法生产多晶硅的只有挪威REC的Asimi公司和美国MEMC公司的Pasadena工厂,前者是生产棒状多晶硅,后者是生产粒状多晶硅,他们的产量约占全球总量的23%左右。 2)、上述两种工艺的比较 上世纪九十年代美国的硅业界同仁对采用SiH4、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4等四种原料生产多晶硅的方法,从12个方面进行过评价、打分, 其结果是: 比较的项目 SiH4 SiH2Cl2 SiHCl3 SiCl4 1、原料提纯 8 8 7 10 2、原料制造成本 4 6 7 7 3、原料的安全性 4 3 9 10 4、原料可选择来源 0 0 10 10 5、原料的运输 2 2 8 9 6、原料的储存 4 2 9 9 7、副产品的回收 2 3 9 10 8、副产品的再利用 5 5 8 9 9、沉积速率 3 5 7 4 10、对建筑物的要求 5 5 9 10 11、对反应炉的选择 6 3 9 9 12、电能的用量 6 5 4 1 总评分 49 47 96 98 3)、工艺选择宜选用改良西门子法,其理由是:改良西门子法生产多晶硅已是很成熟的工艺,安全性相对较高,产品纯度基本能满足微电子工业需要; 全球近八成的多晶硅都是采用改良西门子法生产的; 全球新建多晶硅项目也都选择西门子法; 我国的在建和新建的多晶硅项目全部采用改良西门子法; 4)、产品方案 产品方案选择中最好要包含三种规格: 即:FZ单晶硅用料,约占总产量的1%;CZ单晶硅用料,约占总量的20%;太阳能级多晶硅,占总量的79%。 这既是从建厂的水平考虑,也是从抗风险能力考虑。 2.建设周期和投资估算 1)、建设周期 根据经验,一个大型多晶硅建设项目,从开始策划到建成投产,大约需要24~28个月,其中: (1)项目策划期:(组建队伍、编制可研、选择设计单位并进行设计交底、选择厂址、落实建设条件、选择施工单位、开始设备询价等 )约需4个月; (2)项目建设期:(各个子项的土建施工)10~12个月; (3)设备安装期:(工艺管网、工艺设备安装)6~8个月; (4)工艺调试期:4个月。 2)、投资估算 根据国内已建成或正在建设的多晶硅项目的实际经验,平均每吨多晶硅的投资大约在70~100万元之间。 3.综合利用和环境保护 1)、综合利用 所谓综合利用,就是要把在工艺中所产生的副产品,如HCl、SiCl4以及工艺不再适用的SiHCl3等加工生产成其他工业品,其目的是降低单耗、节约资源和有利环保。为此目的国内外许多厂家进行了二、三十年的艰辛努力,总结出了一套行之有效的方法。他们把还原尾气的回收利用分为了三种类型: 第一种类型:多晶硅生产厂用采购的TCS作原料来生产多晶硅,回收尾气中的TCS留厂自用,而HCl和STC则外销。这只适合于年产200吨左右的多晶硅厂,因为HCl和STC的外销量很有限。 第二种类型:多晶硅生产厂用采购的TCS作原料来生产多晶硅,回收尾气中的TCS和STC都留厂自用,而只外销HCl,留下的STC要通过氢化使之转化成TCS再用于生产多晶硅。这只适合于中等规模的多晶硅厂,即产能在1000吨以下的多晶硅厂。 第三种类型:是一种闭路循环的生产系统,即多晶硅厂用采购的MG-Si和HCl作为原料,就地生产TCS自用,回收得到的STC转化成TCS,回收得到的HCl再次与MG-Si合成TCS。这适合于建立年产3000吨以上的大型多晶硅工厂。这一流程是目前比较推行的生产方式,它完全符合降低单耗和成本、节约资源和有利环保的要求,但是要建立起这样的生产流程,既需要大量的资金,还需要有较高的技术,目前能掌握此项技术的生产企业不多,这也是多晶硅生产规模不能快速扩大的原因之一。 不管我们采用哪一种类型的建厂模式,即使是闭路循环,也会有含杂质较高的高、低沸物和少量尾气需要排除,因此仍然存在一个综合利用的问题。比如我们把废弃的HCl气回收生产初级盐酸,作为自用或外销用于清洗设备或设施。我们把废弃的含杂量高的TCS和STC用于制备有机硅、硅树脂、硅橡胶、硅酮等产品。 多晶硅厂副产品的综合利用是一个综合性的大课题,需要进一步进行深入的研究.凡是建立年产5000吨及其以上的多晶硅工厂,都应该设立相应的研究机构,专门从事其综合利用的研究工作。这既是企业自身节能降耗、降低成本的需要,也是企业对社会、对环保的一种责任 2)、环境保护 从以上谈到的情况来看,多晶硅的生产流程实际上是一个化工过程,除原料我们要用到液氯、工业硅外,中间产品还有TCS、STC,另外在腐蚀清洗时还要用到硝酸、氢氟酸、硫酸等,此外我们在破碎、加工硅材料的同时还会有一些硅渣、硅粉产生,从环境保护的角度出发,我们不允许有任何的废弃物对我们的周边环境带来任何危害。据此目的,多晶硅厂的环境保护就显得极为重要。环保设施的好坏决定项目的成败。 一般说来,环保设施所花投资约占总投资的15%左右。 4.热平衡和料平衡 1)、关于热平衡和余热利用问题 多晶硅制备是耗能较高的产业,而所耗电能的绝大部分又变成了热能。特别是还原炉所耗电能约占总电耗的60%,因此在设计、建设多晶硅项目时,一定要仔细核算热量的产生、传递和再利用问题。 国内已开发成功的还原炉导热油冷却技术较好地解决了还原过程中的余热利用问题,值得推广。 根据实际的运行经验,还原过程的90%的余热得到再次利用,使得单位电耗大幅度下降,同时还将使全厂的用水量下降大约60%。 2)、物料平衡 在设计、建设多晶硅项目时,仔细核算每道工序的物料使用量和消耗量是至关重要的,这是确保项目低成本、高效率运作的前提。 无论是热平衡还是料平衡,对于任何一家化工设计单位来说都是其强项。我这里强调其重要,是提请设计者必须仔细核算,不可粗心。 5.闭路循环工艺 无论从节能降耗、降低成本考虑,还是从保护环境考虑,闭路循环式的多晶硅生产工艺是建设大型多晶硅厂必须选择的建厂方式。美国科学家William.C.O’Mara 在1990年出版的《Handbook of Semiconductor Silicon Technology》书中所描述的这种闭路循环生产方式是:副产品垂直集成是指H2和Cl2等副产品闭路循环回收和再利用。这一设计是将第二级重复利用STC集成化生产新的TCS,同时还用副产品HCl与MG-Si在一个FBR炉中生产TCS和STC两种产品。这新增加的一步很明显是为降低大型多晶硅工厂的制造成本,即闭路循环H2和Cl2的副产品回收回来生产多晶硅。他们设想的这种工厂采购进来的是MG-Si和液氯,而外售的产品只有多晶硅。这是实现了真正意义上的闭路循环。 上面提到的还原尾气干法回收技术和SiCl4氢化技术为实现这种真正意义上的闭路循环提供了重要基础。我们知道,多晶硅的制备是从纯度很低的MG-Si开始的,而最终产品却是纯度很高的高纯硅,虽然我们为了提纯引进了氢气和氯气,但最终产品却并未将这些氢气和氯气带走,如果保持了氢气和氯气在工艺中的不断循环,这显然对降低原料消耗、降低成本非常有利,同时也不会对环境带来太大的污染。尽管目前国内外许多多晶硅制造商还没有完全按照这一工艺路线去做,但这却是今后所有类似工厂必然要走的路。 多晶硅制备中的能耗和环保问题 1.关于能耗问题 多晶硅产品的工业化生产已有50多年的历史了,最初由于规模小且工艺落后,在上世纪我国多晶硅生产的电单耗都在500 kWh/kg以上。2000年以前,国外报道的多晶硅的电单耗大约是240kWh/kg左右。目前有消息称,国外最好的还原直耗电已达到低于100 kWh/kg,国内已经达到的电单耗水平为200 kWh/kg 左右。 随着规模的扩大、技术的进步以及工艺的改进,多晶硅的电单耗普遍达到150 kWh/kg是完全有可能的。 需要说明的是: ⑴ 所谓多晶硅是高耗能产业是指在光伏产业链的各个制造环节中,它处在耗能最多的环节。 ⑵多晶硅高耗能之说是项目建设单位为了向国家或建设地地方要优惠电价自己喊出来的(其实所有从矿山到单质原料冶炼的材料绝大多数都是高耗能的)。 ⑶多晶硅是电子和光伏工业的基础原料,应该说也是一种战略性材料,它的使用价值和电耗比及其对后续产品的倍增效应看应该优于其他材料(一吨铝从制备氧化铝到电解铝的冶炼耗电也需要23000 度)。 ⑷以10吨多晶硅生产1MW电池计,硅基光伏电池的能源回收期在2.5年以内,正常情况下的能源再生比在10以上,所以不能说能耗上不合算。 ⑸从长远看,太阳能肯定是未来能源的主角,太阳能光伏产业的发展是未来能源的主流地位的趋势是不可阻挡的。 2.关于环保问题 我们知道,在多晶硅制备中有大量的废液和废气产生,主要的废液是 四氯化硅 (SiCl4),主要的废气是氯化氢(HCl)。这两种东西,无论从回收还是处理来看都不存在问题,关键的问题是必须要引起足够的重视。 1)、从回收来看,CDI开发的干法回收技术,已能将还原及其他工序产生的尾气全部回收并加以逐一分离,这对其后的分别利用创造了极为有利的条件; 2)、从处理来看,SiCl4遇水极易分解成SIO2和HCl,它实际上就是SIO2的酸性水溶液。只要用石灰乳一类的碱性物质中和之后就是无害的。 3)、从综合利用角度看,SICl4已有用于生长人造石英、白炭黑和氢化处理成SIHCl3再循环使用的方法和技术。 综上所述,多晶硅制备中所有的废气、废液都可得到回收利用和有效处理,无论从技术上还是实践上都没有任何问题,关键的问题是我们必须认真对待它。 几点个人看法 1)、多晶硅是电子工业和光伏产业最重要、最基础的功能材料,也可以说是一个国家重要的战略性材料,并非可有可无; 2)、发展多晶硅不可以只注意光伏产业的需要,目前我国微电子工业和电力电子工业所需的高质量多晶硅绝大部分依靠进口,这对一个有四十多年产业历史的国家来说不能不说是件可悲的事情 3)、硅基光伏电池在未来30~50年内,不可能被其他光伏材料取代,发展多晶硅产业是会有较长时间的市场空间的; 4)、以多晶硅制备光伏电池能源上不合算的说法是站不住脚的; 5)、用我们的电能生产光伏产品为别国提供清洁能源的观点未免太狭隘,你不用清洁能源,难道还不让别人使用?更何况都是为保护我们共有的地球出力,光伏产业是一个对全人类有利的很光彩的产业; 6)、近年来,我国多晶硅产业发展很快,这是值得庆幸的好事。但近三年里,我们的总量还不可能超过发达国家;即使超过发达国家也属正常,我们的钢铁可以超过、有色金属可以超过、家电可以超过、光伏产品可以超过,为什么我们的多晶硅就不可以超过呢? 7)、近年来,我国新上多晶硅的项目很多,确实需要国家统筹考虑。多晶硅制备中也确实有能耗高、环境污染的问题,但这不是不可克服的问题。我个人认为在未来2~3年内,我们的多晶硅制备水平一定会接近或达到国际水平。前进中的问题要在前进中去解决,不要一味指责,更不能靠限制,我想任何人也不会因为火车或飞机出过安全事故就停运铁路或关闭机场; 8)、现有的和即将进入的多晶硅制造商要在技术进步、技术创新、环境保护上投入必要的资金和人力,并在日常的管理中对安全和环保引起足够的重视。2000年以前的多年里,多晶硅制造商是微利或亏本的,现在有钱了,要舍得在开发新技术和环境保护上花本钱、下功夫。 让我们与世界和中国的光伏企业一起腾飞! 以上是我看到的一篇资料,希望对大家有用... 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GB/T 23799-2009 车用甲醇汽油(M85)? GB/T 23799-2009 车用 甲醇 汽油 (M85) 标准名称:车用甲醇汽油(M85) 发布日期:2009年5月18日发布 实施日期:2009年12月01日实施 本标准规定了由 84% ~ 86% (体积分数)的甲醇和 16% ~ 14% (体积分数)的车用汽油(符合 GB 17930 )及改善使用性能的 添加剂 调合而成的车用甲醇汽油( M85 )的术语和定义、缩略语、要求和试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存及安全。 查看更多 0个回答 . 4人已关注
PROII数据库中没有的组分,自己添加的组分需要输入哪些 ...? 刚开始学习PROII,在盖德上沉默了一周,都在学习,收获颇大,不过还是有些问题找不到答案,希望高手过来讨论一下,给新手提个醒。 就是在输入组分时,我发现有个别组分数据库中没有,只能自定义添加,然后在Component properties里面推测结构式,比如很简单的SiCl3SiCl3,我在UNIFAC Structures里面添加两个3501(—SiCl3)结构就ok了,然后其他Fixed...和Temperature Dependent里面需要输入数据吗?好像做精馏的必须要输入吧?因为我没有输入的时候提示我有很多错误,我就想根据输入的结构PROII不可以推算其他物性吗?如果不能推算,我要上哪里去找这些物性啊? 查看更多 9个回答 . 2人已关注
求 ASPENPLUS 下载链接? 大家的 ASPENPLUS 都那下的,发个链接给小弟 查看更多 11个回答 . 2人已关注
霍尼韦尔PPT智能压力传感器及其应用? 霍尼韦尔PPT智能 压力传感器 及其应用 摘要:PPT系列精密智能压力传感器是霍尼威尔公司生产的高品质压力传感器。可广泛用于工业、航天、军事、医疗器械、大气环保检测及家电等领域。文中介绍了PPT系列传感器的特点、参数和引脚功能。最后介绍了PPT系列精密智能压力传感器的应用电路及设置方法。关键词:压力;传感器;检测;控制根据半导体的硅阻效应,在硅膜片上施加压力将引起阻值的变化。这一点与应变片的100倍,因此,它不会永久地伸展,而能在应力消失后又恢复原来的形状 根据半导体的硅阻效应,在硅膜片上施加压力将引起阻值的变化。这一点与应变片的 100 倍,因此,它不会永久地伸展,而能在应力消失后又恢复原来的形状。作为压力传感膜片,硅优于金属,因为硅在工作范围内有着特别好的弹性,通常只有硅片破裂才会停止正常工作。作为压力传感器的专业设计生产,美国霍尼威尔公司生产的高品质PPT智能压力传感器已在工业、航天、军事、医疗器械、大气环保检测及家电等领域得到了广泛的应用。 1、压力传感器的选型 在选用压力传感器时,应主要考虑其测量兼容性和影响压力传感器性能的误差因素。 1.1 测量兼容性 在进行压力传感器选择之前,应首先考虑材料、化学物质、浓度、温度、暴露时间、暴露形式、故障准则和一般信息等方面的因素。同时还应考虑应用环境、器件保护和在该区域的 其它 设备器件,以保证工作环境能够满足它的使用要求。 1.2 压力传感器性能的误差影响 对压力传感器性能误差的影响主要包括以下几点: 零点偏置; 零点温度漂移; 灵敏度偏移; 线性误差; 重复性误差。 2、PPT 系列智力压力传感器的特点 霍尼威尔分司的精密智能压力传感器有PPT型和PPT-R型两种系列,其中PPT适用于干性气体,而PPT-R则带有不绣钢隔膜,适用于对腐蚀性介质的测量。PPT系列传感器综合了模式拟传感器的技术特点,可由用户自己决定是否使用和怎样使用智能功能。每个PPT传感器均可在全温区和全压略范围内对其数字输出和模拟输出进行精确定标。因此,它是一个既非常精确又标准的模拟电压输出装置,也是一个完善的、具有地址的数字传感器,并可在 RS232 总线上许多传感器一起联网使用。PPT传感器可以帮助用户向数字测量系统过渡,而不用增加新的昂贵的硬件设备。该系列传感器的内部结构如图1所示。 PPT系列精密智能压力传感器的主要特点有如下几个方面: 可组态的传感器 PPT传感器具有优异的重复性和稳定性;其压力信号可由单片机设置为数字输出模式,也可以设置为模拟输出模式。这些特点使得PPT传感器可作为一个高精度的标准模拟装置而不需要连接数字通讯线路;作为一个用户可组态的模拟传感器,用户可通过RS232总线给PPT组态,然后在现场作为模拟抟 使用;而作为一个智能型且具有地址的数字输出传感器,它可进行双向通讯。该压力传感器可单独工作,也可作为传感器网络上的一点。 标准的模拟压力传感器 在许多应用中,PPT传感器可直接作为一个标准的模拟传感器。它只需加上5.5~30V的电压和压力源即可.由于其内部压力敏感器件的重复性非常好并可利用单片机进行数字补偿,因而可获得很高的稳定性和精度.在- 40 ~+85℃的温度范围内,PPT传感器具有0.05%FS的典型精度。 用户可组态的模拟传感器 利用RS232串口总线,用户可通过PC发布指明令亚改变PPT传感器的任何一个参数。所有组态的变化均可存放在PPT传感器内部的 EEPROM 中,并可由用户可任意设计或取消。同时要可以通过几条简单的指令来根据各种不同的需要对模拟输出进行修改,如进行最大和最小模拟输出电压的调节以及压力量程的压缩等。 带有地址的智能传感器 在数字串口通讯模式下工作时,PPT传感器具有更多的方法解决压力测量中的问题。但应注意:由于压力信号首先需要经过数字化外理,所以数字输出模式的组态可能会影响到模拟输出的模式。 压力单位可选择 除基本单位 psi (每平英寸承受的压力)外,PPT传感器具有 12 种压力单位可供选择,其中包括大气压、巴、厘米汞柱、英尺水柱、英尺汞柱、英寸水柱、kg/ cm2 \u27627毫巴、毫米汞柱、 Mpa \u31859米汞柱等。另外,它还预认有一个用户自定义单位,因此,用户不必不可为单位换算进行额外的浮点运算。Psi和其它单位之间的换算关系如下: 1psi=27.68英寸水柱(在0℃) 1psi= 51 .714毫米汞柱(在0℃) 1psi=27.73英寸水柱(在20℃) 1psi=6.8946×10-2巴 1psi=703.05毫米水柱(在0℃) 1psi=6.8946× 103 巴Pa 1psi=704.33毫米水柱(在25℃) 采样速率可调 PPT传感器可对每次测量的压力信号进行积分,积分时间可在8 ms 至12s之间选择。这样可以提高数字控制系统在不同环境条件下的适应性和抗干扰能力。 跟踪输入变化 有时用户需要在压力发生快速变化时使采样速率随之加速,因此,该PPT可以设定2倍加速。用户可设置一个阀值,当压力在阀值范围内波动时,采样速率自动加速,当压力在一个新的水平上稳定下来年采样速率以恢复原样。 降低压力读数速率 当压力缓慢变化或者不变时,用户可以降低输出读数速率。这样PPT传感器可以跳过 255 个读数而使两次输出时间相隔51分,这种功能称为空闲计数功能。PPT传感器还可以设置为只有在压力变化时(超过认定阀值)才输出或只有当上位机查询时才输出等其它工作模式。 PPT通过RS232总线联网 一台PC机最多可挂接89个PPT传感器,每个PPT传感器具有一个独立的地址。利用这种网络模式,用户可以和一个传感器、一组传感器或网络上所有的传感器通讯。 外部控制模拟输出 PPT传感器的模拟输出电压可由上位机通过RS232串口控制,在这种模式下,PPT传感器通过数字口输出压力数据,同时,上位机也可以对PPT压力传感器的D/A输出以及与测量压力无关的模拟、电压进行控制。 3、PPT压力传感器的引脚及参数 PPT系列精密智能型压力传感器的主要参数如下: 电源 电压范围:5.5~30VDC; 量程:PPT系列智能压力传感器的量程如表1所列; 温度输出精度在±0.5℃以内; 模拟输出电压范围:0~5V(用户可调节); 短路 电流 :最大10mA; 工作输出电流:最大0.5mA; 负载 电阻 :最小10kΩ; 数字输出波特率: 1200 ,2 400 ,4800,9600,14400,19200,28800; 数据格式:1位起始位,8位数据位,1位停止位; 奇偶校验:无奇偶校验,奇校验,偶校验; 握手协议:不支持; 可接触的介质: PPT的P1口(压力口)适用于所有玻璃、 304 不绣钢、Sn/Ag焊剂、 环氧树脂 、黄铜、硅型O型环的液体及气体。其管内径为0.6mm。而PPT传感器的P2口(参考口)则适用于非常接触、不易燃、非腐蚀性气体。 PPT-R的压力口与介质的接触面为3 16 不绣钢。 PPT 系列传感器的管脚排列如图2所示,其引脚定义如下: 脚1:RS-232发送( TD ); 脚2:RS-232接收(RD); 脚3:机壳接地; 脚4:电源和信号公共地; 脚5:DC电源输出; 脚6模拟输出。 4、PPT系列智能压力传感器的应用 在具体使用时,对于模拟输出的PPT传感器要求一点接地,这样可以减小噪声,也就是说,测量模拟输出的仪器(如数字电压表)的参考地应该直接连接到PPT的信号地。另外,电源地也必须直接到PPT传感器的信号地。 对于PPT传感器的大多数测量参数和输出特性,用户都可以重新进行定义。下面就列举几个如何定义模拟输出特性的例子。 4.1 输出模拟电压控制 PPT传感器能够把高低电平门限值按50mV的增量步长设置成0-5V之间的任何一个值。使用 DB -9或DB-25针 连接器 可以把PPT的三个管脚连接到计算机的并口上,其连接对应关系和表2所示。 表2 通讯线缆连接表 PPT传感器默认的通讯设置波特率为9600bps,8个数据位,无奇偶校验,一个停止位。用户通过一个终端应用程序可以重新定义PPT传感器的零点压力和满量程输出电压。但终端应用程序端的通讯设置必须和PPT传感器保持一致。 当PPT传感器加上电源后,它就会自动传输一个描述PPT传感器范围和类型的启动信号。当机器准备好后,输入下列命令并等待响应,即可确认计算机和PPT传感器之间的通讯是否准备好。符号(cr)表示按ENTER或RETURN键: 输入:﹡ 99 S=(cr) PPR 响应:01S=00052036 如果一个PPT压力传感器的压力范围为0psi~20psi,输出范围为0V~5V,参照下面的例子即可将新的零点压力输出电压定义为1V,满量程输出电压定义为4.85V: 输入 注释 *00VE=RAM(cr) ; 写使能 *00L=20(cr); 设置零点为1V *00H=97(cr); 设置满量程为4.85V *00DA= ON (cr); 打开模拟输出 *OOAN=ON(cr); 打开用户电压设置 *OOWE=(cr); 把数据存储到EEPROM有效 *OOSP=ALL(cr); 把改变的数据存储到EEPROM 至此,PPT传感器的模拟电压输出范围便被设置为1V~4.85V。 如果PPT压力传感器的范围为12psi~16psi,它本来的压力量程为0psi~20psi,这样,在数字模式下,可以通过使用压力窗口(W)和偏置(O)命令来对压力量程进行重新定义。方式如下: 输入 注释 *00WE=RAM(cr) ; 写使能 *000=60(cr); 设置起始压力为满量程的60% *00W=20(cr); 设置压力窗口为满量程的60% *00WE=(cr); 把数据存储到EEPROM有效 *OOSP=ALL(cr); 把改变的数据存储到EEPROM 通过上面两个例子,压力传感器就可在12 psi时输出1V而在16 psi时输出4.85V。 4.2 远程检测控制 如果要使用一个绘图仪或其它模拟输出设备来记录和监视远端的压力测量数据,那么,一个有效的方法就是通过RS232总线让PPT1压力传感器传输一个数字压力信号到绘图仪,然后在靠近绘图仪的传感器PPT2上把这个信号还原成模拟信号,图3所示是一个远程压力检测控制系统的连接图。由于RS232总线具有很好的抗噪声能力和很低的连接损耗,因此,用户可以把两个PPT传感器之间的距离扩展到几公里。 使用两个PPT传感器来进行远距离检测控制是一种简单并且快速的实现方法,该方法对软件没有什么特殊要求。使用这种技术可以同时在RS232总线上挂接9个PPT传感器,但在上电前,必须对传感器进行下述定义: 输入 注释 (对PPT1的命令) *00WE=RAM(cr) ; 写使能 *00ID=01(cr); 设置器件ID为1 *01ID= 91 (cr); 设置组ID号为91 *01DA=U(cr); 设置为数字压力输出模式 *O1MO=P4(cr); 二进制输出模式 *O1SP=ALL(cr); 把数据存储到EEPROM有效 *OOSP=ALL(cr); 把改变的数据存储到EEPROM (对PPT2的命令) *00WE=RAM(cr) ; 写使能 *00ID=02(cr); 设置器件ID为2 *02ID=91(cr); 设置组ID号为91 *02DA=R(cr); 设置为数字转换成模拟输出模式 *O2NE= DAC (cr); 写DAC数据转换器有效 *O2WE(cr); 把数据存储到EEPROM有效 *O2SP=ALL(cr); 把改变的数据存储到EEPROM 另外,通过RS232总线可以将一个PPT连接到另外的PPT组上,但是要给每组定义一个唯一的组号,组号可以从90到98。 4.3 4-20mA电流环过程控制 4-20mA电流环接口在很多工业处理控制和工厂自动化系统中具有广泛的应用。采用电流环输出在工厂环境中进行远距离传播具有很好的抗干扰性能。 图4所示是选用一个AD694(4-20mA电流转换器)和一个 电容器 来完成这项工作的电路图。 该设计将40英寸水柱(1.5psi)时的输出定义为4mA,把400英寸水柱( 15 psi) 时的输出设定为20mA。如果读取压力的积分时间设定为1秒,则可以大大减少噪声。把PPT连接到计算机上可通过输入以下命令来实现: *00WE=RAM(cr) ; 写使能 *00DU=INWC(cr); 设置单位为inwc(英寸水柱) *00DA=B(cr); 压力传感器输出模拟信号 *00F=400(cr); 设置满量程为400inwc *OOW=90(cr); 设置压力窗口为360inwc(90%FS) *OOO=10(cr); 设置压力偏置为40inwc(10%FS) * OOH =40(cr); 设置输出最大为2V *00AN=ON(cr); 输出范围40~400inwc,0~2V *O0I= M10 (cr); 设置积分时间为1秒 *O0WE(cr); 把数据存储到EEPROM有效 *O0SP=ALL(cr); 把改变的数据存储到EEPROM PPT系列智能压力传感器以其优良的性能、灵活的组态、合理的价格而在航空 仪表 、医疗设备、环境监测及过程控制系统中具有广泛的应用。 原地址: http://www.hqew.com/tech/sheji/448086.html 该贴已经同步到 ktcontrol的微博 查看更多 1个回答 . 4人已关注
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