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仪器设备

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求助几款数显式旋转粘度计的型号及厂家？ 上海精密仪器查看更多

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工艺技术

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哪里能买到氧化亚硅啊，做硅碳负极？ 请问哪里可以买氧化亚硅查看更多

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有关电解问题求助！！！急！！！？ 在线等了。。。查看更多

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材料科学

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求解：三元正极材料用GITT测试锂离子扩散系数？ GITT计算三元正极材料的李离子扩散系数时，充电or放电都可以，文献大都用放电的，那计算的是嵌锂时锂离子的扩散系数，查看更多

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跪求流体相平衡的分子热力学原著第三版课后答案？ http://www.daanwang.com/khda/t102985.html??这里有答案??可是我没豆豆??下不下来查看更多

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求助比较容易接受的SCI期刊？ 楼主专业和研究内容都不提供，如何让别人给出参考呢查看更多

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仪器设备

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化工实习重要嘛？实习学不了什么东东的~~化工过程太复杂了??要想熟悉这个东东没个几年不行啊（我指的是大一些的石化公司啊）我们实习的时候就是去看看的??其实还不是什么也没有学到，，所以楼主不用纠结~~~，查看更多

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求东北师范大学分析化学上下册课后习题答案？ 买本书呗，看起来多方便，也没多少钱，查看更多

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色谱分析BHT的几个问题？ 液相，保留很好，简单易行查看更多

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求助数据分析！为何单因素方差分析和配对样品t检验所得结果不同？哪种才正确? 另：就算单因素分析，AC两组如此大的差异连瞎子都看的出来，怎么可能会无显著性差异？查看更多

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基因毒性杂质-对甲苯磺酸酯类分析研究？ 液相色谱与三重四极杆质谱联用做啊做的妥妥的非长感谢！但是实验条件不足，只有普通的液质，以前别人做过，好像没有出峰，查看更多

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化学学科

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生物质催化要完蛋了，甲烷重整要火？ 真的假的？查看更多

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化学学科

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热力学状态函数设计途径问题？ 求讨论这个问题查看更多

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工艺技术

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富锂三元材料合成？ 我也做过类似的，碳酸盐测扫描电镜是球形的或立方体的，也有椭球体的，但我烧了之后就没形了，产生二氧化碳不是会导致形貌成孔状吗？查看更多

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聚醚改性硅油的制备，产物泛蓝？ 溶剂用的什么啊，是否出现爆沸查看更多

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化学学科

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工艺技术

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细胞及分子

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可逆反应，主反应活化能比逆反应的活化能大是否表示吸热反应，反之是放热反应? 活化能是动力学相关量，热效应是热力学相关量。主反应活化能大的可逆反应未必是吸热反应，不能用活化能高低判断反应的热效应。一般的催化理论书籍中都有化学反应活化能和热效应示意曲线图，看图可以一目了然，如《催化作用基础》（李荣升，等编）。查看更多

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求助，大家平时都怎么测试和表征三元电池石墨负极上的SEI膜? 楼主的目标是什么？你说的这几个好像不是一挂的，可以找几篇文献看看，负极研究或电解液添加剂。先做调研、出课题报告&实验计划之后再说吧。要干什么、有没有设备资源，这个是关键。恩??刚上班??让做一个调研??有点操之过急了，查看更多

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化学学科

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光催化制氢牺牲试剂的选择问题？ 有没有文献可以分享一下！... 你有刚才那位高人发的这个文献吗。在哪里可以下到，很希望得到，如果有的话，告诉我一声，非常感谢查看更多

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化学学科

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活性炭的预处理？ 处理之后，吸附性能会发生变化，可以考虑用这个来设计对照试验证明效果好坏查看更多

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化学学科

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工艺技术

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混价二氧化钛的合成？自掺杂可能是通过改变同一物质不同的晶型结构，以获取多元混合晶区的新材料，一般宏观结构容易控制，性能单一导电性将会有质的区别，掺杂半导体将会出现“空穴-电子”型导电特性，本征半导体只会激发出少量的自由电子(空穴)来导电。半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产加的杂质能级。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价结合，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢能级。杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近。杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子。这种能提供电子载流子的杂质称为施主，相应能级称为施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多（图2）。在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是杂质能级，通常位于禁带下方靠近价带处。价带中的电子很易激发到杂质能级上填补这个空位，使杂质原子成为负离子。价带中由于缺少一个电子而形成一个空穴载流子（图3）。这种能提供空穴的杂质称为受主杂质。存在受主杂质时，在价带中形成一个空穴载流子所需能量比本征半导体情形要小得多。半导体掺杂后其电阻率大大下降。加热或光照产生的热激发或光激发都会使自由载流子数增加而导致电阻率减小，半导体热敏电阻和光敏电阻就是根据此原理制成的。对掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是导带中的电子，属电子型导电，称N型半导体。掺入受主杂质的半导体属空穴型导电，称P型半导体。半导体在任何温度下都能产生电子-空穴对，故N型半导体中可存在少量导电空穴，P型半导体中可存在少量导电电子，它们均称为少数载流子。在半导体器件的各种效应中，少数载流子常扮演重要角色。半导体掺杂　　半导体之所以能广泛应用在今日的数位世界中，凭借的就是其能借由在其晶格中植入杂质改变其电性，这个过程称之为掺杂（doping）。掺杂进入本质半导体（intrinsic semiconductor）的杂质浓度与极性皆会对半导体的导电特性产生很大的影响。而掺杂过的半导体则称为外质半导体（extrinsic semiconductor）。半导体掺杂物　　哪种材料适合作为某种半导体材料的掺杂物（dopant）需视两者的原子特性而定。一般而言，掺杂物依照其带给被掺杂材料的电荷正负被区分为施体（donor）与受体（acceptor）。施体原子带来的价电子（valence electrons）大多会与被掺杂的材料原子产生共价键，进而被束缚。而没有和被掺杂材料原子产生共价键的电子则会被施体原子微弱地束缚住，这个电子又称为施体电子。和本质半导体的价电子比起来，施体电子跃迁至传导带所需的能量较低，比较容易在半导体材料的晶格中移动，产生电流。虽然施体电子获得能量会跃迁至传导带，但并不会和本质半导体一样留下一个电洞，施体原子在失去了电子后只会固定在半导体材料的晶格中。因此这种因为掺杂而获得多余电子提供传导的半导体称为n型半导体（n-type semiconductor），n代表带负电荷的电子。　　和施体相对的，受体原子进入半导体晶格后，因为其价电子数目比半导体原子的价电子数量少，等效上会带来一个的空位，这个多出的空位即可视为电洞。受体掺杂后的半导体称为p型半导体（p-type semiconductor），p代表带正电荷的电洞。　　以一个硅的本质半导体来说明掺杂的影响。硅有四个价电子，常用于硅的掺杂物有三价与五价的元素。当只有三个价电子的三价元素如硼（boron）掺杂至硅半导体中时，硼扮演的即是受体的角色，掺杂了硼的硅半导体就是p型半导体。反过来说，如果五价元素如磷（phosphorus）掺杂至硅半导体时，磷扮演施体的角色，掺杂磷的硅半导体成为n型半导体。　　一个半导体材料有可能先后掺杂施体与受体，而如何决定此外质半导体为n型或p型必须视掺杂后的半导体中，受体带来的电洞浓度较高或是施体带来的电子浓度较高，亦即何者为此外质半导体的“多数载子”（majority carrier）。和多数载子相对的是少数载子（minority carrier）。对于半导体元件的操作原理分析而言，少数载子在半导体中的行为有着非常重要的地位，查看更多

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简介

职业：液化空气天津话梅糖网络科技有限公司 - 销售

学校：威海市交通学校 - 机电一体化技术

地区：福建省

个人简介：人生须自重。查看更多

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